一种MEMS传感器封装结构的制作方法

本公开实施例属于半导体封装，具体涉及一种mems传感器封装结构。

背景技术：

1、微机电系统(mems,micro-electro-mechanical system)，也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等，指尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置。

2、现有常见的mems气体压力传感器是将封装内部平面划分不同区域，一部分区域贴装mems气体压力传感器芯片，另一部分区域贴装信号调理芯片。芯片封装在同一个平面内完成。

3、现有技术中至少存在如下问题：现有的mems压力传感器尺寸较大，绑线走线复杂，功耗大，绑线之间信号干扰较大，影响压力传感器检测精度。

技术实现思路

1、本公开实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种mems传感器封装结构。

2、本公开实施例的一个方面提供一种mems传感器封装结构。所述封装结构包括：电路板，依次绝缘堆叠设置于所述电路板的mems传感器芯片和调理芯片，以及封装所述电路板、所述mems传感器芯片和所述调理芯片的壳体；所述mems传感器芯片和所述调理芯片分别与所述电路板电连接，所述调理芯片用于对所述mems传感器芯片检测的压力信号进行补偿。

3、可选的，所述封装结构还包括第一键合引线，所述第一键合引线的两端分别与所述调理芯片和所述电路板电连接。

4、可选的，所述封装结构还包括第二键合引线，所述第二键合引线的两端分别与所述mems传感器芯片和所述电路板电连接。

5、可选的，所述电路板的边缘区域设置有焊盘，所述焊盘分别与所述第一键合引线和所述第二键合引线电连接。

6、可选的，所述第一键合引线和所述第二键合引线设置有弧形过度段。可选的，所述第一键合引线的弧形过度段的顶端高度范围为600um～700um

7、可选的，所述封装结构还包括第一绝缘胶和第二绝缘胶；

8、所述第一绝缘胶设置于所述调理芯片和所述电路板之间，所述第二绝缘胶设置于所述调理芯片和所述mems传感器芯片之间；其中，所述第一绝缘胶与所述第二绝缘胶的导热性能不同。

9、可选的，所述第一绝缘胶为环氧胶，所述第二绝缘胶为硅胶。

10、可选的，所述环氧胶的厚度范围为8um～12um。

11、可选的，所述硅胶的厚度范围为35um～45um。

12、本公开实施例的封装结构中，将所述mems传感器芯片和所述调理芯片堆叠为两层封装于所述电路板上，相比于现有技术，将mems传感器芯片和调理芯片封装在一个平面，本公开实施例的封装结构缩小了封装外形尺寸，降低功耗，节约封装空间；优化了键合引线的走线路径，减小键合引线之间的信号干扰。

技术特征：

1.一种mems传感器封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：电路板，依次绝缘堆叠设置于所述电路板的mems传感器芯片和调理芯片，以及封装所述电路板、所述mems传感器芯片和所述调理芯片的壳体；

2.根据权利要求1所述的mems传感器封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括第一键合引线，所述第一键合引线的两端分别与所述调理芯片和所述电路板电连接。

3.根据权利要求2所述的mems传感器封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括第二键合引线，所述第二键合引线的两端分别与所述mems传感器芯片和所述电路板电连接。

4.根据权利要求3所述的mems传感器封装结构，其特征在于，所述电路板的边缘区域设置有焊盘，所述焊盘分别与所述第一键合引线和所述第二键合引线电连接。

5.根据权利要求3所述的mems传感器封装结构，其特征在于，所述第一键合引线和所述第二键合引线设置有弧形过度段。

6.根据权利要求5所述的mems传感器封装结构，其特征在于，所述第一键合引线的弧形过度段的顶端高度范围为600um～700um。

7.根据权利要求1至6任一项所述的mems传感器封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括第一绝缘胶和第二绝缘胶；

8.根据权利要求7所述的mems传感器封装结构，其特征在于，所述第一绝缘胶为环氧胶，所述第二绝缘胶为硅胶。

9.根据权利要求8所述的mems传感器封装结构，其特征在于，所述环氧胶的厚度范围为8um～12um。

10.根据权利要求8所述的mems传感器封装结构，其特征在于，所述硅胶的厚度范围为35um～45um。

技术总结本公开实施例提供一种MEMS传感器封装结构，所述封装结构包括：电路板，依次绝缘堆叠设置于所述电路板的MEMS传感器芯片和调理芯片，以及封装所述电路板、所述MEMS传感器芯片和所述调理芯片的壳体；所述MEMS传感器芯片和所述调理芯片分别与所述电路板电连接，所述调理芯片用于对所述MEMS传感器芯片检测的压力信号进行补偿。本公开实施例将MEMS传感器芯片和调理芯片堆叠在电路板上，缩小了封装外形尺寸，降低功耗，节约封装空间；优化了键合引线的走线路径，减小键合引线之间的信号干扰。技术研发人员：林智敏,刘同庆受保护的技术使用者：无锡芯感智半导体有限公司技术研发日：20221212技术公布日：2024/1/12