一种MEMS传感器的制作方法

本技术涉及mems器件，尤其涉及一种mems传感器。

背景技术：

1、mems传感器，尤其是mems麦克风、超声换能器、压力传感器等接收来自气体、液体、固体的振动信号时，往往会受到余震的影响。余震是指mems传感器接收到振动信号并将其转换为电信号后，该振动信号并不会立刻消失，而是会继续在mems传感器中震荡衰减至零，这个震荡衰减的过程就叫做信号余震。由于余震总是会持续一段时间，因此会干扰传感器接收新的信号，降低传感器的信噪比。余震能量较大的时候，甚至会使传感器在小段时间内无法工作，这一小段时间就被称作传感器盲区时间。

2、在mems传感器的设计中，有许多利用共振腔来加快余震的衰减的方法，如专利号cn 110681559 b和专利号cn 110560349 b的专利。共振腔的原理是，当振动信号被传感器感知后，后续的余震将继续在传感器的腔体中振动，通过设计将腔体的共振频率设计为和余震相近时，就会引起余震的共振，从而快速消耗余震的能量，减小余震对传感器的影响时长。而共振腔有一些缺点，一是腔体需要单独设计，为了匹配余震的频率，往往由多级不同尺寸的腔体构成，因此腔体体积一般较大。二是腔体需要余震进入腔体内震荡衰减，因此对空气振动的效果较好，而对液体和固体的振动衰减效果较差。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于克服现有技术存在的以上问题，提供一种mems传感器，该mems传感器可以在消除mems器件余震的同时不增加mems器件的体积，且可适用于固液气各种环境下的余震消除。

2、为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本实用新型通过以下技术方案实现：

3、本实用新型提供一种mems传感器，所述mems传感器包括：

4、具有一腔体的mems器件；

5、共振结构，设置于所述腔体内，且所述共振结构用于消除所述mems器件的余震。

6、在本实用新型的一个实施例中，所述mems器件包括：

7、基底；以及

8、振膜，设置于所述基底上。

9、在本实用新型的一个实施例中，所述腔体设置于所述基底上且位于与所述振膜连接的一侧。

10、在本实用新型的一个实施例中，所述共振结构包括共振片，所述共振片呈环形阵列排布，且所述环形阵列的中心点与所述腔体的中心点重合。

11、在本实用新型的一个实施例中，所述mems传感器还包括振动间隙，所述振动间隙位于所述共振片与所述振膜之间。

12、综上所述，本实用新型提供一种mems传感器，该mems传感器通过在mems器件的内部刻蚀一个腔体，在腔体的内部设置共振结构，由于是单个腔体，故mems传感器的体积小，且共振结构可设置为多个共振片，或者多种频率的共振片，提高消除余震的效率。余震在传感器中传播时，余震会引发共振结构中的共振片在余震的频率上发生共振，共振片的大幅度振动会极大消耗余震的能量，使余震减小到不会对传感器产生干扰的程度，达到快速消除余震的目的，且可适用于固、液、气各种环境中。

技术特征：

1.一种mems传感器，其特征在于,所述mems传感器包括：

2.根据权利要求1所述的mems传感器，其特征在于，所述共振结构包括共振片，所述共振片呈环形阵列排布，且所述环形阵列的中心点与所述腔体的中心点重合。

3.根据权利要求2所述的mems传感器，其特征在于，所述mems传感器还包括振动间隙，所述振动间隙位于所述共振片与所述振膜之间。

技术总结本技术提供一种MEMS传感器，所述MEMS传感器包括：具有一腔体的MEMS器件；共振结构，设置于所述腔体内，且所述共振结构用于消除所述MEMS器件的余震。本技术提供一种MEMS传感器，该MEMS传感器体积小，可快速消除余震，且可适用于固、液、气各种环境中。技术研发人员：祝梦林,鲍志远受保护的技术使用者：合肥领航微系统集成有限公司技术研发日：20221025技术公布日：2024/1/12