双层封装结构和MEMS传感器的制作方法

本技术涉及封装，尤其涉及一种双层封装结构和mems传感器。

背景技术：

1、在现有的mems传感器封装技术方面，通常是在pcb板上盖上一个金属壳盖来进行封装，金属材质壳可以屏蔽部分电磁信号的干扰，具有一定的电磁屏蔽的效果。

2、但是，在科技的高速发展下，现代电子产品器件使用的工作频率越来越高，电子器件的体积越来越小型化，电子器件以及产品之间的信号干扰也越来越强，一定程度上降低了封装内部的传感芯片的工作性能，而目前的封装方式屏蔽外来干扰信号的能力较为有限。

3、为此，亟需提供一种双层封装结构和mems传感器以解决上述问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种双层封装结构和mems传感器，提高封装结构的电磁屏蔽能力。

2、为实现上述目的，提供以下技术方案：

3、双层封装结构，包括基板和盖体，所述盖体包括第一壳体、第二壳体和绝缘屏蔽层，所述第一壳体的外周壁设置有台阶，所述第一壳体和位于所述第一壳体内的所述第二壳体冲压为一体化结构，且所述绝缘屏蔽层夹设于所述第一壳体和所述第二壳体之间，所述第一壳体焊接于所述基板上并接地，所述第二壳体焊接于所述基板上并接地。

4、作为双层封装结构的可选方案，所述第一壳体的内壁面涂附有一层所述绝缘屏蔽层和/或所述第二壳体的外壁面涂附有一层所述绝缘屏蔽层。

5、作为双层封装结构的可选方案，所述第一壳体的外壁面镀有防氧化层。

6、作为双层封装结构的可选方案，所述防氧化层的材质为镍层。

7、作为双层封装结构的可选方案，所述第一壳体和所述第二壳体的材质为金属铜。

8、作为双层封装结构的可选方案，所述第一壳体外周壁的所述台阶为弧型台阶。

9、作为双层封装结构的可选方案，所述第一壳体外周壁的所述台阶为折角型台阶。

10、mems传感器,包括如上所述的双层封装结构。

11、作为mems传感器的可选方案，还包括mems芯片、asic芯片和金线，所述mems芯片和所述asic芯片贴装于所述基板上，所述mems芯片与所述asic芯片采用所述金线连接，所述asic芯片与所述基板采用所述金线连接。

12、作为mems传感器的可选方案，所述基板沿自身厚度方向贯通开设有进音孔，且所述进音孔与所述mems芯片的振膜腔连通。

13、与现有技术相比，本实用新型的有益效果：

14、本实用新型所提供的双层封装结构，将中间设置有绝缘屏蔽层的第一壳体和第二壳体冲压为一个整体的双层结构，将双层结构仅需一次smt贴片工艺流程即可焊接在基板上，减少了加工工序，有效降低了制造工艺成本；其中由于第一壳体的外周壁设置有台阶，使第一壳体的下端开口和第二壳体的下端开口间隔开，便于第一壳体和第二壳体分别接地，通过中间设置绝缘屏蔽层，使第一壳体和第二壳体互不导通，外界的干扰电磁信号产生的电磁感应电流可通过接地的第一壳体和第二壳体消耗掉，有效的提高双层封装结构的电磁屏蔽能力；第一壳体和第二壳体冲压为一体，有限减小两个壳体所占用的空间，更大程度的保证双层封装结构的基板和盖体形成的背腔体积。

15、本实用新型所提供的mems传感器，采用冲压为整体的双层结构的盖体进行封装电子器件，屏蔽效果更好，降低外界对内部电子器件的电磁干扰。

技术特征：

1.双层封装结构，包括基板和盖体，其特征在于，所述盖体(2)包括第一壳体(21)、第二壳体(22)和绝缘屏蔽层(23)，所述第一壳体(21)的外周壁设置有台阶(211)，所述第一壳体(21)和位于所述第一壳体(21)内的所述第二壳体(22)冲压为一体化结构，且所述绝缘屏蔽层(23)夹设于所述第一壳体(21)和所述第二壳体(22)之间，所述第一壳体(21)焊接于所述基板(1)上并接地，所述第二壳体(22)焊接于所述基板(1)上并接地。

2.根据权利要求1所述的双层封装结构，其特征在于，所述第一壳体(21)的内壁面涂附有一层所述绝缘屏蔽层(23)和/或所述第二壳体(22)的外壁面涂附有一层所述绝缘屏蔽层(23)。

3.根据权利要求2所述的双层封装结构，其特征在于，所述第一壳体(21)的外壁面镀有防氧化层。

4.根据权利要求3所述的双层封装结构，其特征在于，所述防氧化层的材质为镍层。

5.根据权利要求1-4任一项所述的双层封装结构，其特征在于，所述第一壳体(21)和所述第二壳体(22)的材质为金属铜。

6.根据权利要求1-4任一项所述的双层封装结构，其特征在于，所述第一壳体(21)外周壁的所述台阶(211)为弧型台阶。

7.根据权利要求1-4任一项所述的双层封装结构，其特征在于，所述第一壳体(21)外周壁的所述台阶(211)为折角型台阶。

8.mems传感器,其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的双层封装结构。

9.根据权利要求8所述的mems传感器，其特征在于，还包括mems芯片(3)、asic芯片(4)和金线(5)，所述mems芯片(3)和所述asic芯片(4)贴装于所述基板(1)上，所述mems芯片(3)与所述asic芯片(4)采用所述金线(5)连接，所述asic芯片(4)与所述基板(1)采用所述金线(5)连接。

10.根据权利要求9所述的mems传感器，其特征在于，所述基板(1)沿自身厚度方向贯通开设有进音孔(11)，且所述进音孔(11)与所述mems芯片(3)的振膜腔(31)连通。

技术总结本技术公开了一种双层封装结构和MEMS传感器，属于封装技术领域。双层封装结构包括基板和盖体，所述盖体包括第一壳体、第二壳体和绝缘屏蔽层，所述第一壳体的外周壁设置有台阶，所述第一壳体和位于所述第一壳体内的所述第二壳体冲压为一体化结构，且所述绝缘屏蔽层夹设于所述第一壳体和所述第二壳体之间，所述第一壳体焊接于所述基板上并接地，所述第二壳体焊接于所述基板上并接地。本技术减少了加工工序，有效降低了制造工艺成本；外界的干扰电磁信号产生的电磁感应电流可通过接地的第一壳体和第二壳体消耗掉，有效的提高双层封装结构的电磁屏蔽能力。技术研发人员：缪建民,张金姣,胡永红,邱丹,王刚受保护的技术使用者：迈感微电子（上海）有限公司技术研发日：20221028技术公布日：2024/1/12