镀覆装置及镀覆方法与流程

本发明涉及镀覆装置及镀覆方法。特别地，本发明涉及用于在基板上形成凸块的镀覆装置及镀覆方法。

背景技术：

1、在半导体设备、电子元件用基板的表面形成cu等的金属镀覆膜。例如，往往在基板支架保持作为镀覆对象的基板，使基板支架与基板浸渍在收容了镀覆液的镀覆槽中来进行电镀。基板支架以将基板的镀覆面露出的方式保持基板。在镀覆液中，以与基板的露出面对应的方式配置阳极，在基板与阳极之间施加电压，能够在基板的露出面形成电镀膜。

2、例如，在基板的表面配置有具有多个开口的光致抗蚀剂层。通过对这样的带光致抗蚀剂层的基板进行镀覆，能够在开口的部分形成凸块。

3、专利文献1：日本特开2006-131926号公报

4、专利文献2：日本特开2011-026708号公报

5、要求在基板上以均匀的高度形成多个凸块。

6、专利文献1中公开了通过交替供给正电流的脉冲和负电流的脉冲来进行镀覆而形成凸块，但没有公开以均匀的高度形成多个凸块的方法。专利文献2中公开了使用正电压的脉冲和逆电压的脉冲来在基板上形成凸块。另外，在正电压和负电压之间设置有电压为零的期间(图16～18)。然而，由于控制电压而不是电流，因此实际上在镀覆液中流动的电流随着时间、即随着镀覆膜的生长而发生变化，因此无法稳定地产生本发明的后述的作用(参照图9说明的促进剂分子的脱附)。另外，即使施加电压为零，也存在电流在镀覆液中流动的情况，因此仍然无法充分产生本发明的后述的作用(参照图9说明的形成促进剂分子的密度差)。

技术实现思路

1、根据一个实施方式，提供一种镀覆装置，其用于在基板上形成凸块，其中，具备：基板支架，其构成为保持上述基板；镀覆槽，其构成为将镀覆液与上述基板支架一起进行收容；阳极，其以与保持于上述基板支架的上述基板对置的方式配置于上述镀覆槽内；电源，其构成为向上述基板与上述阳极之间供给电流；以及控制部，上述控制部构成为使具有如下期间的电流从上述电源输出：供给用于使金属从上述镀覆液析出在上述基板上的正向电流的第一期间、供给向与上述正向电流相反的方向流动的至少一个逆电流脉冲的第二期间以及在从上述逆电流脉冲向上述正向电流转变的中途停止电流供给的第三期间。

2、另外，根据一个实施方式，提供一种镀覆方法，其用于在基板上形成凸块，其中，包括向配置于镀覆槽内的上述基板与阳极之间供给具有如下期间的电流：供给用于使金属从上述镀覆槽内的镀覆液析出在上述基板上的正向电流的第一期间、供给向与上述正向电流相反的方向流动的至少一个逆电流脉冲的第二期间以及在从上述逆电流脉冲向上述正向电流转变的中途停止电流供给的第三期间。

技术特征：

1.一种镀覆装置，其用于在基板上形成凸块，所述镀覆装置的特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的镀覆装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的镀覆装置，其特征在于，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的镀覆装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的镀覆装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的镀覆装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的镀覆装置，其特征在于，

8.根据权利要求6所述的镀覆装置，其特征在于，

9.一种镀覆方法，其用于在基板上形成凸块，所述镀覆方法的特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的镀覆方法，其特征在于，进一步包括：

技术总结在基板上以均匀的高度形成多个凸块。提供一种用于在基板上形成凸块的镀覆装置。镀覆装置具备：基板支架，其构成为保持上述基板；镀覆槽，其构成为将镀覆液与上述基板支架一起进行收容；阳极，其以与保持于上述基板支架的上述基板对置的方式配置于上述镀覆槽内；电源，其构成为在上述基板与上述阳极之间供给电流；以及控制部，上述控制部构成为使具有如下期间的电流从上述电源输出：供给用于使金属从上述镀覆液析出在上述基板上的正向电流的第一期间、供给向与上述正向电流相反的方向流动的至少一个逆电流脉冲的第二期间以及在从上述逆电流脉冲向上述正向电流转变的中途停止电流供给的第三期间。技术研发人员：下山正,增田泰之,樋渡良辅,安田慎吾,早濑仁则受保护的技术使用者：株式会社荏原制作所技术研发日：技术公布日：2024/5/29