半导体器件制造方法及电子装置与流程

1.本发明涉及电子产品的模组组装技术领域，特别涉及一种半导体器件制造方法及电子装置。背景技术：2.现有的一些特殊应用的半导体器件的制作过程中，经常会在第一部件上制作牺牲材料，并在牺牲材料上制作出第二部件，然后会在第二部件上制作大量的释放孔，以通过释放孔来去除该牺牲材料，之后会在第二部件上形成封孔膜层来封闭第二部件上的全部或者部分释放孔。3.然而，现有的封孔工艺，很容易出现封孔材料进入半导体器件内部的问题，严重影响了器件性能。4.因此，如何对半导体器件的第一部件上的释放孔进行封孔，已成为本领域技术人员研究的热点问题。技术实现要素：5.本发明的目的在于提供一种半导体器件制造方法及电子装置，至少实现对第一部件上的部分释放孔进行封孔，并避免封孔材料进入到半导体器件内部，保证了半导体器件的性能。6.为了实现上述目的，本发明提供一种一种半导体器件制造方法，包括：7.提供器件衬底，所述器件衬底具有第一部件、第二部件以及贯穿所述第一部件的多个第一释放孔；8.提供载体衬底，在所述载体衬底上形成封孔膜层；9.将所述封孔膜层键合到所述第一部件上，以至少对部分所述第一释放孔进行封孔；10.去除所述载体衬底。11.所述第一部件为可动部件，第二部件为固定部件，所述第一部件在制造出的半导体器件中能相对所述第二部件可动。12.可选地，提供的所述器件衬底还具有第一牺牲件和第二牺牲件，所述第一部件的部分区域通过所述第一牺牲件固定连接到所述第二部件上，所述第一部件与所述第二部件之间的其余间隙被所述第二牺牲件填充；所述半导体器件制造方法还包括：在将所述封孔膜层键合到所述第一部件上之前，先至少通过所述第一释放孔去除所述第二牺牲件，并使得所述第一牺牲件保持所述第一部件与所述第二部件之间的固定连接；以及，在将所述封孔膜层键合到所述第一部件上之后且在去除所述载体衬底之前或之后，去除所述第一牺牲件。13.可选地，所述器件衬底还具有设置在所述第二部件上的第二释放孔，在将所述封孔膜层键合到所述第一部件上之前，通过所述第一释放孔和所述第二释放孔去除所述第二牺牲件；在将所述封孔膜层键合到所述第一部件上之后且在去除所述载体衬底之前或之后，至少通过所述第二释放孔去除所述第一牺牲件。14.可选地，所述封孔膜层为图形化的膜层，在将所述封孔膜层键合到所述第一部件上之后，所述封孔膜层暴露出部分所述第一释放孔；在将所述封孔膜层键合到所述第一部件上之后且在去除所述载体衬底之前或之后，通过所述第二释放孔以及所述封孔膜层所暴露出的第一释放孔去除所述第一牺牲件。15.可选地，所述封孔膜层为图形化的膜层，通过点胶或者图案印刷或者光刻工艺，在所述载体衬底上形成图形化的封孔膜层。16.可选地，在所述载体衬底上形成封孔膜层之前，先在所述载体衬底上形成临时键合层或者第一刻蚀停止层。17.可选地，所述临时键合层包括热可解键合膜、光可解键合膜、电可解键合膜或者化学可解键合膜。18.可选地，在所述载体衬底上形成所述封孔膜层之前，且在所述载体衬底上形成临时键合层或者第一刻蚀停止层之后，在所述载体衬底上形成至少用于与所述第一部件连接的布线，所述布线包括单层结构和/或多层互连结构。19.可选地，在所述载体衬底上形成临时键合层或者第一刻蚀停止层之后，且在所述载体衬底上形成所述布线之前，先在所述临时键合层或者第一刻蚀停止层上形成图形化的牺牲层。20.可选地，在所述图形化的牺牲层上形成所述布线之前，先在所述图形化的牺牲层上形成第二刻蚀停止层。21.可选地，所述的半导体器件制造方法，在去除所述载体衬底之后，还包括：22.去除所述第一刻蚀停止层；23.去除所述图形化的牺牲层所暴露出的所述第二刻蚀停止层；24.去除所述图形化的牺牲层。25.可选地，所述布线包括连接所述第二部件与所述第一部件的悬浮连接线。26.可选地，所述第二部件与所述第一部件通过所述悬浮连接线柔性连接。27.可选地，所述悬浮连接线为裸电线。28.可选地，所述布线包括形成在所述第一部件上的焊盘，和/或，形成在所述第二部件上的焊盘。29.可选地，所述布线包括第一金属层，所述半导体器件制造方法还包括：在去除所述载体衬底之后，暴露出所述布线的至少部分第一金属层表面，在所暴露的所述第一金属层表面上化学镀第二金属层。30.可选地，通过包括解键合、机械研磨和刻蚀中的至少一种工艺，去除所述载体衬底。31.可选地，所述封孔膜层的材料包括干膜。32.可选地，在去除所述载体衬底之后，还暴露出至少部分所述封孔膜层，在所暴露出的封孔膜层上装配待组装元件。33.可选地，所述待组装元件包括有源元件和/或无源元件。34.可选地，所述有源元件包括图像传感器晶片。35.基于同一发明构思，本发明还提供一种电子装置，包括本发明所述的半导体器件制造方法所形成的半导体器件。36.与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果之一：37.1、先在载体衬底上制作封孔膜层，并通过键合工艺将封孔膜层转移到器件衬底的第一部件上，以对第一部件的至少部分释放孔进行封孔，由此避免了直接在第一部件上形成封孔薄膜时导致第一部件锁死以及封孔材料或显影液进入半导体器件内部的风险。38.2、由于先在载体衬底上制作封孔膜层，并利用对准和键合工艺将封孔膜层转移到器件衬底的第一部件上，由此避免了直接在第一部件上形成封孔薄膜时导致第一部件和第二部件锁死在一起，以及在第一部件上封孔的精度不高或者不可靠的问题。39.3、由于在载体衬底上制作封孔膜层之前，先在载体衬底上完成包括焊盘和/或多层互连线的布线工艺，因此可以避免直接在器件衬底上实施布线工艺而带来的工艺难度，降低成本，还能避免在直接在器件衬底上实施布线工艺时第一部件和第二部件之间的牺牲材料难以释放的问题。40.4、由于在载体衬底上制作封孔膜层之前，先在载体衬底上完成布线工艺，因此可以做到多层金属布线。41.5、由于在在载体衬底上形成了布线和封孔膜层，并通过键合工艺将布线和封孔膜层同时转移到第一部件上，因此可以在第一部件上同时实现布线和释放孔封孔操作。42.6、由于在载体衬底上形成布线和封孔膜层之前，先形成临时键合层，因此可使得载体衬底可重复利用，节约成本。43.7、由于可以在两衬底键合之前先对器件衬底上的大部分牺牲材料进行释放，因此避免了在器件衬底上释放牺牲材料时需要对布线进行保护所带来的工艺难度。附图说明44.图1是现有的半导体器件制作过程中的器件剖面结构示意图。45.图2是现有的半导体器件制作过程中的一种封孔技术所对应的器件剖面结构示意图。46.图3是现有的半导体器件制作过程中的另一种封孔技术所对应的器件剖面结构示意图。47.图4至图6是现有的半导体器件制作过程中的一种金属布线工艺流程中的器件剖面结构示意图。48.图7是现有的半导体器件制作过程中布设大尺寸金属布线时的器件剖面结构示意图。49.图8至图13是本发明一实施例的半导体器件制造方法流程中的器件剖面结构示意图。50.图14至图16是本发明另一实施例的半导体器件制造方法流程中的器件剖面结构示意图。51.图17至图21是本发明又一实施例的半导体器件制造方法流程中的器件剖面结构示意图。52.图22至图27是本发明再一实施例的半导体器件制造方法流程中的器件剖面结构示意图。53.图28至图29是本发明再一实施例的半导体器件制造方法流程中的器件剖面结构示意图。54.其中的附图标记如下：55.100-第二部件，101-第一部件，102-释放孔，103-全局封孔薄膜，104-图形化的封孔薄膜，105-牺牲材料，106-底层保护层，107-金属线，108-盖帽保护层；56.200-第二部件，200a-第二释放孔，201-第一牺牲件，202-第二牺牲件，203-第一部件，204-第一释放孔；57.300-载体衬底，301-临时键合层，302-封孔膜层，303-第一金属层，303’-第二金属层，304-金属间介质层，305-上层互连结构，305a-悬浮连接线，306-种子层，307-第一刻蚀停止层，308-图形化的牺牲层，309-第二刻蚀停止层；58.400-待组装元件。具体实施方式59.下面以大尺寸微机电系统(micro-electro-mechanical system，mems)器件为例，来详细说明现有的封孔工艺以及布线工艺存在的技术问题。60.现有的mems器件制作过程中的封孔技术，主要有贴膜和沉积封孔材料这两种方法，且通常分为全局封孔和局部封孔。61.其中，请参考图1和图2，全局封孔工艺的具体过程包括：先利用一器件晶圆(未图示)和相应的牺牲材料，来制造mems器件的固定部件100和可动部件101，此时可动部件101和固定部件100之间的间隙被牺牲材料(未图示，可参考图4)填充，进一步可以在可动部件101上制作出大量的释放孔102；然后通过这些释放孔102去除可动部件101和固定部件100之间的牺牲材料，使得可动部件101相对固定部件100可动；之后，可以采用全局化薄膜沉积的方式或者全局化涂胶的方式或者采用全局化贴膜的方式，在可动部件101及其外围的固定部件100的表面上形成全局封孔薄膜103，由此将可动部件101上的各个释放孔102封闭，从而在可动部件101和固定部件100之间形成空腔结构。62.上述这种全局封孔工艺存在以下缺陷：(1)当释放孔102较大，且释放孔102的深宽比较小时，依赖薄膜沉积实现封孔较困难；(2)在可动部件101的边缘(如图2的虚线圈所标注区域)，可动部件101被全局封孔薄膜103固定锁死在固定部件100上，因此造成可动部件101难以移动的问题；(3)由于薄膜沉积之前牺牲材料已去除，在可动部件101和固定部件100之间已形成空腔，薄膜沉积或者涂胶的通道通常大于释放孔的间距，且涂胶工艺常伴随着往下压的动作，因而造成所沉积的薄膜或者所涂的胶很容易通过释放孔钻入到空腔中，很有可能造成器件内部结构损坏或者可动部件移动失效的问题；(4)可动部件相对固定部件可动，造成封孔精度不高或者不可靠的问题；(5)在某些情况下，利用全局化薄膜沉积或者全局化贴膜的方式实现封孔是不合适的，例如需要在可动部件表面上留出焊盘等等不允许封孔材料存在的区域。63.而局部封孔工艺能够满足在可动部件表面上留出焊盘等等不允许封孔材料存在的区域的需求，并能避免可动部件边缘被锁死的情况，请参考图1至图3，其具体过程包括：先采用全局化薄膜沉积的方式或者全局化涂胶的方式或者采用全局化贴膜的方式，在可动部件101及其外围的固定部件100的表面上形成全局封孔薄膜，然后，通过光刻或者光刻结合刻蚀的工艺，对该全局封孔薄膜进行图形化，形成图形化的封孔薄膜104，该图形化的封孔薄膜可以对可动部件101特定区域的释放孔102进行封孔。64.上述局部封孔工艺存在以下缺陷：(1)由于其先利用全局封孔工艺，且在释放孔102的深宽比较小时，实现封孔较困难，且封孔薄膜材料很容易通过释放孔钻入到空腔中，继而造成器件内部结构损坏或者可动部件移动失效的问题；(2)可动部件相对固定部件可动，造成封孔精度不高或者不可靠的问题；(3)当全局封孔薄膜不可以直接光刻时，需要在全局封孔薄膜上涂覆光刻胶，由于光刻胶粘性不佳，因此光刻胶涂覆和显影工艺的实施比较困难，难以实现精度较高的图形化，而当全局封孔薄膜为可以直接光刻的干膜等材料时，干膜显影后的溶液容易深入mems器件内部，继而进一步造成器件内部结构损坏或者可动部件移动失效的问题。65.此外，某些应用中，需要在可动部件上组装有源元件，这种情况下，通常需要在去除可动部件与固定部件的牺牲材料之前先进行金属布线工艺，待牺牲材料被释放后，可以利用所布设的金属线实现固定部件和可动部件之间的电性连接等。以金属布线(例如铝线)本身不耐受牺牲材料(例如二氧化硅)释放工艺，需要对金属布线实施全方位保护的金属布线工艺为例，请参考图4至图6，现有的一种mems器件制作过程中的金属布线工艺具体过程包括：首先，先利用一器件晶圆(未图示)和相应的牺牲材料，来制造mems器件的固定部件100和可动部件101，此时可动部件101和固定部件100之间的间隙被牺牲材料105填充，进一步可以在可动部件101中有大量的释放孔102，这些释放孔102仍被牺牲材料105填充；然后，在牺牲材料105、可动部件101和固定部件100的表面上形成图形化的底层保护层106，底层保护层106中形成有接触孔(未图示)；接着，通过金属溅射沉积等工艺沉积金属层，并对沉积的金属层进行光刻和刻蚀，以形成填满所述接触孔并与可动部件101电性连接或者与可动部件101和固定部件100均电性连接的金属线107；然后在金属线107的表面上形成盖帽保护层108，盖帽保护层108覆盖金属线107的表面，并暴露出相应的牺牲材料104；接着，通过可动部件102被暴露出的释放孔102去除牺牲材料105；之后，可以通过全局封孔工艺或者局部封孔工艺对可动部件102被暴露出的释放孔102进行封孔。66.上述的金属布线工艺存在以下缺陷：(1)在某些需要实现固定部件100和可动部件101之间的柔性连接的应用中，底层保护层106和盖帽保护层108会对固定部件100和可动部件101之间的金属线增加不利的刚性，因此现有技术中在去除牺牲材料104之后，还需要进一步去除底层保护层106和盖帽保护层108，因此增加了工艺的复杂性和成本；(2)请参考图7，在可动部件101上进行上述的金属布线时，当存在较大尺寸的金属结构(例如焊盘pad)107’时，该金属结构107’会侵占可动部件101上释放孔102的分布空间，对牺牲材料105的释放造成困难，如图7中的b区域中的牺牲材料105相对a区域和c区域难以去除。67.当然上述工艺中的某些问题，也存在于除mems器件以外的其他一些特殊应用的半导体器件的制造过程中。68.因此，如何避免对释放孔进行封孔，已成为本领域技术人员亟待解决的一技术问题，且如何简化金属布线工艺并降低布线成本，已成为本领域技术人员亟待解决的另一技术问题。69.基于此，为了至少解决上述的部分问题，本发明提供一种半导体器件制造方法，其先在载体衬底上制作封孔膜层，并通过键合工艺将封孔膜层转移到器件衬底的第一部件上，以对第一部件的至少部分释放孔进行封孔，由此避免了直接在第一部件上形成封孔薄膜时导致第一部件锁死以及封孔材料或显影液进入半导体器件内部的风险，保证了器件性能。70.以下结合附图8～附图29和具体实施例对本发明提出的技术方案作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。本文中“和/或”的含义是二选一或者二者兼具。71.请参考图8至图13，本发明一实施例提供一种半导体器件制造方法，具体包括以下步骤：72.s1，提供器件衬底，所述器件衬底具有第一部件、第二部件以及贯穿所述第一部件的多个第一释放孔；73.s2，提供载体衬底，在所述载体衬底上形成封孔膜层；74.s3，将所述封孔膜层键合到所述第一部件上，以至少对部分所述第一释放孔进行封孔；75.s4，去除所述载体衬底。76.请参考图8，在步骤s1中，提供一器件衬底，所述器件衬底可以是本领域技术人员所熟知的任意合适的衬底材料，其具有第一部件203、第二部件200以及贯穿所述第一部件203的多个第一释放孔204。77.本实施例中，所提供的器件衬底为mems衬底，其第一部件203为可动部件，第二部件200为固定部件，所述器件衬底还具有第一牺牲件201和第二牺牲件202，所述第一部件203的部分区域通过所述第一牺牲件201固定连接到所述第二部件200上，所述第一部件203与所述第二部件200之间的其余间隙被所述第二牺牲件202填充。78.需要说明的是，第二牺牲件202和第一牺牲件201的材质不同，需要不同的释放工艺，例如释放时所需的药剂不同，或温度不同，或时间不同等，其中，第二牺牲件202的释放工艺仅需要mems芯片自身结构耐受即可，第一牺牲件201的释放工艺还需要后续待集成/安装的其他元件/部件耐受，第一牺牲件201对应的结构需要提供足够的强度和稳定性，待第二牺牲件202释放掉后，靠第一牺牲件201固定的第一部件(即可动部件)有足够的强度和稳定性，能够用于后续其他元件/部件的集成和安装。作为一种示例，第二牺牲件202的材料例如是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等，第一牺牲件201例如是无定型碳、多晶硅、非晶硅或者锗等。79.另外，第一牺牲件201和第二牺牲件202可以通过常规的膜层生长、图形化、平坦化、回刻蚀等工艺来实现。例如，可以先在第二部件200上通过膜层生长和图形化等工艺形成第一牺牲件201，再通过膜层生长、平坦化等工艺形成覆盖第一牺牲件201的第二牺牲件202，之后再通过图形化、膜层生长、平坦化等工艺，在第二牺牲件202中形成第一部件203。再例如，可以先通过膜层生长、平坦化等工艺在第二部件200上形成一牺牲层，再通过图形化工艺对刻蚀所述牺牲层形成沟槽，并通过膜层生长在沟槽中填充第一牺牲件材料且对其回刻蚀，以在所述牺牲层中形成第一牺牲件201，之后再通过膜层生长、平坦化工艺，在所述一牺牲层和所述第一牺牲件201上覆盖另一层牺牲层，两层牺牲层构成第二牺牲件202，之后再通过图形化、膜层生长、平坦化等工艺，在第二牺牲件202中形成第一部件203。又例如，可以先在第二部件200上通过膜层生长和图形化等工艺形成第一牺牲件201，再通过膜层生长、平坦化等工艺形成一牺牲层，该牺牲层填充在第一牺牲件201之间的缝隙中，且可以与第一牺牲件201的表面齐平，然后再通过膜层生长、图形化等工艺，在第一牺牲件201、所述一牺牲层以及第二部件200上形成第一部件203，之后在后再通过膜层生长、平坦化工艺，形成另一牺牲层，所述另一牺牲层与所述一牺牲层构成第二牺牲件202，所述另一牺牲层覆盖所述第一部件203所暴露出的所述一牺牲层、所述第二部件200的表面。80.作为一种示例，请参考图8和图9，在步骤s1中，第一部件203是通过对第二牺牲件202进行图形化并进行材料填充形成，第一部件203之间的间隙即作为第一部件203中的第一释放孔204，在将器件衬底与后续的载体衬底键合之前，可以先通过第一释放孔204以及第一部件203边缘和第二部件200之间的缝隙去除(释放)第二牺牲件202。81.作为另一种示例，请参考图8和图9，在步骤s1中，当在器件衬底中制作出第一部件203后，可以通过光刻、刻蚀等工艺对第一部件203进行开孔至暴露出下方的第二牺牲件202的表面，以形成大量的第一释放孔204，然后在将器件衬底与后续的载体衬底键合之前，可以先通过第一释放孔204以及第一部件203边缘和第二部件200之间的缝隙(也可以看作是一种第一释放孔)去除(释放)第二牺牲件202。82.本实施例中，第二牺牲件202被释放(去除)后，第一部件203和第二部件200之间的空间大部分被掏空，但是由于第一牺牲件201的临时支撑/连接结构存在，第一部件203作为可动部件，仍能相对第二部件200不可动，从而有利于后续载体衬底的键合以及封孔膜层的精准封孔。83.请参考图10，在步骤s2中，首先，提供一载体衬底300，载体衬底300的材料可以是本领域技术人员所熟知的任意合适的衬底材料，例如裸硅衬底、玻璃衬底或者陶瓷衬底等等。然后，在载体衬底300的全局表面上贴一层临时键合层301；接着，通过点胶、涂覆、图案印刷或者贴膜等工艺，在临时键合层301上形成封孔膜层302，当需要封孔膜层302对第一部件203局部封孔，但此处形成的封孔膜层302却对临时键合层301全局覆盖时，可以进一步通过光刻等图形化方式，去除多余的封孔膜层，以在特定区域形成具有粘接功能且图形化的封孔膜层302，其他区域不允许留存封孔膜材料，例如与第一部件203上的焊盘区域、第一部件203和第二部件200交界处等区域。封孔膜层302在键合到器件衬底上之前是膜结构，而非液态的胶体，其材质例如为结构胶或者干膜等。且由于封孔膜层302是在载体衬底300上形成的，因此其上表面和下表面均非常平坦，有利于后续工艺的进行，例如有利于在步骤s4之后在封孔膜层302上装配其他待组装元件。其中，所述临时键合层301包括热可解键合膜、光可解键合膜、电可解键合膜或者化学可解键合膜；所述热可解键合膜为通过加热可以解除与载体衬底300临时键合的膜层，所述光可解键合膜为通过光照可以解除与载体衬底300临时键合的膜层，例如，当载体衬底300为透光衬底(例如玻璃衬底，)时，临时键合层301还可以为例如lthc(light-to-heat conversion,光热转换)层或紫外双面胶等光可解键合膜；所述电可解键合膜为通过加电可以解除与载体衬底300临时键合的膜层；所述化学可解键合膜为通过化学液渗入或浸泡可以解除与载体衬底300临时键合的膜层。84.请继续参考图10，在步骤s3中，可以通过常规的键合工艺，将所述封孔膜层302键合到所述第一部件203上，封孔膜层302能够至少对第一部件203的部分第一释放孔204进行封孔。在该过程中，由于第一牺牲件201的存在，第一部件203不可动，因此可以实施基于精确定位的键合，封孔膜层302粘接到第一部件203的指定区域上，且由于封孔膜层302在键合到器件衬底上之前是膜结构，而非液态的胶体，因此在键合过程中不会渗入到器件衬底内部，即不会通过第一部件203上的第一释放孔204进入到第一部件203和第二部件200之间的空腔中。85.请参考图11，在步骤s4中，根据临时键合层301的性质，选择合适的解键合工艺来去除所述临时键合层301和载体衬底300，以暴露出封孔膜层302。例如，当使用热可解键合膜作为临时键合层301时，在步骤s4中，可以通过加热的方式，使得临时键合层301失去粘性，继而载体衬底300能够很容易地被剥离下来。此外，当封孔膜层302为干膜时，临时键合层301的热解还可以同时对封孔膜层302进行一定程度的固化。再例如，当使用光可解键合膜作为临时键合层301时，通过激光解键合方式，使得临时键合层301失去粘性，继而载体衬底300能够很容易地被剥离下来。86.之后，请参考图12和图13，可以通过封孔膜层302暴露出的第一释放孔204去除第一牺牲件201，并在封孔膜层302上组装其他待组装元件400。待组装元件400可以是有源元件，也可以是无源元件，还可以同时具有有源元件和无源元件，其中有源元件例如是图像传感器晶片等，无源元件例如是电阻、电容或者电感等。87.需要说明的是，上述实施例的技术方案仅仅作为本发明的技术方案的具体举例，并不表明本发明的技术方案仅仅限定于此，本领域技术人员可以根据需要对该方案的步骤进行增减，这同样也属于本发明技术方案所要求保护的技术范围之内。88.例如，上述实施例因为需要对第一部件203进行局部封孔，因此在步骤s2中对封孔膜层302进行了图形化并暴露出第一部件203上需要暴露出的第一释放孔204，但是在本发明的其他实施例中，如果在同一器件衬底的多个器件区域均形成了相应的第一部件203，第一部件203之间相互间隔开(例如通过切割道间隔开)，且需要对每个器件区域中的第一部件203进行全局封孔，则在步骤s2中可以对封孔膜层302进行简单地图形化时，使得封孔膜层302在对应于相邻两器件区域的间隔区的位置相互断开(例如去除对应于切割道区域的封孔膜层302)，且使得对应每个器件区域中的封孔膜层302能用于对该器件区域的第一部件203的表面进行全面覆盖，以在器件衬底和载体衬底键合后，每个器件区域的第一部件203上的所有第一释放孔204均被封孔。89.再例如，上述实施例中，由于在步骤s2中使用了临时键合层301，因此在步骤s4中可以通过解除临时键合的方式去除载体衬底300，但是在本发明的其他实施例中，也可以在步骤s2中省略临时键合层301的形成，在步骤s4中通过机械研磨和/或刻蚀等工艺，去除所述载体衬底300。作为一种示例，先对载体衬底300进行背面研磨，然后再进行湿法腐蚀，来去除载体衬底300，并避免损伤封孔膜层302，以保证封孔膜层302上表面的平坦度。90.又例如，上述实施例中，因为只有第一部件203上设有能够释放第一牺牲件201和第二牺牲件202的第一释放孔204，第一部件203边缘和第二部件200之间有缝隙，因此上述实施例才通过第一部件203上的第一释放孔204以及第一部件203边缘和第二部件200之间的缝隙(可以看作是一种第一释放孔)，在步骤s1中去除第二牺牲件202以及在步骤s4中去除第一牺牲件201，但在本发明的其他实施例中，作为一种示例，请参考图28和图29，在步骤s1中，第一部件203边缘和第二部件200之间有缝隙，第一部件203上形成有第一释放孔204，且进一步在第二部件200上形成了第二释放孔200a，第二释放孔200a贯穿第二部件200，并暴露出第二牺牲件202的部分表面，由此，可以在步骤s1中通过第一释放孔204、第二释放孔200a以及第一部件203边缘和第二部件200之间的缝隙(可以看作是一种第一释放孔)共同去除第二牺牲件202，在步骤s4中通过第一释放孔204、第二释放孔200a以及第一部件203边缘和第二部件200之间的缝隙(可以看作是一种第一释放孔)共同去除第一牺牲件201；作为另一种示例，在步骤s1中，第一部件203边缘和第二部件200之间有缝隙(可以看作是一种第一释放孔)，第一部件203上形成有第一释放孔204，且通过第一释放孔204以及第一部件203边缘和第二部件200之间的缝隙共同去除第二牺牲件202，在步骤s3中对第一部件203进行全局封孔且保留了第一部件203边缘与第二部件200之间的缝隙(可以看作是一种第一释放孔)，在步骤s4中仅通过第一部件203边缘与第二部件200之间的缝隙去除第一牺牲件201。91.上述实施例中，由于需要在后续步骤s4中去除载体衬底300之后，继续在第一部件203上组装其他元件，因此在步骤s3中形成的封孔膜层302是具有双面粘性的，其利用封孔膜层302的粘性，在去除载体衬底300后继续在封孔膜层302上组装其他元件，但是在本发明的其他实施例中，当在后续步骤s4中去除载体衬底300之后，不需要继续在第一部件203上组装其他元件时，封孔膜层302可以是全固化的且被暴露的表面没有粘性。92.另外，应当注意的是，上述实施例中，不需要在第一部件203上实现布线，因此在载体衬底300上仅制作的封孔膜层，但是在本发明的其他实施例中，当需要在第一部件203上实现布线时，可以在步骤s2中，在制作封孔膜层302之前，先在载体衬底300上形成第一部件203上所需的布线，之后将布线和封孔膜层302一同转移到第一部件203上。该布线的全部区域可以是导电的，也可以是非导电的，还可以一部分区域的布线是导电的。另一部分区域的布线是非导电的。因此，在载体衬底300上形成的布线可以包括焊盘、第一部件和第二部件之间的连接线、用于将第一部件向外电性引出的导线等中的至少一种结构，所述焊盘包括形成在所述第一部件上的焊盘，和/或，形成在所述第二部件上的焊盘。93.请参考图14至图16，本发明的另一实施例提供一种半导体器件的制造方法，其也包括上述的步骤s1～s4，与上一实施例相比，其步骤s1、s3和s4的具体过程基本相同，主要区别在于，在步骤s2中在形成临时键合层301之后且在形成封孔膜层302之前，先在在临时键合层301上形成了布线。94.具体地，本实施例的具体过程如下：95.请参考图15，在步骤s1中，按照上一实施例的方法，提供一器件衬底，其具有第一部件203、第二部件200、第一牺牲件201以及贯穿所述第一部件203的多个第一释放孔204。所述第一部件203的部分区域通过所述第一牺牲件201固定连接到所述第二部件200上。96.请参考图14，在步骤s2中，首先，在提供的载体衬底300上形成临时键合层301，然后，在临时键合层301上可以实施单层或者多层布线，且所述布线可以包括焊盘、第一部件203和第二部件200之间的连接线、用于将第一部件203向外电性引出的导线等中的至少一种结构，所述焊盘包括形成在所述第一部件203上的焊盘，和/或，形成在所述第二部件200上的焊盘。所述布线中待露出的焊盘或者走线面朝临时键合层301，布线中待作为悬浮连接线305a的部分直接形成在临时键合层301上。作为一种示例，以形成具有双层金属互连线的布线为例，在步骤s2中形成具有多层互连线的布线的具体过程包括：97.(1)，在临时键合层301上形成图形化的第一金属层303，作为第一层金属互连线，该图形化的第一金属层303可以是焊盘，也可以是金属走线，所述焊盘包括形成在所述第一部件203上的焊盘，和/或，形成在所述第二部件200上的焊盘。其中，一种形成图形化的第一金属层303的方法是，先在临时键合层301表面上沉积第一金属层303，然后对所述第一金属层303进行光刻和刻蚀，以形成图形化的第一金属层303；另一种形成图形化的第一金属层303的方法是，先在临时键合层301的表面上形成种子层(未图示，可以参考图17中306所示)，然后在种子层上形成图案化的光刻胶层(未图示)，接着，在图案化的光刻胶层及其暴露出的种子层上沉积金属材料，并通过金属剥离工艺，去除所述图案化的光刻胶层的同时，去除光刻胶层上的金属材料，由此在光刻胶暴露出的种子层区域上形成图形化的第一金属层303。98.(2)，通过重布线工艺或者多层金属互连工艺等，在第一金属层303及其外围的部分区域上形成金属间介质层304、导电插塞(未图示)以及上层互连结构305，上层互连结构305在垂直于载体衬底300表面的方向上可以具有至少一层金属互连线。上层互连结构305中每层金属互连线的形成过程具体为，先沉积金属间介质层304，并刻蚀金属间介质层304，以去除多余的金属间介质层304，并在剩余的金属间介质层304中形成暴露出部分下层金属互连线(例如是第一金属层303)的表面的通孔(未图示)，接着沉积新的金属层并光刻、刻蚀该新的金属层，以形成新的一层图形化的金属互连线，此时，填充在通孔中的新的金属层用作导电插塞，实现金属间介质层304上表面上的金属互连线与下层金属互连线之间的电性连接。在本发明的其他实施例中，当金属间介质层304中的通孔较深时，也可以通过导电材料填充通孔并平坦化等工艺，形成填充在通孔中的导电插塞，然后在导电插塞、金属间介质层304及暴露出的区域表面上沉积新的金属层，并对新的金属层进行光刻和刻蚀，以形成新的一层图形化的金属互连线。也就是说，在上层互连结构305中，上下相邻两层互连线之间以及上层互连结构305与第一金属层303之间均通过相应的导电插塞电性连接，以及，下相邻的两层互连线之间的其他区域以及上层互连结构305与第一金属层303之间其他区域均通过相应的金属间介质层绝缘隔离开。99.请参考图14，在步骤s2中，在形成布线之后，可以按照上一实施例的方法，在上层互连结构305的部分区域上形成封孔膜层302，该封孔膜层302暴露出上层互连结构305待作为悬浮连接线305a的部分。100.请参考图15，在步骤s3中，可以按照上一实施例的方法，将封孔膜层302键合到第一部件203的相应区域上，实现对第一部件203的部分第一释放孔204封孔。101.请参考图16，在步骤s4中，通过解键合方式去除临时键合层301以及载体衬底300，并可以按照上一实施例的方法，进一步去除第一牺牲件201。102.需要说明的是，本实施例中在步骤s2中形成的布线中的上层互连结构305中用作悬浮连接线305a的部分的一端与第一部件203对准，并通过相应的封孔膜层302固定连接到第一部件203上，另一端与第二部件200对准，并通过相应的封孔膜层302固定连接到第二部件2003上，由此在步骤s4中，在去除临时键合层301以及载体衬底300，上层互连结构305中用作悬浮连接线305a的部分悬浮，形成为悬浮连接线305a，能够实现第一部件203和第二部件200之间的柔性连接。可选地，所述悬浮连接线305a为裸电线，以尽可能地增大柔性。进一步可选地，所述悬浮连接线为弹簧线。此外，上述形成布线的过程中，可以用其他合适的布线材料来替代金属，以形成所需的布线。而且，在上述布线过程中，可以应用一些辅助膜层，例如聚酰亚胺(pi)、氧化硅、氮化硅等作为蚀刻阻挡层、钝化层等功能膜层。当使用热可解键合膜作为临时键合层301时，上述布线过程中所形成的所有膜层及对各膜层处理的相关工艺均需要在临时键合层301耐受范围内的低温环境中实现。103.本实施例的半导体器件的制造方法，一方面，由于事先在载体衬底上制作第一部件上所需的布线，因此无需在第一部件上为布线让出第一释放孔的位置和面积，进而可以在第一部件上大面积均匀密布第一释放孔，降低了第二牺牲件的释放难度；另一方面，由于在键合载体衬底之前，先去除了第二牺牲件，且布线形成在载体衬底上，因此取消现有技术中为保护布线而在布线表面上实施的保护膜层和及其形成工艺，降低了半导体器件制造的难度和复杂性；此外，可以通过相对简单的工艺形成悬浮连接线，实现第二部件和第一部件之间的柔性连接，且避免会对悬浮连接线增加不利的刚性。104.请参考图17至图21，本发明的又一实施例提供一种半导体器件的制造方法，其也包括上述的步骤s1～s4，与图14至图16所示的实施例相比，其步骤s1～s3的具体过程基本相同，主要区别在于，在步骤s4中，在去除载体衬底300和临时键合层301之后，暴露出所述布线的至少部分第一金属层表面，并在所暴露的所述第一金属层表面上化学镀第二金属层。105.本实施例的半导体器件的制造方法，具体过程如下：106.请参考图19，在步骤s1中，按照上一实施例的方法，提供一器件衬底，其具有第一部件203、第二部件200、第一牺牲件201以及贯穿所述第一部件203的多个第一释放孔204。所述第一部件203的部分区域通过所述第一牺牲件201固定连接到所述第二部件200上。107.请参考图17和图18，在步骤s2中，首先，在提供的载体衬底300上依次形成临时键合层301和种子层306，所述种子层306可以包括钛、钽、铜、金、钨、铝等中的至少一种；然后，在种子层306上形成图案化的光刻胶层(未图示)；接着，在图案化的光刻胶层及其暴露出的种子层306上沉积金属材料(例如包括铜、金、钨、铝、镍、锡等中的至少一种)，并通过金属剥离工艺，去除所述图案化的光刻胶层的同时，去除光刻胶层上的金属材料，由此在光刻胶暴露出的种子层306区域上形成图形化的第一金属层303，图形化的第一金属层303可以包括焊盘或者单层金属布线，所述焊盘包括形成在所述第一部件203上的焊盘，和/或，形成在所述第二部件200上的焊盘；然后，以图形化的第一金属层303为掩膜，刻蚀所述种子层306，以形成图形化的种子层306。108.请参考图18，在步骤s2中，在形成图形化的种子层306之后，可以按照上一实施例的方法，在图形化的第一金属层303的至少部分区域上形成封孔膜层302。109.请参考图19，在步骤s3中，可以按照上一实施例的方法，将封孔膜层302键合到第一部件203的相应区域上，实现对第一部件203的部分第一释放孔204封孔。110.请参考图19和图20，在步骤s4中，首先，可以按照上一实施例的方法，通过解键合方式去除临时键合层301以及载体衬底300，以暴露出所述种子层306，且进一步去除第一牺牲件201；然后通过湿法刻蚀或干法刻蚀的方式去除种子层306，以暴露出所述第一金属层303的表面，。然后，通过化学镀工艺，在暴露出的所述第一金属层303表面上化学镀第二金属层303’，所述第二金属层303’的材质可以不同与第一金属层303，例如包括镍和/或金，所述第二金属层303’可以是单层金属，也可以是多层金属堆叠而成的结构。111.在本实施例中，在步骤s2中，通过金属剥离工艺形成图形化的第一金属层，工艺简单，且在步骤s4中，在去除所述载体衬底和临时键合层之后，所述种子层可以在去除第一牺牲件的过程中保护第一金属层，且在去除第一牺牲件后在第一金属层上通过化学镀工艺形成第二金属层，该化学镀工艺使得第二金属层仅在第一金属层被暴露表面上生长，避免影响器件的其他部分，并保证第一部件上所需的布线的电学性能。112.请参考图22至图27，本发明的再一实施例提供一种半导体器件的制造方法，其也包括上述的步骤s1～s4，与图14至图16所示的实施例相比，其步骤s1、s3的具体过程基本相同，主要区别在于，在步骤s2中，取消了临时键合层的使用，并在形成封孔膜层之前，先依次形成第一刻蚀停止层、图形化的牺牲层以及图形化的第二刻蚀停止层堆叠而成的结构；在步骤s4中，在去除载体衬底之后，在依次去除第一刻蚀停止层、至少部分图形化的牺牲层以及第二刻蚀停止层。113.本实施例的半导体器件的制造方法，具体过程如下：114.请参考图24，在步骤s1中，按照上一实施例的方法，提供一器件衬底，其具有第一部件203、第二部件200、第一牺牲件201以及贯穿所述第一部件203的多个第一释放孔204。所述第一部件203的部分区域通过所述第一牺牲件201固定连接到所述第二部件200上。115.请参考图22和图23，在步骤s2中，首先，在提供的载体衬底300上依次形成第一刻蚀停止层307，第一刻蚀停止层307对载体衬底300全局覆盖，其材质可以包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种；然后，在第一刻蚀停止层307上通过薄膜沉积、光刻和刻蚀，形成图案化的牺牲层308，所述图案化的牺牲层308中具有用于定义布线的开口(未图示)，所述图形化的牺牲层308的材质不同于第一刻蚀停止层307和后续待形成的第二刻蚀停止层，可以是本领域技术人员所熟知的任意合适的材料，例如包括无定型碳、多晶硅、非晶硅、锗等中的至少一种；接着，在图形化的牺牲层308上，通过薄膜沉积、光刻和刻蚀等工艺，形成图形化的第二刻蚀停止层309，所述图形化的第二刻蚀停止层309以是本领域技术人员所熟知的任意合适的材料，可选地，图形化的第二刻蚀停止层309材质为绝缘介质，其材质可以与第一刻蚀停止层307相同，也可以不同，本实施例中，图形化的第二刻蚀停止层309的图案与待形成的布线图案相同；之后，通过上述任一实施例中所述的布线形成方法，在图形化的第二刻蚀停止层309上实施单层布线或者多层布线，本实施例中实施单层布线，以形成图形化的第一金属层303，图形化的第一金属层303可以包括焊盘或者单层金属布线，所述焊盘包括形成在所述第一部件203上的焊盘，和/或，形成在所述第二部件200上的焊盘。116.请继续参考图23，在步骤s2中，在形成图形化的第一金属层303之后，可以按照上述任一实施例的方法，在图形化的第一金属层303的至少部分区域上形成封孔膜层302，本实施例中，一部分封孔膜层302用于在后续与第二部件200键合，一部分封孔膜层302用于在后续与第一部件203键合，且这两部分封孔膜层302相互分离开来。117.请参考图24，在步骤s3中，可以按照上述任一实施例的方法，将相应的封孔膜层302键合到第一部件203的相应区域上，实现对第一部件203的部分第一释放孔204封孔。本实施例中，还有一部分封孔膜层302与第二部件200键合。本步骤中，基于精确定位的键合，封孔膜层302均能粘接到指定的区域，且由于封孔膜层302是膜结构而非液体的胶结构，因此不容易渗入器件衬底的内部。118.请参考图25至图27，在步骤s4中，首先，可以通过机械研磨和/或背面刻蚀的方式，将载体衬底300去除，如以暴露出第一刻蚀停止层307，如图25所示；然后，通过干法刻蚀的方式去除第一刻蚀停止层307以及图形化的牺牲层308暴露出的第二刻蚀停止层309，如图26所示；接着，去除图形化的牺牲层308，如图26所示，并进一步去除第一牺牲件201，如图27所示。119.本实施例的半导体器件的制造方法，同样可以实现所述第一部件所需的封孔膜层以及布线，且不会因封孔膜层和布线的成型工艺对器件性能造成不良影响。120.需要说明的是，首先，上述各实施例中，第一牺牲件的去除均是在去除所述载体衬底之后进行的，但是本发明的技术方案并不仅仅限定于此，在本发明的其他实施例中，也可以在将所述封孔膜层键合到所述第一部件上之后且在去除所述载体衬底之前，通过所述第二部件上的第二释放孔和/或所述封孔膜层所暴露出的第一释放孔，去除所述第一牺牲件。其次，上述各实施例中，由于封孔膜层的键合面是具有粘性的，因此可以直接键合到第一部件上，但是本发明的技术方案并不仅仅限定于此，在本发明的其他实施例中，封孔膜层的键合面是不具有粘性的，可以进一步在封孔膜层上涂键合胶，进而通过该键合胶将封孔膜层键合到第一部件上，这种情况下，由于键合胶是涂在封孔膜层上的，用量相对较少，且封孔膜层能够在键合时精准地贴在第一部件的指定区域上，因此也能避免了键合胶在键合时进入器件衬底内部的问题。121.请参考图8至图29，基于同一发明构思，本发明一实施还提供一种电子装置，包括上述任一实施例所述的半导体器件制造方法所形成的半导体器件，所述半导体器件包括器件衬底、封孔膜层302，所述器件衬底具有第一部件203、第二部件200以及贯穿所述第一部件203的多个第一释放孔204，所述封孔膜层302至少键合到所述第一部件203上，以至少对部分所述第一释放孔204进行封孔。作为一种示例，所述封孔膜层302的材料包括干膜。122.可选地，所述第一部件203为可动部件，第二部件200为固定部件，所述第二部件200和所述第一部件203的边缘之间设有缝隙，所述第一部件203能相对所述第二部件200可动。123.可选地，所述第一部件203与所述第二部件200至少部分交叠，且所述第一部件203与所述第二部件200在交叠区域形成空腔。124.可选地，所述第二部件200上设置有第二释放孔200a。125.可选地，所述半导体器件还包括键合在所述第一部件203上的布线，其中，所述布线可以包括单层结构和/或互连结构。126.作为一种示例，所述布线包括连接所述第二部件200与所述第一部件203的悬浮连接线。可选地，所述第二部件200与所述第一部件203通过所述悬浮连接线柔性连接。作为一种示例，所述悬浮连接线为裸电线。127.作为另一种示例，所述布线包括形成在所述第一部件203上的焊盘，和/或，形成在所述第二部件200上的焊盘。128.作为又一种示例，所述布线包括第一金属层以及在所述第一金属层表面上通过化学镀工艺形成的第二金属层。129.可选地，所述半导体器件还包括装配到所述封孔膜层302上的待组装元件400。作为一种示例，所述待组装元件400包括有源元件和/或无源元件，所述有源元件包括图像传感器晶片。130.此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。131.可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。132.而且还应该理解的是，本发明并不限于此处描述的特定的方法、材料、制造技术、用法和应用，它们可以变化。还应该理解的是，此处描述的术语仅仅用来描述特定实施例，而不是用来限制本发明的范围。必须注意的是，本技术文件中使用的单数形式“一个”、“一种”、“一层”以及“该”包括复数基准，除非上下文明确表示相反意思。因此，例如，对“一个步骤”的引述意味着对一个或多个步骤的引述，并且可能包括次级步骤。应该以最广义的含义来理解使用的所有连词。因此，词语“或”应该被理解为具有逻辑“或”的定义，而不是逻辑“异或”的定义，除非上下文明确表示相反意思。此处描述的结构将被理解为还引述该结构的功能等效物。可被解释为近似的语言应该被那样理解，除非上下文明确表示相反意思。