微机电系统声波转换器的制作方法

1.本发明实施例涉及一种微机电系统声波转换器。背景技术：2.随着电子和信息产业的快速发展，多媒体播放器设备也朝越来越小型化和便携化而发展。例如，电子便携式媒体播放器(pmp)或数字音频播放器(dap)即是一种可以存储和播放多媒体文件的便携式电子设备。上述设备都需要扬声器来播放声音，但是现有的扬声器结构和制造技术不利于集成到需要轻薄短小的多媒体播放设备中。为了弥补这种不足，开发了以下技术手段。技术实现要素：3.本发明之一态样提供了一种声波转换器。所述声波转换器包含第一板、间隔层以及在所述第一板和所述间隔层之上的第二板。所述第一板包含载板、第一衬底层和第一金属层。在所述载板的中央区域中形成有第一开口。所述第一衬底层位于所述载板上以及所述第一开口上方。所述第一金属层位于所述第一衬底层上。所述间隔层位于所述第一板上并围绕所述中央区域。所述第二板包含第二衬底层、位于所述间隔层上的第二金属层、以及贯穿所述第二衬底层与所述第二金属层的多个第二开口。4.本发明之另一态样提供了一种声波转换器模块。所述声波转换器模块包含第一声波转换器、第一封胶壁、顶盖和第一信号处理单元。所述第一声波转换器包含第一底板、第一间隔层和第一顶板。所述第一底板包含第一玻璃层、形成在所述第一玻璃层的中央区域中的第一开口、位于所述第一玻璃层上且位于所述第一开口上方的第一衬底层、以及位于所述第一衬底层上的第一金属层。所述第一间隔层位于所述第一底板上并围绕所述第一玻璃层的中央区域。所述第一顶板具有多个第二开口。所述第一顶板还包含位于所述第一间隔层上的第二衬底层和第二金属层。所述第一封胶壁位于所述第一声波转换器的所述第一底板上。所述顶盖位于所述第一封胶壁上。所述第一信号处理电路耦接所述第一金属层与所述第二金属层。附图说明5.从结合附图来阅读的以下具体实施方式最好理解本公开的方面。应注意，根据行业标准做法，各种构件未按比例绘制。事实上，为使论述清楚，可任意增大或减小各种构件的尺寸。6.图1是本揭示的用于形成微机电(microelectromechanical；mems)麦克风的方法实施例的流程图。7.图2a是本揭示根据形成mems麦克风的方法在制造阶段mems麦克风的实施例的俯视图，图2b是沿图2a的线i-i'截取的截面图，图2c是沿图2a的线ii-ii'截取的截面图。8.图3a是在图2a的阶段之后的制造阶段的mems麦克风的俯视图，图3b是沿图3a的线i-i'截取的截面图，图3c是沿图3a的线ii-ii'截取的截面图。9.图4a是在图3a的阶段之后的制造阶段的mems麦克风的俯视图，图4b是沿图4a的线i-i'截取的截面图，图4c是沿图4a的线ii-ii'截取的截面图。10.图5a是在图4a的阶段之后的制造阶段的mems麦克风的俯视图，图5b是沿图5a的线i-i'截取的截面图，图5c是沿图5a的线ii-ii'截取的截面图。11.图6a是在图5a的阶段之后的制造阶段的mems麦克风的俯视图，图6b是沿图6a的线i-i'截取的截面图，图6c是沿图6a的线ii-ii'截取的截面图。12.图7是绘示本揭示包含压电式(piezoelectric-based)mems麦克风的声波转换器的实施例的示意图。13.图8是绘示本揭示包含压电式mems麦克风的声波转换器的实施例的示意图。14.图9a是本揭示的电容式mems麦克风的实施例的前视图，图9b是图9a中电容式mems麦克风的后视图。15.图10是本揭示的电容式mems麦克风的实施例的示意分解图。16.图11是本揭示的电容式mems麦克风的实施例的示意分解图。17.图12是本揭示的电容式mems麦克风的实施例的示意截面图。18.图13是本揭示的电容式mems麦克风的实施例的示意分解图。19.图14是本揭示的电容式mems麦克风的实施例的示意截面图。20.图15是本揭示的电容式mems麦克风的实施例的示意截面图。21.图16是本揭示的电容式mems麦克风的实施例的示意截面图。22.图17是本揭示的电容式mems麦克风的实施例的示意截面图。23.图18是本揭示的电容式mems麦克风的实施例的示意截面图。24.图19a是绘示本揭示包含电容式mems麦克风的声波转换器的实施例的示意图，图19b是图19a的声波转换器俯视图。25.图20是绘示本揭示包含mems麦克风的声波转换器的实施例的示意图。26.图21是绘示本揭示包含mems麦克风的声波转换器的实施例的示意图。27.图22是绘示本揭示声波转换器模块的实施例的示意图。28.图23是本揭示的声波转换器模块的实施例的俯视图。具体实施方式29.在以下详细描述中，阐述了许多具体细节以提供对本公开的透彻理解。然而，本领域技术人员应可理解，可以在没有这些具体细节的情况下，实施本发明。在其他情况下，为避免混淆本发明，众所周知的方法、过程、组件和电路未予赘述。30.本发明提供了多种用于实现膜片的实施例，与声波转换器中使用的其他类型的mems麦克风相比，所述膜片具有显著的性能优势。31.下文详细讨论本揭示实施例的制作和使用。然而，应当理解的是，本文所提供的目标提供了许多可应用的发明概念，这些概念可以具体表现在各式各样的特定上下文中。本文讨论的特定实施例仅是说明性的，因此旨不在限制所提供目标的范围。32.参考图1，图1表示根据本揭示之态样的用于形成mems麦克风的方法10。方法10可用于形成不同类型的mems麦克风。例如，在一些实施例中，方法10是用于形成压电式mems麦克风的方法。方法10包含多个操作步骤(11、12、13、14和15)。将根据一或多个实施例进一步描述方法10。应当注意，可以在各个态样的范围内重新安排或以其他方式修改方法10的操作。还应注意，可以在方法10之前、之间和之后提供额外的过程，并且在此一些其他过程可能仅作简要描述。因此，在本文描述的各个态样的范围内，可能会有其他实施方式。33.图2a到2c是根据本揭示一些实施例的用于形成mems麦克风之方法在各个阶段的mems麦克风(即，压电式mems麦克风)示意图。在步骤11，参考图2a，接收一载板102。在一些实施例中，载板102可以是玻璃，但本揭示不限于此。例如，作为载板102的材料，可以使用石英或由玻璃纤维增强塑料(fiberglass-reinforced plastics，frp)、聚氟乙烯(polyvinyl fluoride，pvf)、聚酯、丙烯酸等制成的塑料。载板102的形状可以根据不同的产品需求进行调整。例如，但不限于此，载板102可以具有矩形形状，如图2a所示。在一些实施例中，载板102具有一致的厚度。在一些替代实施例中，载板可以具有厚度梯度，这将在以下说明中进行描述。34.参考图3a至3c，在步骤12中，在载板102上形成一导电材料并图案化以形成一第一导电层104。在一些实施例中，可以图案化第一导电层104并限定第一导电层104具有一传感部分104s和一连接部分104e，如图3a所示。传感部分104s耦接连接部分104e。传感部分104s的形状可根据不同的产品需求进行调整。例如，但不限于此，第一导电层104的传感部分104s可以具有矩形形状，如图3a所示。此外，如图3a至图3c所示，载板102的一部分经由第一导电层104暴露出来。35.参考图4a至图4c，在步骤13中，形成一压电材料并图案化所述压电材料以在第一导电层104上形成一压电层106。压电材料可以包含聚(偏二氟乙烯)(pvdf)或共聚物、聚(偏二氟乙烯-co-三氟乙烯、p(vdf-trfe))等铁电性聚合物之类的有机柔性材料或pzt之类的无机柔性材料如石英、单晶石英或任何其他合适的压电材料，如氮化铝(aln)、氧化锌(zno)、硫化镉(cds)、钛酸铅(pbtio3)、锆钛酸铅(pzt)、铌酸锂(linbo3)、钽酸锂(litao3)、铌酸钾(knbo3)、四硼酸锂(li2b4o7，ltb)、硅酸镓镧(langasite，la3ga5sio14)、砷化镓(gaas)、铌酸钠(ba2nanb5o15)、铋锗氧化物(bi12geo20，bgo)、砷化铟(inas)、锑化铟(insb)、或其他非中心对称材料，以实质上纯粹形式或与一或多种额外材料组合。压电层106的厚度介于约2微米至约30微米之间，但本揭示不限于此。在一些实施例中，形成压电层106为覆盖第一导电层104的传感部分104s的一部分以及载板102的一部分，如图4a和图4b所示。36.参考图5a至5c，在步骤14中，形成另一种导电材料并图案化所述导电材料以在压电层106上形成一第二导电层108。在一些实施例中，可以图案化第二导电层108并限定第二导电层108为具有一传感部分108s和一连接部分108e，如图5a所示。传感部分108s耦接连接部分108e。再者，如图5a所示，第二导电层108的传感部分108s与第一导电层104的传感部分104s重迭，且载板102的部分经由第一导电层104暴露出来。在一些实施例中，第一导电层104与第二导电层108可包含相同的材料，但本揭示不限于此。在一些实施例中，第一导电层104的厚度与第二导电层108的厚度可以相近，但本揭示不限于此。此外，第二导电层108的传感部分108s的形状可与第一导电层104的传感部分104s的形状相似，但本揭示不限于此。37.参考图6a至6c，在步骤15中，在载板102中形成一通孔109。在一些实施例中，通孔109的形状可以对应于第一导电层104的传感部分104s和第二导电层108的传感部分108s。例如，通孔109可以具有矩形形状，但本揭示不限于此。在一些实施例中，如图6a至6c所示，通孔109的宽度小于第一导电层104的传感部分104s的一宽度且小于第二导电层108的传感部分108s的一宽度。类似地，通孔109的一长度小于第一导电层104的传感部分104s的一长度且小于第二导电层的传感部分108s的一长度。此外，第一导电层104的传感部分104s的一部分经由通孔109暴露出来。38.因此，得到压电式mems麦克风100。第一导电层104的传感部分104s、压电层106和第二导电层108的传感部分108s是压电式mems麦克风100的可移动式组件。第一导电层104的连接部分104e和第二导电层108的连接部分108e提供与其他装置的电气连接，例如信号处理单元或特殊应用集成电路(application specific integrated circuit，asic)，但本揭示不限于此。另一方面，可以在载板102上使用用于形成薄膜晶体管(thin-film transistor，tft)的操作来形成每种材料或每个层。因此，可以容易地将方法10集成在tft或半导体制造操作中。因此，可以缩小压电式mems麦克风100的尺寸，同时提高良率。39.请参考图7，图7为根据本揭示一些实施例的声波转换器200a的示意图。在一些实施例中，将压电式mems麦克风100集成在声波转换器200a中。声波转换器200a可以包含一衬底202，例如玻璃衬底。或者，衬底202可以由石英、由玻璃纤维增强塑料(frp)、聚氟乙烯(pvf)、聚酯、丙烯酸等制成的塑料构成。在一些实施例中，衬底202可以用来作为压电式mems麦克风100的载板102。在这样的实施例中，图6a至6c所示的通孔109是图7所示的通孔203。40.压电式mems麦克风100位于衬底202上，并经由一接线206电气连接一芯片204。在一些实施例中，芯片204可以是信号处理单元或asic，但本揭示不限于此。此外，经由形成在衬底202上方的一线路208将芯片204与另一个装置电气连接。一盖或顶盖210位于衬底202上方并藉由一封胶212将盖或顶盖210固定到衬底202。封胶212可以是环氧基树脂。这种是较佳地材料，它会尽可能不让水分和氧气渗透封胶212。此外，封胶212的厚度可限定顶盖210与衬底202之间的距离，但本揭示不限于此。41.在一些实施例中，一异向性导电膜(anisotropic conductive film，acf)214可用于提供声波转换器200a与另一个装置之间的电气连接。42.请参考图8，图8为根据本揭示一些实施例的声波转换器200b的示意图。应当理解的是，在图7和图8中相同的组件以相同的标号来表示，并且为了简洁起见可以省略重复的细节。在一些实施例中，将压电式mems麦克风100集成在声波转换器200b中。与声波转换器200a不同的是，声波转换器200b具有贯穿盖或顶盖210的一通孔211，如图8所示。43.在一些实施例中，通孔211可能会从压电式mems麦克风100偏移，但本揭示不限于此。例如，尽管未示出，但通孔211可以与压电式mems麦克风100对齐。通孔211的形状、位置和尺寸可以根据不同的产品需求来进行修改。44.在一些实施例中，可以使用方法10来形成一电容式mems麦克风300。图9a至图18绘示出根据本揭示一些实施例的电容式mems麦克风的示意图。需要注意的是，在图9a至图18中相同的组件以相同的标号来表示，并且为了简洁起见可以省略重复的细节。45.请参考图9a和图9b，图9a和图9b分别是电容式mems麦克风300a的前视图和后视图。在一些实施例中，电容式mems麦克风300a包含一第一板310、一第二板320以及位于第一板310和第二板320之间的一间隔层330。间隔层330将第一板310和第二板320黏合在一起。在一些实施例中，第一板310可称为底板，第二板320可称为顶板。参考图9a，在一些实施例中，顶板320具有多个开口321。在一些实施例中，开口321可排列成数组，如图9a所示，但本揭示不限于此。需要说明的是，开口321的形状、尺寸、数量和排列方式可以根据产品需要来进行调整或修改。46.参考图9b，在一些实施例中，底板310具有一开口311。开口311的形状、尺寸和位置可以根据产品需要来进行调整或修改。47.请参考图10和图11，图10和图11分别是电容式mems麦克风300a和300b的分解图。如上文所描述地，电容式mems麦克风300a包含间隔层330，间隔层330可以是环氧基树脂。这种是较佳地材料，它会尽可能不让水分和氧气渗透间隔层330。在一些实施例中，间隔层330可以具有封闭式支撑壁结构，如图10所示。因此，会在间隔层330内形成封闭轮廓。在一些替代实施例中，电容式mems麦克风300b的间隔层332可以具有多个分段支撑壁，如图11所示。因此，由间隔层332限定开放轮廓。在这样的实施例中，根据不同的产品需求，每个分段支撑壁332的形状和尺寸可以不同或相似。48.参考图12，在一些实施例中，底板310包含一载板312、一衬底层314和金属层316。开口311贯穿载板312形成。进一步地开口311系形成在载板312的一中央区域313。衬底层314位于载板312上方。进一步地，衬底层314覆盖开口311。因此，从后视图来看可以经由开口311暴露衬底层314。在一些实施例中，载板312可以包含玻璃，但本揭示不限于此。例如，载板312可以包含石英，或由frp、pvf、聚酯、丙烯酸等制成的塑料。在一些实施例中，衬底层314可以包含聚酰亚胺，但本揭示不限于此。49.仍然参考图12，在一些实施例中，顶板320包含一衬底层322和一金属层324。开口321贯穿衬底层322和金属层324。金属层324位于衬底层322之面向底板310的表面上。因此，底板310的金属层316和顶板320的金属层324作为电容器的两个电极。在一些实施例中，衬底层322可包含聚酰亚胺，但本揭示不限于此。50.在一些实施例中，间隔层330或332位于底板310上。间隔层330或332位于底板310的金属层316与顶板320的金属层324之间。因此，可以说金属层324位于间隔层330或332上。此外，间隔层330或332的顶面与顶板320的金属层324接触，而间隔层330或332的底面与底板310的金属层316接触。间隔层330或332的厚度可限定顶板320与底板310之间的距离s，但本揭示不限于此。在一些实施例中，当间隔层330具有封闭式支撑壁结构时，间隔层330围绕底板310的中央区域313。在其他实施例中，当间隔层332具有分段支撑壁结构时，分段支撑壁排列成围绕底板310的中央区域313。51.在一些实施例中，间隔层330包含导电材料，例如异向性导电膜(acf)，但本揭示不限于此。在这样的实施例中，金属层324经由间隔层330电气连接电压源。52.请参考图13，图13是根据本揭示一些实施例的电容式mems麦克风300c的示意分解图。如上文所描述地，间隔层可以具有分段支撑壁结构。也就是说，间隔层可以包含多个分段支撑壁334和336，分段支撑壁334和336排列成围绕载板312的中央区域313。分段支撑壁334和336可以包含不同的材料。例如，一些分段支撑壁336可以包含绝缘材料，并且至少一个分段支撑壁334包含导电材料。如图13所示，顶板320的金属层324可电气连接导电分段支撑壁334和一第一连线316a。因此，在金属层324与电压源之间形成电气连接。53.在这样的实施例中，图案化金属层316以具有第一连线316a和一第二连线316b。第一连线316a与第二连线316b实体分离并电气分离。在这样的实施例中，第二连线316b还包含覆盖中央区域313并用作电容器的电极的一传感部分，以及包含提供传感部分和电压源之间电气连接的一连接部分。第一连线316a用作经由导电分段支撑壁334电气连接顶板320的金属层324的线路。因此，顶板320的金属层324通过导电分段支撑壁334电气连接电压源。因此，顶板320的金属层324和底板310的金属层316(即，第二连线316b的传感部分)作为电容器的两个电极。54.参考图14，在一些实施例中，电容式mems麦克风300d的间隔层330或332可以包含绝缘材料。提供一导电胶层336以提供间隔层330或332与顶板320的金属层324之间的黏合和电气连接。在这样的实施例中，将间隔层330或332的一顶面和侧壁作成相当平坦，使得导电胶层336可以沿着间隔层330或332平滑地放置。所以，金属层324通过导电胶层336和金属层316的第一连线316a电气连接电压源，从而使金属层324作为电容器的电极。55.参考图15，在一些实施例中，电容式mems麦克风300e还包含位于金属层316上的一缓冲层340。换言之，缓冲层340位于金属层316与间隔层330或332之间。缓冲层340可以包含半导体材料，例如硅、非晶硅等。在这样的实施例中，缓冲层340让底板310的金属层316具有更弹性的图案。此外，缓冲层340的厚度有助于调整两个电极(即，金属层324和金属层316)之间的距离s，且用于形成缓冲层340的材料可以提供不同的介电常数。因此，可以藉由缓冲层340的厚度和材料来改变电容器的特性。缓冲层340还有助于改变底板310的金属层316的阻尼特性。因此，可以改变电容式mems麦克风300e的频率响应。56.参考图16，在一些实施例中，电容式mems麦克风300f还包含位于金属层324上的另一缓冲层342。换言之，金属层324位于缓冲层342与衬底层322之间。此外，间隔层330位于缓冲层340和缓冲层342之间。缓冲层342可以包含半导体材料，例如硅、非晶硅等。另外，缓冲层340和342可以包含相同的材料。在一些替代实施例中，缓冲层340和342可以包含不同的材料。在这样的实施例中，缓冲层342的厚度有助于调整两个电极(即，金属层324和金属层316)之间的距离，且用于形成缓冲层342的材料可以提供不同的介电常数。因此，可以藉由缓冲层342的厚度和材料来改变电容器的特性。如上文所描述地，缓冲层342进一步有助于改变顶板320的金属层324的阻尼特性。因此，可以改变电容式mems麦克风300f的频率响应。57.参考图17，在一些实施例中，底板310的载板312可以具有梯度厚度。在这样的实施例中，顶板320和底板310彼此平行。因此，由于底板310的载板312的梯度厚度，电容式mems麦克风300g可以具有倾斜的声音接收表面。在这样的实施例中，提供了定向麦克风。定向电容式mems麦克风300g对于来自特定方向的声波具有更高的灵敏度，而对来自其他方向的声波具有更低的灵敏度。58.参考图18，在一些实施例中，间隔层330可以具有不一致的厚度。因此，顶板320与底板310之间不平行。因此，金属层324与金属层316之间的间距不一致。如图18所示，取得多个间隔距离s1、s2、sn。在这样的实施例中，电容式mems麦克风300h可能由于间隔层330的厚度不一致而具有倾斜的声音接收表面，因此提供了定向麦克风。如上文所描述地，定向电容式mems麦克风300h对来自特定方向的声波具有更高的灵敏度，而对来自其他方向的声波具有更低的灵敏度。59.根据上述电容式mems麦克风300a至300h，随着声波使得开口311上方的底板310的金属层316移动或振动而改变间隔距离s(以及s1和s2到sn)。当间距s发生变化时，电容器的电容发生变化，从而产生信号。由于间隔层330和332的不同配置(如图9a和9b至12所示)以及间隔层334和336的各种不同材料选择(如图13和14所示)，可以容易地在金属层316和324之间建立不同的电气连接。藉由增加缓冲层340和342(如图15和16所示)，可以很容易地修改电容器的特性。藉由使用具有梯度厚度的载板312(如图17所示)或使用不同厚度的间隔层330(如图18所示)，可以得到定向麦克风。此外，上述电容式mems麦克风300a至300h可根据产品需求相互集成，以提高产品设计的弹性。60.请参考图19a和19b至21，图19a和19b至21绘示出根据本揭示一些实施例的声波转换器400a至400c的示意图。应当理解的是，图19a和图19b至图21中相同的组件以相同的标号表示，并且为了简洁起见可以省略重复的细节。61.在一些实施例中，可以在声波转换器400a中集成电容式mems麦克风300(即，电容式mems麦克风300a至300h)。在一些实施例中，如图19a所示，电容式mems麦克风300的底板310的载板312用作声波转换器400a的衬底402。62.电容式mems麦克风300经由底板310的金属层316的第一连线316a电气连接一芯片404，但本揭示不限于此。在一些实施例中，芯片404可以是信号处理单元或asic，但本揭示不限于此。asic 404可用于处理从mems麦克风300产生的电压信号，以执行滤波操作和放大操作。因此，可判断从mems麦克风300取得的电压信号。63.一盖或顶盖406位于衬底402上方并藉由一封胶408固定到衬底402。在一些实施例中，封胶408可位于底板310的衬底层314上，如图19a所示，但本揭示不限于此。在其他实施例中，尽管未示出，封胶408可以位于底板310的金属层316上。在一些实施例中，封胶408可以是环氧基树脂。在一些替代实施例中，封胶408可以包含导电材料。这种是较佳地材料，它会尽可能不让水分和氧气渗透封胶408。此外，封胶408的厚度可以限定顶盖406与载板312之间的距离，但本揭示不限于此。在一些实施例中，asic 404和电容式mems麦克风300的部分(即，金属层316、间隔层330/332和顶板320)位于由封胶408限定的区域内，如图19a和19b中所示。换言之，封胶408围绕底板310的金属层316、间隔层330或332、顶板320和asic 404。64.仍然参考图19a，在一些实施例中，当封胶408包含导电材料时，封胶408提供保护以免于外部干扰。在这样的实施例中，导电封胶408可以接地，但本揭示不限于此。65.参考图20，在一些实施例中，声波转换器400b可以包含位于衬底402的一外表面403上的一导电层410，以及位于顶盖406的外表面407上的一导电层412。导电层410和412提供保护以免于外部干扰。在这样的实施例中，导电封胶408与导电层410、412可接地，但本揭示不限于此。66.参考图21，在一些实施例中，声波转换器400c可以具有位于由封胶408围绕的区域内的电容式mems麦克风300，而asic 404位于所述区域之外。换言之，封胶408围绕间隔层330或332以及顶板320。在这样的实施例中，asic 404和mems麦克风300可以藉由底板310的金属层316电气连接。在其他实施例中，mems麦克风300和asic 404之间可以由acf提供电气连接，但本揭示不限于此。67.参考图22，在一些实施例中，可以集成声波转换器400a、400b及/或400c以形成声波转换器模块500a。应当注意，根据不同的产品要求，声波转换器400a、400b和400c中的每一个可以至少包含mems麦克风300(即，电容式mems麦克风300a至300h)或mems麦克风100(即，压电式mems麦克风100a至100d，虽然没有显示)。68.例如，声波转换器模块500a包含两个垂直堆栈和集成的声波转换器400a-1和400a-2。在一些实施例中，一下声波转换器400a-1的底板310的载板312可以用作声波转换器模块500a的底部衬底502，一上声波转换器400a-2的底板310的载板312可以作为声波转换器模块500a的顶部衬底504。此外，两个声波转换器400a-1和400a-2可以共享一个顶盖，所述顶盖用作两个mems麦克风300之间的中间间隔件506。也就是，两个声波转换器400a-1和400a-2以面对面的方式集成。在这样的实施例中，下声波转换器400a-1的开口311和上声波转换器400a-2的开口311面对相反的方向。因此，两个声波转换器400a-1和400a-2的mems麦克风300可用于检测来自相反方向的声波。因此，进一步提高了声波转换器模块500a的实用性。69.此外，虽然在一些实施例中，两个mems麦克风300中的每一个都由各自的asic 404独立操作，但是在其他实施例中，两个mems麦克风300共享一个asic 404，并且都由同一asic 404操作。70.仍然参考图22，在一些实施例中，在声波转换器模块500a的外表面上形成导电层510和512。例如，导电层510可以位于底部衬底502(即，下声波转换器400a-1的底板310的载板312)的一外表面503上，并且导电层512可以位于顶部衬底504(即，上声波转换器400a-2的底板310的载板312)的一外表面505上。如上文所描述地，导电层510和512可以提供保护以免于外部干扰。71.此外，在一些实施例中，下声波转换器400a-1和上声波转换器400a-2的封胶408可以包含导电材料。因此，导电封胶408还提供保护以免于外部干扰。72.参考图23，声波转换器模块500b包含多于两个集成在一起的声波转换器。在一些实施例中，声波转换器模块500b可包含横向集成的声波转换器400a，但本揭示不限于此。例如，声波转换器模块500b可以包含横向集成的多个声波转换器400b-1、400b-2和400b-3，如图23所示。73.在这样的实施例中，所有的声波转换器400b-1至400b-3可以共享底板的同一载板，其用作声波转换器模块500b的底部衬底502。此外，尽管在图23中未示出，所有的声波转换器400b-1至400b-3可以共享同一顶盖。然而，mems麦克风300(即，电容式mems麦克风300a至300h)或mems麦克风100(即，压电式mems麦克风100a至100d，尽管未示出)中的每一个藉由封胶408彼此分隔开。74.在这样的实施例中，mems麦克风300或100可以共享同一asic 404。也就是说，mems麦克风300或100经由金属层316的第一连线316a电气连接同一asic 404。然而，在其他实施例中，acf可用于提供asic 404和mems麦克风300或100之间的电气连接。在这样的实施例中，仅使用一个asic 404来处理从mems麦克风300产生的电压信号，以执行滤波操作和放大操作。因此，可判断从mems麦克风300取得的电压信号。75.另外，虽然在一些实施例中mems麦克风300共享一个asic 404并且由同一asic 404操作，但是在其他实施例中，每个mems麦克风300可以由各自的asic独立操作。76.声波转换器模块500b可以具有各种尺寸的mems麦克风300或100，以便提供所需的频率响应。换言之，声波转换器模块500b可用于检测各种频率的声波。因此，进一步提高了声波转换器模块500b的实用性。77.如上文所描述地，可以在声波转换器模块500b的顶部和底部衬底的外表面上形成导电层，提供保护以免于外部干扰。封胶408可以包含导电材料，并且导电封胶408也可以用于保护以免于外部干扰。78.根据本揭示，提供了各种压电式mems麦克风和各种电容式mems麦克风。压电式mems麦克风和电容式mems麦克风可以藉由tft制造操作来制造。因此，压电式mems麦克风和电容式mems麦克风的尺寸可以缩小到小于大约50毫米。在一些实施例中，压电式mems麦克风和电容式mems麦克风的尺寸可以缩小到大约20微米和大约50毫米之间，但本揭示不限于此。此外，各种mems麦克风可以与asic集成以形成声波转换器，声波转换器可以集成为转换器模块。藉由选择各种mems麦克风和各种声波转换器，针对不同的产品需求可以提供各种转换器模块。因此，提高了声波转换器的实用性和设计灵活性。79.上文已概述若干实施例的特征，使得所属领域的技术人员可较好地理解本公开的方面。所属领域的技术人员应了解，其可易于将本公开用作用于设计或修改其它工艺及结构以实施相同目的及/或实现本文中所引入的实施例的相同优点的基础。所属领域的技术人员还应意识到，此类等效建构不应背离本公开的精神及范围，且其可在不背离本公开的精神及范围的情况下对本文作出各种改变、替换及更改。80.符号说明81.10：方法82.11：步骤83.12：步骤84.13：步骤85.14：步骤86.15：步骤87.100：压电式mems麦克风88.102：载板89.104：第一导电层90.104e：连接部分91.104s：传感部分92.106：压电层93.108：第二导电层94.108e：连接部分95.108s：传感部分96.109：通孔97.200：声波转换器98.200a-200b：声波转换器99.202：衬底100.203：通孔101.204：芯片102.206：接线103.208：线路104.210：盖/顶盖105.211：通孔106.212：封胶107.214：异向性导电膜(acf)108.300：电容式mems麦克风109.300a-300h：电容式mems麦克风110.310：第一板/底板111.311：开口112.312：载板113.313：中央区域114.314：衬底层115.316：金属层116.316a：第一连线117.316b：第二连线118.320：第二板/顶板119.321：开口120.322：衬底层121.324：金属层122.330：间隔层123.332：间隔层/支撑壁124.334：间隔层/支撑壁125.336：间隔层/支撑壁/导电胶层126.340：缓冲层127.342：缓冲层128.400a-400c：声波转换器129.400a-1：下声波转换器130.400a-2：上声波转换器131.400b-1：声波转换器132.400b-2：声波转换器133.400b-3：声波转换器134.402：衬底135.403：外表面136.404：芯片/asic137.406：盖/顶盖138.407：外表面139.408：封胶140.410：导电层141.412：导电层142.500a：声波转换器模块143.500b：声波转换器模块144.502：底部衬底145.503：外表面146.504：顶部衬底147.505：外表面148.506：间隔件149.510：导电层150.512：导电层151.i-i'：截面线152.ii-ii'：截面线153.iii-iii'：截面线154.s：间隔距离155.s1-sn：间隔距离