收发分体式超声波传感器模组的制作方法
- 国知局
- 2024-07-27 12:53:17
本说明书一个或多个实施例涉及传感器,尤其涉及收发分体式超声波传感器模组。
背景技术:
1、收发分离式超声波传感器模组是指发射和接收超声波信号的传感器是分离的,采用这种收发分离式的超声波传感器模组,盲区时间几乎可以减小到0盲区。目前收发分离式的超声波传感器模组的应用应十分广泛,如测距应用、避障应用、物位检测等;
2、目前市面上已有的分离式超声波传感器模组基本都是压电陶瓷类型,存在以下几个缺点:
3、体积大,单个超声波探头的尺寸一般都是φ10mm*20mm(含插针高度),再加上基板以及一些简单电路,整个分离式超声波传感器模组的尺寸一般都是超过30*20*20mm,极大的限制了分离式超声波传感器模组的应用场景;
4、装配困难,超声波探头都是插针式,无法兼容smt工艺,只能单个装配,装配效率低;此外也就导致分离式超声波传感器模组在使用时也无法兼容smt工艺,装配效率低,综上所述,本申请现提出收发分体式超声波传感器模组来解决上述出现的问题。
技术实现思路
1、本实用新型旨在解决背景技术中提出的问题之一,本说明书一个或多个实施例的目的在于提出收发分体式超声波传感器模组,通过半导体工艺加工mems芯片,自动化封装工艺进行模组封装制造,在保证高灵敏度的前提下,具有体积小、易装配的优点。
2、基于上述目的,本说明书一个或多个实施例提供了收发分体式超声波传感器模组,包括:基板;外壳,所述外壳与基板密封连接,所述外壳具有用于收容的两个相互密封的发射腔体和接收腔体,所述外壳对应发射腔体的位置开设有发射声孔,所述外壳对应接收腔体的位置开设有接收声孔;mems发射芯片,所述mems发射芯片具有相对的正面和背面,所述背面具有背腔,所述mems发射芯片位于发射腔体内部,且所述mems发射芯片的背面与基板贴合固定,所述mems发射芯片与基板电气联通;mems接收芯片,mems接收芯片具有相对的正面和背面,所述mems接收芯片位于接收腔体内部;焊接凸起,所述基板靠近mems接收芯片的表面上设置有焊接凸起,所述焊接凸起用于所述基板与所述mems接收芯片的电连接;所述基板与所述mems接收芯片之间的空间限定出密封腔。
3、在一些实施例中,所述mems接收芯片的高度高于mems发射芯片的高度。
4、在一些实施例中,所述mems发射芯片通过金线与基板电气联通。
5、在一些具体的实施例中,所述mems发射芯片的背面通过键合的方式与基板封装,所述mems发射芯片的背面通过硬胶贴片的方式与基板固定连接。
6、在一些具体的实施例中,所述mems接收芯片的正面设置有焊垫,所述焊接凸起与所述焊垫电连接。
7、在一些实施例中,所述基板与所述mems接收芯片之间的空间通过灌封胶限定出密封腔。
8、在一些实施例中,所述密封腔的厚度与焊接凸起的高度相同。
9、在一些实施例中,所述mems接收芯片的背面通过贴壳胶与外壳的接收腔体顶壁密封连接。
10、从上面所述可以看出,本实用新型包括以下有益效果:
11、本实用新型通过具有发射腔体和接收腔体的外壳,接收芯片采用倒装的方式设置,高度高于发射芯片,防止发射芯片空气耦合振动对接收芯片产生影响,且接收芯片倒装后,与基板之间的接触面小,减轻发射芯片通过基板传递至接收芯片的振动影响。
技术特征:1.收发分体式超声波传感器模组,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的收发分体式超声波传感器模组,其特征在于,所述mems接收芯片(7)的高度高于mems发射芯片(3)的高度。
3.根据权利要求1所述的收发分体式超声波传感器模组,其特征在于,所述mems发射芯片(3)通过金线(2)与基板(4)电气联通。
4.根据权利要求3所述的收发分体式超声波传感器模组,其特征在于,所述mems发射芯片(3)的背面通过键合的方式与基板(4)封装,所述mems发射芯片(3)的背面通过硬胶贴片的方式与基板(4)固定连接。
5.根据权利要求3所述的收发分体式超声波传感器模组,其特征在于,所述mems接收芯片(7)的正面设置有焊垫,所述焊接凸起(5)与所述焊垫电连接。
6.根据权利要求1所述的收发分体式超声波传感器模组,其特征在于,所述基板(4)与所述mems接收芯片(7)之间的空间通过灌封胶(6)限定出密封腔(d)。
7.根据权利要求1所述的收发分体式超声波传感器模组,其特征在于,所述密封腔(d)的厚度与焊接凸起(5)的高度相同。
8.根据权利要求1所述的收发分体式超声波传感器模组,其特征在于,所述mems接收芯片(7)的背面通过贴壳胶(8)与外壳(1)的接收腔体(b)顶壁密封连接。
技术总结本技术提供收发分体式超声波传感器模组,包括基板;外壳,外壳与基板密封连接,外壳开设有发射声孔和接收声孔;MEMS发射芯片,MEMS发射芯片位于发射腔体内部,且MEMS发射芯片的背面与基板贴合固定;MEMS接收芯片,MEMS接收芯片位于接收腔体内部;焊接凸起,基板靠近MEMS接收芯片的表面上设置有焊接凸起,焊接凸起用于基板与MEMS接收芯片的电连接;基板与MEMS接收芯片之间的空间限定出密封腔,本技术通过具有发射腔体和接收腔体的外壳,通过在两个腔体对应发射和接收方向的外壳上开设与发射芯片和接收芯片匹配的发射声孔和接收声孔,形成赫姆霍兹共振腔,用于增强发射芯片的声压级,形成接收共振腔,可增强接收芯片的灵敏度。技术研发人员:刘东旭,徐涛受保护的技术使用者:合肥领航微系统集成有限公司技术研发日:20220906技术公布日:2024/1/13本文地址:https://www.jishuxx.com/zhuanli/20240726/123966.html
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