封装衬底集成器件的制作方法

诸如智能电话或平板电脑的计算平台例如可以包括多个传感器和/或致动器，以提供高级特征。在很多情况下，微机电系统(mems)用于实施这些高级特征，例如，用户接口或用户体验特征。传感器的示例可以包括加速度计、陀螺仪和压力传感器。致动器的示例可以包括触觉致动器、射频(rf)开关和微泵。就常规而言，这些mems传感器和致动器是使用硅技术制造的，并且随后被封装并且被组装成母板或者集成电路封装上的一个或多个分立部件。该方案需要昂贵的基于硅的制造，向封装或板增加了显著的z高度，并且需要对分立部件进行组装。

附图说明

通过下文给出的具体实施方式以及本公开的各种实施例的附图，本公开的实施例将得到更加充分的理解，然而，所述详细描述和附图不应被理解为使本公开局限于具体的实施例，而是仅用于解释和理解的目的。

图1示出了根据一些实施例的可以利用封装衬底集成器件实施的示例性电路，

图2a-图2h示出了根据一些实施例的封装衬底集成器件的制造步骤的截面图，

图3a-图3j示出了根据一些实施例的封装衬底集成器件的制造步骤的视图，

图4示出了根据一些实施例的具有封装衬底集成器件的示例性系统的截面图，

图5示出了根据一些实施例的形成封装衬底集成器件的方法的流程图，以及

图6示出了根据一些实施例的包括封装衬底集成器件的智能装置或计算机系统或soc(片上系统)。

具体实施方式

将总体上呈现封装衬底集成器件。就此而言，本公开的实施例使感测或致动元件能够被形成为封装衬底的部分。本领域技术人员应当认识到，这些感测或致动元件可以是使用现有的衬底制造技术形成的，并且在一些实施例中无需独特的工具。在一个实施例中，所公开的感测或致动元件可以是在无需反应离子蚀刻(rie)工具的情况下形成的。此外，在一些实施例中，文中描述的感测或致动元件可以包括与分立部件相比更加细小的间距特征，因而能够集成更多部件和增强的特征。

在下文的描述中，讨论很多细节，以提供对本公开的实施例的更加透彻的解释。然而，对于本领域的技术人员显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开的实施例。在其它实例中，公知的结构和装置被以方框图的形式示出而非以细节示出，以便避免使本公开的实施例难以理解。

在整个说明书中以及在权利要求书中，术语“连接”表示被连接的事物之间的直接连接，例如，电、机械或磁连接，而没有任何中间装置。术语“耦合”表示直接或间接连接，例如，被连接的事物之间的直接电、机械或磁连接或者通过一个或多个无源或有源中间装置的间接连接。术语“电路”或“模块”可以指被布置为相互协作以提供期望功能的一个或多个无源和/或有源部件。术语“信号”可以指至少一个电流信号、电压信号、磁信号或者数据/时钟信号。单数冠词的含义包括复数个引述对象。“在……中”的含义包括“在……中”和“在……上”。

除非另行指出，否则使用“第一”、“第二”、“第三”等序数形容词描述共同对象仅指示正在引述的类似对象的不同实例，而不是暗指所描述的对象必须采用时间上、空间上的给定顺序、或者采用排序或任何其它方式。

出于本公开的目的，短语“a和/或b”以及“a或b”表示(a)、(b)或者(a和b)。出于本公开的目的，短语“a、b和/或c”表示(a)、(b)、(c)、(a和b)、(a和c)、(b和c)或者(a、b和c)。说明书和权利要求中的术语“左”、“右”、“前”、“后”、“顶部”、“底部”、“之上”、“之下”等(如果存在)仅用于描述性目的，而未必用于描述永久性相对位置。

图1示出了根据一些实施例的可以利用封装衬底集成器件实施的示例性电路。如所示，mems电路100包括振荡器102、感测或致动元件104和106、原始信号108、缓冲器110、经修改信号112、解调器114和输出116。在一些实施例中，mems电路100可以表示加速度计，其中，元件104和106是感测电容器，然而在其它实施例中，mems电路100可以表示或者被修改为表示其它传感器或致动器功能。

在一些实施例中，振荡器102可以生成振荡电压。在一些实施例中，原始信号108可以表示1mhz方波，然而可以使用任何波形和频率。在一些实施例中，振荡器102可以向感测电容器106提供与提供给感测电容器104的原始信号108相反的电压。之后，感测或致动元件104和106之间的电压被提供给存储任何值的缓冲器110。

感测或致动元件104和106可以被实施成封装衬底的部分，如下文更加详细所述，并且可以包括至少一个柔性板，当在特定方向上加速时所述柔性板能够偏转，并且能够暂时性地发生电容变化。在一些实施例中，例如，感测或致动元件104和106可以被定向在一个轴的相反方向上，以使得感测电容器104中的向内偏转(以及电容的下降)将引起感测电容器106的向外偏转(以及电容的升高)。在一些实施例中，感测或致动元件104和106可以被实施到复杂度高于或者低于mems电路100的电路中。

解调器114可以将原始信号108与经修改信号112进行比较。在一些实施例中，例如，解调器114可以基于原始信号108和经修改信号112之间的德尔塔生成输出116，所述德尔塔表示加速度的幅度。在一些实施例中，输出116例如被作为对接口或操作系统的用户输入而路由至处理器或控制器。

图2a-图2h示出了根据一些实施例的封装衬底集成器件的制造步骤的截面图。如图2a所示，组件200包括衬底202、固定金属层204、光致抗蚀剂材料206和208、掩模212、不透明区域214、透明区域216、半透明区域218以及光水平222和224。在一些实施例中，衬底202表示含有固定金属层204的电介质积聚膜(例如，环氧树脂电介质或聚合物)，例如，所述固定金属层可以是铜。而且，组件200可以包括未示出的额外层。

例如，光致抗蚀剂材料206和208可以是湿光致抗蚀剂或者干膜抗蚀剂(dfr)。在该示例性实施例中，光致抗蚀剂材料206和208是负性光致抗蚀剂，其中，光致抗蚀剂的暴露于光的部分将变得不可溶于光致抗蚀剂显影剂，然而在其它实施例中，可以使用正性光致抗蚀剂。尽管光致抗蚀剂材料206和208被示为具有大体上类似的厚度，但是它们也可以具有不同厚度。

在一些实施例中，例如，光致抗蚀剂材料206和208在感光度方面存在差异，以使得尽管通过掩模212的透明区域216提供的较高的光水平(例如，光水平222)将改变光致抗蚀剂材料206和208两者的溶解度，但通过半透明区域218提供的较低的光水平(例如，光水平224)将仅改变光致抗蚀剂材料206对特定显影剂的溶解度，而不改变光致抗蚀剂材料208的溶解度。在一些实施例中，光致抗蚀剂材料206和208的未暴露于光的区域(例如，被不透明区域214阻挡的那些区域)将不经历溶解度改变。

图2b示出了组件210，其可以包括在光致抗蚀剂材料208中显影的开口228以及通过光致抗蚀剂材料206和208两者显影的开口226。在一些实施例中，可以使用单一显影剂形成开口226和228，而在其它实施例中，则可以单独或一起使用多种显影剂。

如图2c所示，组件220可能已经具有在衬底202以及光致抗蚀剂材料206和208的暴露表面上沉积的种层232。在一些实施例中，种层232可以表示铜或者钛铜合金或者可以通过无电镀或者溅射沉积而沉积的一些其它合金。

现在转向图2d，组件230可以包括处于种层232之上的金属镀层234。在一些实施例中，可以通过电镀或者无电镀按照一层或者多个堆叠层来沉积铜。

图2e示出了组件240，其可能已经向下去除了多余的金属镀层234直至光致抗蚀剂材料表面242。在一些实施例中，可以通过打磨、抛光和/或化学机械平面化(cmp)去除多余的金属镀层234。

如图2f所示，对于组件250而言，已经去除了光致抗蚀剂材料206和208，从而暴露了包括悬置金属层252和金属支撑部254的金属镀层234。尽管悬置金属层252被示为从单个金属支撑部254成悬臂伸出，但是在一些实施例中，悬置金属层252可以由多于一个金属支撑部254支撑。在一些实施例中，利用单一化学去除剂去除光致抗蚀剂材料206和208，而在其它实施例中，可以使用单独的化学去除剂去除光致抗蚀剂层206和208。

在一些实施例中，在没有力施加至所述结构时，悬置金属层252可以与固定金属层204保持恒定距离，并且在有力施加至所述结构时，悬置金属层252可能因惯性作用而偏转为更接近或更远离固定金属层204。在一些实施例中，悬置金属层252偏转到相邻空间中会导致悬置金属层252和固定金属层204之间的电容的暂时改变。

现在转向图2g，组件260可以包括处于衬底202上的包围悬置金属层252的外壳262。在一些实施例中，外壳262提供对悬置金属层252的环境保护，并且可以包括任何适当材料，其包括但不限于塑料或金属。在一些实施例中，外壳262利用粘合剂(例如，浆糊)粘附至衬底202。

图2h示出了组件270，其可以包括附接至金属柱274的盖272，以作为外壳262的替代。在一些实施例中，至少部分地通过对先前去除的光致抗蚀剂材料中的额外开口进行镀覆而形成金属柱274。在一些实施例中，可以是金属或塑料的盖272(例如)利用浆糊而粘附至金属柱274。

图3a-图3j示出了根据一些实施例的封装衬底集成器件的制造步骤的视图。如图3a所示，组件300包括衬底302、固定金属层304、光致抗蚀剂材料306和308、掩模312、不透明区域314、透明区域316、半透明区域318以及光水平322和324。在一些实施例中，衬底302表示含有固定金属层304的电介质积聚膜(例如，环氧树脂电介质或聚合物)，例如，所述金属层可以是铜。而且，组件300可以包括未示出的额外层。

例如，光致抗蚀剂材料306和308可以是湿光致抗蚀剂或者干膜抗蚀剂(dfr)。在该示例性实施例中，光致抗蚀剂材料306和308是正性光致抗蚀剂，其中，光致抗蚀剂的暴露于光的部分变得可溶于光致抗蚀剂显影剂，然而在其它实施例中，可以使用负性光致抗蚀剂。尽管光致抗蚀剂材料306和308被示为具有大体上相似的厚度，但是它们也可以具有不同厚度。

在一些实施例中，例如，光致抗蚀剂材料306和308在感光度方面存在差异，以使得尽管通过掩模312的透明区域316提供的较高的光水平(例如，光水平322)将改变光致抗蚀剂材料306和308两者的溶解度，但通过半透明区域318提供的较低的光水平(例如，光水平324)将仅改变光致抗蚀剂材料308对特定显影剂的溶解度，而不改变光致抗蚀剂材料306的溶解度。在一些实施例中，光致抗蚀剂材料306和308的未暴露于光的区域(例如，被不透明区域314阻挡的那些区域)将不经历溶解度改变。

图3b示出了组件310，其可以包括在光致抗蚀剂材料308中显影的开口328以及通过光致抗蚀剂材料306和308两者显影的开口326。在一些实施例中，可以使用单一显影剂形成开口326和328，而在其它实施例中，可以单独或一起使用多种显影剂。

如图3c所示，组件320可以使开口326和328被金属镀层332填充。在一些实施例中，已经使金属镀层332与光致抗蚀剂材料308的表面平面化。

图3d示出了组件320的平面图。如所示，金属镀层332可以呈矩形形状，然而也可以使用其它规则或不规则形状。作为对光致抗蚀剂材料308的图案化的结果，可以在金属镀层332中存在开口333。在一些实施例中，开口333可以是圆形的，并且沿直线布置，然而也可以使用其它形状和布置。在一些实施例中，开口333可以使得能够在后续处理中高效地去除金属镀层332之下的光致抗蚀剂材料(306)。

现在转向图3e，组件330可以包括形成于金属镀层332之上的牺牲材料334。在一些实施例中，牺牲材料334是能够承受对光致抗蚀剂材料306和308的化学去除的光致抗蚀剂材料或者其它材料。

图3f示出了组件330的平面图。如所示，牺牲材料334可以覆盖开口333，以防止光致抗蚀剂材料306和308的部分暴露于化学去除剂。在一些实施例中，牺牲材料334可以悬于金属镀层332的一侧或多侧之上。

图3g示出了组件340，其可能已经从衬底302上去除了光致抗蚀剂材料306和308，除了光致抗蚀剂材料306和308的处于牺牲材料334之下的那些部分之外。在一些实施例中，通过氧等离子体灰化去除光致抗蚀剂材料306和308的部分。在其它实施例中，通过选择性化学去除剂去除光致抗蚀剂材料306和308的部分。

如图3h所示，对于组件350而言，在衬底302上层压电介质352。在一些实施例中，电介质352可以包括阻焊剂材料或者另一种聚合物或其它电介质。尽管电介质352被示为在远高于牺牲材料334处延伸，但是在一些实施例中，电介质352可以在仅略高于牺牲材料334处延伸，或者可以与牺牲材料334平齐。

现在转向图3i，组件360可以包括在电介质352中形成的开口362，以暴露牺牲材料334。在一些实施例中，开口362可以通过激光烧蚀或者其它机械或化学手段形成。

图3j示出了组件370，其可能已经去除了牺牲材料334和光致抗蚀剂材料306和308。在一些实施例中，可以通过开口362施加化学去除剂，以去除牺牲材料334以及光致抗蚀剂材料306和308。金属镀层332可以包括悬置金属层372，其可以是相邻的孔隙378，孔隙378例如在力施加到所述结构时允许悬置金属层372发生偏转。尽管被示为在悬置金属层372的相对端上包括两个金属支撑部374，但是在一些实施例中，悬置金属层372可以从单个金属支撑部374成悬臂伸出。在一些实施例中，在悬置金属层372中存在实现先前存在的光致抗蚀剂材料的去除所必需的开口376，其可以包括一系列圆形开口。

图4示出了根据一些实施例的具有封装衬底集成器件的示例性系统的截面图。如所示，系统400包括封装衬底402、集成电路器件404、系统板406、互连路由408、焊料球410、金属接触部412以及感测或致动元件414和416。集成电路器件404可以表示任何类型的器件，包括但不限于处理器、控制器、soc或收发器。集成电路器件404可以包括与金属接触部412接触的着陆部(未示出)。

互连路由408可以是将金属接触部412耦合至焊料球410的金属和电介质的积聚层。互连路由408使感测或致动元件414和416与金属接触部412和/或焊料球410导电耦合。封装衬底402可以包括沿多个轴对齐的任何数量的感测或致动元件414(在封装衬底402的表面上，例如组件260)和/或感测或致动元件416(在封装衬底402的表面下发，例如组件370)。系统板406可以包括其它系统部件，并且可以具有与封装衬底402的焊料球410耦合的焊料焊盘(未示出)。

图5示出了根据一些实施例的形成封装衬底集成器件的方法的流程图。尽管参考图5的流程图中的块是按照特定顺序示出的，但是也可以对动作的顺序进行修改。因而，所例示的实施例可以是按照不同的顺序执行的，并且一些动作/块可以是并行执行的。根据某些实施例，图5中列举的块和/或操作中的一些是任选的。所呈现的块的编号只是为了清楚起见，而不是为了规定各个块的发生所必须遵照的操作顺序。此外，可以按照各种各样的组合利用来自各种流程的操作。

方法500开始于接收(502)衬底。在一些实施例中，诸如202的衬底可以包括固定铜层，例如204。接下来，在衬底上形成(504)光致抗蚀剂层。在一些实施例中，在衬底202上形成具有不同感光度的多个光致抗蚀剂材料，例如206和208。

之后，使用灰度掩模使光致抗蚀剂层选择性地暴露(506)于光。在一些实施例中，诸如掩模212的灰度级掩模包括不透明区域、透明区域和半透明区域，以允许不同的光水平抵达光致抗蚀剂材料。接下来，可以施加一种或多种显影剂以去除(508)光致抗蚀剂层的可溶解部分。

所述方法继续对各光致抗蚀剂层中的孔隙进行镀覆(510)，以形成上金属层。在一些实施例中，在对金属镀层234进行过镀覆之前首先沉积诸如种层232的种层，之后对种层进行平面化。接下来，在一些实施例中，可以根据需要在上金属层之上形成电介质材料。在一些实施例中，在沉积电介质352之前在上金属层之上形成诸如牺牲材料334的牺牲材料。

接下来，可以(例如)使用一种或多种化学去除剂去除(514)光致抗蚀剂层。最后，在一些实施例中，可以在上金属层之上放置保护盖，例如外壳262，以进行保护。

图6示出了根据一些实施例的包括封装衬底集成器件的智能装置或计算机系统或soc(片上系统)。在一些实施例中，计算装置600表示移动计算装置，例如，计算平板电脑、移动电话或智能电话、支持无线的电子阅读器或者其它无线移动装置。应当理解，在计算装置600中只是大致示出了某些部件，而未示出这种装置的所有部件。在一些实施例中，计算装置600的一个或多个部件(例如，处理器610或者i/o控制器640)包括如上文所述的具有集成器件的封装衬底。

出于实施例的目的，文中描述的各种电路和逻辑块中的晶体管是金属氧化物半导体(mos)晶体管或其衍生物，其中，mos晶体管包括漏极端子、源极端子、栅极端子和体块端子。晶体管和/或mos晶体管衍生物还包括三栅极晶体管和finfet晶体管、栅极全包围圆柱晶体管、隧穿fet(tfet)、方线、或者矩形带晶体管、铁电fet(fefet)或者实施晶体管功能的其它器件，如碳纳米管或者电子自旋器件。mosfet的对称源极端子和漏极端子是等同端子，并且在此处可互换使用。另一方面，tfet器件具有非对称的源极端子和漏极端子。本领域技术人员将认识到，可以使用其它晶体管，例如，双极结型晶体管(bjtpnp/npn)、bicmos、cmos等，而不脱离本公开的范围。

在一些实施例中，计算装置600包括第一处理器610。本公开的各种实施例还可以包括处于670内的网络接口，例如无线接口，以使得系统实施例可以被并入到诸如蜂窝电话或个人数字助理的无线装置中。

在一个实施例中，处理器610可以包括一个或多个物理器件，例如微处理器、应用处理器、微控制器、可编程逻辑器件或者其它处理机构。由处理器610执行的处理操作包括在上面执行应用和/或装置功能的操作平台或操作系统的执行。处理操作包括与和人类用户或者其它装置的i/o(输入/输出)有关的操作、与功率管理有关的操作、和/或与将计算装置600连接至另一装置有关的操作。处理操作还可以包括与音频i/o和/或显示i/o有关的操作。

在一个实施例中，计算装置600包括音频子系统620，其表示与向计算装置提供音频功能相关联的硬件部件(例如，音频硬件和音频电路)和软件部件(例如，驱动程序、编解码程序)。音频功能可以包括扬声器和/或耳机输出以及麦克风输入。用于这种功能的装置可以被集成到计算装置600中，或者可以连接至计算装置600。在一个实施例中，用户通过提供由处理器610接收并处理的音频命令而与计算装置600交互。

显示子系统630表示提供视觉和/或触觉显示以用于用户与计算装置600交互的硬件部件(例如，显示装置)和软件部件(例如，驱动程序)。显示子系统630包括显示接口632，其包括用于向用户提供显示的特定屏幕或硬件装置。在一个实施例中，显示接口632包括与处理器610分开的用以执行与显示有关的至少一些处理的逻辑。在一个实施例中，显示子系统630包括向用户提供输入和输出两者的触摸屏(或触控板)装置。

i/o控制器640表示与和用户的交互有关的硬件装置和软件部件。i/o控制器640可操作用于管理作为音频子系统620和/或显示子系统630的部分的硬件。此外，i/o控制器640还示出了针对连接至计算装置600的额外装置的连接点，用户可以通过其与所述系统交互。例如，可以附接至计算装置600的装置可以包括麦克风装置、扬声器或立体声系统、视频系统或者其它显示装置、键盘或小键盘装置、或者与具体应用结合使用的其它i/o装置，例如读卡器或其它装置。

如上文所提及的，i/o控制器640可以与音频子系统620和/或显示子系统630交互。例如，通过麦克风或其它音频装置的输入可以提供针对计算装置600的一个或多个应用或功能的输入或命令。此外，除显示输出之外或者代替显示输出，可以提供音频输出。在另一示例中，如果显示子系统630包括触摸屏，那么所述显示装置还充当输入装置，其可以至少部分地受到i/o控制器640管理。在计算装置600上还可以存在额外的按钮或开关，以提供通过i/o控制器640管理的i/o功能。

在一个实施例中，i/o控制器640管理诸如加速度计、照相机、光传感器或其它环境传感器或者计算装置600中包括的其它硬件的装置。所述输入可以是直接用户交互的部分，也可以是向系统提供环境输入以影响其操作(例如，对噪声的过滤、调整显示器以用于亮度检测、对照相机应用闪光灯、或者其它特征)。

在一个实施例中，计算装置600包括功率管理650，其管理电池功率使用、电池的充电以及与省电操作有关的特征。存储器子系统660包括用于存储计算装置660中的信息的存储器装置。存储器可以包括非易失性存储器装置(如果中断对存储器装置的供电，其状态不变)和/或易失性存储装置(如果中断对存储器装置的供电，其状态不确定)。存储器子系统660可以存储应用数据、用户数据、音乐、照片、文档或者其它数据以及与计算装置600的应用和功能的执行有关的系统数据(不管是长期的还是暂时的)。

还将实施例的元件提供为用于存储计算机可执行指令的机器可读介质(例如，存储器660)。机器可读介质(例如，存储器660)可以包括但不限于闪速存储器、光盘、cd-rom、dvd、rom、ram、eprom、eeprom、磁或光卡、相变存储器(pcm)或者其它类型的适于存储电子或计算机可执行指令的机器可读介质。例如，可以将本公开的实施例作为计算机程序(例如，bios)下载，可以经由通信链路(例如，调制解调器或者网络连接)通过数据信号的方式将该计算机程序从远程计算机(例如，服务器)传送至请求计算机(例如，客户端)。

连接670包括硬件装置(例如，无线和/或有线连接器和通信硬件)和软件部件(例如，驱动程序、协议栈)，以使计算装置600能够与外部装置通信。计算装置600可以是单独的装置，例如，其它计算装置、无线接入点或基站、以及诸如耳机、打印机或其它装置的外围设备。

连接670可以包括多种不同类型的连接。作为概括，计算装置600被例示为具有蜂窝连接672和无线连接674。蜂窝连接672一般是指通过无线载波提供的蜂窝网络连接，例如，其可以是经由gsm(全球移动通信系统)或者其变型或衍生产物、cdma(码分多址)或者其变型或衍生产物、tdm(时分复用)或者其变型或衍生产物、或者其它蜂窝服务标准提供的蜂窝网络连接。无线连接(或者无线接口)674是指非蜂窝的无线连接，并且可以包括个域网(例如，蓝牙、近场等)、局域网(例如，wi-fi)和/或广域网(例如，wimax)或者其它无线通信。

外围连接680包括硬件接口和连接器以及软件部件(例如，驱动程序、协议栈)，以实施外围连接。应当理解，计算装置600既可以是其它计算装置的外围设备(“通往”682)，也可以具有与之连接的外围装置(“来自”684)。计算装置600通常具有“对接”连接器，以连接至其它计算装置，以达到诸如管理(例如，下载和/或上载、改变、同步)计算装置600上的内容的目的。此外，对接连接器能够允许计算装置600连接至某些外围设备，其允许计算装置600控制输出到例如视听系统或其它系统的内容。

除了专有对接连接器或其它专有连接硬件之外，计算装置600还能够经由公共的或者基于标准的连接器实施外围连接680。常见类型可以包括通用串行总线(usb)连接器(其可以包括很多不同硬件接口中的任何一种)、包括迷你显示端口(mdp)的显示端口、高清晰度多媒体接口(hdmi)、火线或其它类型。

在说明书中提到“实施例”、“一个实施例”、“一些实施例”或者“其它实施例”是指在至少一些实施例中但是未必在所有实施例中包括联系所述实施例描述的特定特征、结构或特性。“实施例”、“一个实施例”或者“一些实施例”的各种形式的出现未必全部是指相同的实施例。如果说明书陈述“可以”、“或许”或者“可能”包括部件、特征、结构或特性，则不要求包括该特定部件、特征、结构或特性。如果说明书或者权利要求以单数冠词提及元件，那么其不表示只有一个所述元件。如果说明书或权利要求提到“额外的”元件，则不排除有多于一个所述额外的元件。

此外，可以在一个或多个实施例中按照适当方式组合所述特定特征、结构、功能或特性。例如，只要是在与第一和第二实施例相关联的特定特征、结构、功能或特性不相互排斥的地方，就可以将这两个实施例组合。

尽管已经结合本公开的具体实施例描述了本公开，但是考虑到前述说明，这种实施例的很多替代方案、修改和变化对本领域普通技术人员将是显而易见的。本公开的实施例旨在涵盖所有这样的替代方案、修改和变化，以使之落在所附权利要求的宽泛范围内。

此外，在所给出的附图内可以或可以不示出与集成电路(ic)芯片和其它部件的公知的电源/接地连接，其目的在于简化图示和讨论，从而不使本公开难以理解。此外，布置可能是按照方框图的形式示出的，以便避免使本公开难以理解，而且还鉴于这样的事实，即关于这种方框图布置的实施方式的细节高度依赖于要实施本公开的平台(即，这种细节应当充分地处于本领域技术人员的能力范围内)。在为了描述本公开的示例性实施例而阐述了具体细节(例如，电路)的情况下，对本领域技术人员应当显而易见的是，可以在没有这些细节的情况下或者可以利用这些细节的变型来实践本公开。因而，应当将说明书视为是例示性的，而非限制性的。

下面的示例涉及其它实施例。可以在一个或多个实施例中的任何地方使用所述示例中的细节。也可以关于方法或过程实施文中描述的设备的所有任选特征。

在一个示例中，提供了一种封装衬底，其包括：处于第一表面上的一个或多个第一导电接触部；处于与第一表面相对的第二表面上的一个或多个第二导电接触部；处于所述第一和第二表面之间的电介质层；以及处于所述电介质层上的与所述第一导电接触部之一导电耦合的嵌入式感测或致动元件，其中，所述嵌入式感测或致动元件包括处于所述电介质层中的第一金属层以及通过所述电介质层上的一个或多个金属支撑部悬置于所述第一金属层之上的第二金属层。

一些实施例还包括处于所述嵌入式感测或致动元件之上的保护外壳，所述保护外壳延伸超出所述第一表面。在一些实施例中，所述保护外壳包括从所述第一表面延伸的铜支撑部。一些实施例还包括处于所述嵌入式感测或致动元件之上的第二电介质层。在一些实施例中，所述第二电介质层包括与所述嵌入式感测或致动元件相邻的一个或多个开口。在一些实施例中，所述第二金属层包括一个或多个圆形开口。在一些实施例中，所述第二金属层在所述第一金属层之上成悬臂。在一些实施例中，所述第二金属层在相对端上通过金属支撑部支撑。

在另一示例中，提供了一种系统，其包括：处理器；通信接口；以及集成电路器件封装，所述集成电路器件封装包括：与第一衬底表面上的一个或多个第一导电接触部耦合的集成电路器件；处于与所述第一衬底表面相对的第二衬底表面上的一个或多个第二导电接触部；处于所述第一和第二衬底表面之间的电介质层；以及处于所述电介质层上的与所述集成电路器件导电耦合的嵌入式电容器，其中，所述嵌入式电容器包括处于所述电介质层中的固定金属层以及通过所述电介质层上的一个或多个金属支撑部悬置于所述固定金属层之上的柔性金属层。

在一些实施例中，所述嵌入式电容器包括延伸超出所述第一衬底表面的保护外壳。在一些实施例中，所述保护外壳包括从所述第一衬底表面延伸的铜支撑部。一些实施例还包括处于所述嵌入式电容器之上的第二电介质层。在一些实施例中，所述第二电介质层包括与所述嵌入式电容器相邻的一个或多个开口。在一些实施例中，所述柔性金属层包括一个或多个开口。在一些实施例中，所述柔性金属层在所述固定金属层之上成悬臂。在一些实施例中，所述柔性金属层在相对端上通过金属支撑部支撑。

在另一示例中，提供了一种制造封装衬底的方法，其包括：在衬底表面上的嵌入式金属层之上形成第一光致抗蚀剂材料；在所述第一光致抗蚀剂材料之上形成第二光致抗蚀剂材料，其中，所述第二光致抗蚀剂材料包括与所述第一光致抗蚀剂材料不同的感光度；使所述第一和第二光致抗蚀剂材料的部分选择性地暴露于第一光水平和第二光水平，其中，所述第一光水平改变第一和第二光致抗蚀剂材料两者的溶解度，并且所述第二光水平改变所述第二光致抗蚀剂材料的溶解度，并且不改变所述第一光致抗蚀剂材料的溶解度；施加去除剂以去除所述第一和第二光致抗蚀剂材料的可溶解部分；对所述第一和第二光致抗蚀剂层中的孔隙进行镀覆，以形成与所述嵌入式金属层平行的上金属层；以及去除所述第一和第二光致抗蚀剂材料。

一些实施例还包括在所述上金属层中形成开口。在一些实施例中，所述第一和第二光致抗蚀剂材料包括负性光致抗蚀剂材料。一些实施例还包括在所述上金属层之上形成保护盖。在一些实施例中，形成所述保护盖包括在所述衬底表面上形成金属柱。一些实施例还包括在所述上金属层之上形成第三光致抗蚀剂材料。一些实施例还包括形成包围所述第三光致抗蚀剂材料和所述上金属层的电介质层。一些实施例还包括在所述电介质层中形成开口以暴露所述第三光致抗蚀剂材料。

在另一示例中，提供了一种系统，其包括：显示子系统；无线通信接口；以及微机电系统(mems)电路，所述mems电路包括：生成振荡电压的振荡器；以及处于封装衬底的电介质层上的与所述振荡器导电耦合的嵌入式感测电容器，其中，所述嵌入式感测电容器包括处于所述电介质层中的第一金属层以及通过所述电介质层上的一个或多个金属支撑部悬置于所述第一金属层之上的第二金属层。

在一些实施例中，所述第二金属层与孔隙相邻，所述第二金属层能够偏转到所述孔隙中。在一些实施例中，所述mems电路包括加速度计。在一些实施例中，所述第二金属层包括一个或多个圆形开口。一些实施例还包括处于所述嵌入式感测电容器之上的保护外壳，所述保护外壳延伸超出所述电介质层。在一些实施例中，所述第二金属层在所述第一金属层之上成悬臂。

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