剥离性赋予剂、粘接剂组合物、层叠体以及半导体基板的制造方法与流程

本发明涉及一种剥离性赋予剂、粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法以及半导体基板的制造方法。

背景技术：

1、就以往在二维的平面方向上集成而得到的半导体晶片而言，以更进一步的集成化为目的，追求将平面进一步向三维方向集成(层叠)的半导体集成技术。该三维层叠是通过硅贯通电极(tsv：through silicon via)一边接线一边集成为多层的技术。在集成为多层时，通过研磨使待集成的各个晶片的与所形成的电路面相反一侧(即背面)薄化，层叠经薄化的半导体晶片。

2、薄化前的半导体晶片(在此也简称为晶片)为了利用研磨装置进行研磨而粘接于支承体。

3、此时的粘接必须在研磨后容易剥离，因此称为临时粘接。该临时粘接必须容易从支承体拆卸，当对拆卸施加大的力时，有时经薄化的半导体晶片被切断或发生变形，为了不产生这样的情况而容易拆卸。但是，在半导体晶片的背面研磨时，因研磨应力而脱离或偏移，这是不优选的。因此，临时粘接所追求的性能是：耐受研磨时的应力，研磨后容易拆卸。

4、例如，追求如下性能：相对于研磨时的平面方向具有高应力(强粘接力)，相对于拆卸时的纵向具有低应力(弱粘接力)。

5、在上述的情况下，作为能实现这样的临时粘接的粘接剂组合物，发明人等报告了包含通过氢化硅烷化反应而固化的成分和聚二甲基硅氧烷等成分的粘接剂组合物(例如，参照专利文献1、2)。

6、在半导体晶片与支承体剥离后，残留于半导体晶片上的粘接层例如利用清洗剂组合物(清洗液)进行溶解去除。

7、现有技术文献

8、专利文献

9、专利文献1：国际公开第2017/221772号

10、专利文献2：国际公开第2018/216732号

技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、在利用清洗剂组合物进行溶解去除的情况下，残留于半导体基板上的粘接层的量越多越花费时间。因此，追求能在短时间内将粘接层去除的方法。

3、此外，在以往的粘接剂组合物中大量添加了剥离成分，因此粘接层的机械强度、粘接剂组合物的保存稳定性存在担忧。因此，追求能以少的剥离成分的添加量期待充分的粘接和剥离效果的粘接剂组合物。

4、本发明是鉴于上述的情况而完成的，其目的在于，提供一种粘接剂组合物，其能形成即使在残留于半导体基板上的粘接层的量多的情况下也能在短时间内去除的粘接层。此外，本发明的目的在于，提供一种剥离性赋予剂，其能以少的添加量表现出充分的粘接和清洗工序中的剥离去除效果。而且，本发明的目的在于，提供一种具有由所述粘接剂组合物形成的粘接层的层叠体、使用了所述层叠体的半导体基板的制造方法以及制造所述层叠体的层叠体的制造方法。

5、用于解决问题的方案

6、本发明人等为了解决上述的技术问题而进行了深入研究，结果发现，通过在粘接剂组合物中含有具有酰胺键和聚有机硅氧烷结构的聚合物，能解决上述的技术问题，从而完成了本发明。

7、即，本发明包含以下的方案。

8、[1]一种粘接剂组合物，其含有具有酰胺键和聚有机硅氧烷结构的聚合物。

9、[2]根据[1]所述的粘接剂组合物，其中，所述聚合物在主链中具有所述酰胺键。

10、[3]根据[1]或[2]所述的粘接剂组合物，其中，所述聚合物在主链中具有所述聚有机硅氧烷结构。

11、[4]根据[1]～[3]中任一项所述的粘接剂组合物，其中，所述聚有机硅氧烷结构为下述式(1)所示的结构。

12、

13、(式(1)中，r1各自独立地表示碳原子数1～4的烷基、或苯基。n表示重复单元的数量，为正整数。*表示键合键。)

14、[5]根据[4]所述的粘接剂组合物，其中，所述式(1)中，r1表示甲基。

15、[6]根据[1]～[5]中任一项所述的粘接剂组合物，其中，所述粘接剂组合物还含有粘接剂成分。

16、[7]根据[6]所述的粘接剂组合物，其中，所述粘接剂成分含有通过氢化硅烷化反应而固化的成分。

17、[8]根据[7]所述的粘接剂组合物，其中，所述通过氢化硅烷化反应而固化的成分含有通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分。

18、[9]根据[8]所述的粘接剂组合物，其中，所述通过氢化硅烷化反应而固化的聚有机硅氧烷成分含有：具有与硅原子键合的碳原子数2～40的烯基的聚有机硅氧烷(a1)、具有si－h基的聚有机硅氧烷(a2)、以及铂族金属系催化剂(a2)。

19、[10]一种层叠体，其具备：粘接层，夹存于半导体基板与支承基板之间，且与所述半导体基板相接，所述粘接层是由如[1]～[9]中任一项所述的粘接剂组合物形成的层。

20、[11]根据[10]所述的层叠体，其中，所述层叠体具备：剥离层，夹存于所述半导体基板与所述支承基板之间，且与所述支承基板和所述粘接层相接。

21、[12]一种半导体基板的制造方法，其包括：对如[10]或[11]所述的层叠体中的所述半导体基板进行加工的工序；以及将所述支承基板与经加工的所述半导体基板分离的工序。

22、[13]一种层叠体的制造方法，其制造如[10]所述的层叠体，包括：形成予以所述粘接层的粘接剂涂布层的工序；以及对所述粘接剂涂布层进行加热，形成所述粘接层的工序。

23、[14]一种剥离性赋予剂，其是在粘接剂组合物中使用的剥离性赋予剂，是具有酰胺键和聚有机硅氧烷结构的聚合物。

24、[15]根据[14]所述的剥离性赋予剂，其中，所述聚合物在主链中具有所述酰胺键。

25、[16]根据[14]或[15]所述的剥离性赋予剂，其中，所述聚合物在主链中具有所述聚有机硅氧烷结构。

26、[17]根据[14]～[16]中任一项所述的剥离性赋予剂，其中，所述聚有机硅氧烷结构为下述式(1)所示的结构。

27、

28、(式(1)中，r1各自独立地表示碳原子数1～4的烷基、或苯基。n表示重复单元的数量，为正整数。*表示键合键。)

29、[18]根据[17]所述的剥离性赋予剂，其中，所述式(1)中，r1表示甲基。

30、发明效果

31、根据本发明，能提供一种粘接剂组合物，其能形成即使在残留于半导体基板上的粘接层的量多的情况下也能在短时间内去除的粘接层。此外，根据本发明，能提供一种剥离性赋予剂，其能以少的添加量表现出充分的粘接和剥离去除效果。根据本发明，能提供一种具有由所述粘接剂组合物形成的粘接层的层叠体、使用了所述层叠体的半导体基板的制造方法以及制造所述层叠体的层叠体的制造方法。

1.一种粘接剂组合物，其含有具有酰胺键和聚有机硅氧烷结构的聚合物。

2.根据权利要求1所述的粘接剂组合物，其中，

3.根据权利要求1所述的粘接剂组合物，其中，

4.根据权利要求1所述的粘接剂组合物，其中，

5.根据权利要求4所述的粘接剂组合物，其中，

6.根据权利要求1所述的粘接剂组合物，其中，

7.根据权利要求6所述的粘接剂组合物，其中，

8.根据权利要求7所述的粘接剂组合物，其中，

9.根据权利要求8所述的粘接剂组合物，其中，

10.一种层叠体，其具备：粘接层，夹存于半导体基板与支承基板之间，且与所述半导体基板相接，

11.根据权利要求10所述的层叠体，其中，

12.一种半导体基板的制造方法，其包括：

13.一种层叠体的制造方法，其制造如权利要求10所述的层叠体，所述层叠体的制造方法包括：

14.一种剥离性赋予剂，其是在粘接剂组合物中使用的剥离性赋予剂，是具有酰胺键和聚有机硅氧烷结构的聚合物。

15.根据权利要求14所述的剥离性赋予剂，其中，

16.根据权利要求14所述的剥离性赋予剂，其中，

17.根据权利要求14～16中任一项所述的剥离性赋予剂，其中，

18.根据权利要求17所述的剥离性赋予剂，其中，