介质桥结构及其制作方法、MEMS器件

本发明是关于半导体，特别是关于一种介质桥结构及其制作方法、mems器件。

背景技术：

1、介质桥梁支撑结构在mems器件中有广泛应用，用于支撑金属结构跨接，或者特殊高频微波器件中空气隔离需要做支撑，或者三维构筑微机械器件支撑梁。

2、介质桥使用有机聚合物材质如聚酰亚胺，su8，bcb等，但是有机聚合物薄膜与介质桥桥墩材料，特别是桥墩是金属材料时，其二者界面粘附力较差，极容易导致在mems器件制作工艺过程中或完成制作后使用过程中由于化学药品自然侵蚀和器件使用环境中振动以及热膨胀系数失配，出现介质桥从桥端与桥墩脱离，致使整个介质桥坍塌，导致器件失效。

3、公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种介质桥结构及其制作方法、mems器件，其能够克服现有技术中介质桥因为粘附力不足、振动、热失配、化学侵蚀、重力等因素导致脱离坍塌发生的问题。

2、为实现上述目的，本发明的实施例提供了一种介质桥结构，其末端固定于桥墩的支撑面上，所述介质桥的末端形成有第一限位结构，所述桥墩的支撑面上形成有第二限位结构，

3、所述的第一限位结构与所述的第二限位结构相互作用，以至少限制所述的介质桥在水平方向上的移动。

4、在本发明的一个或多个实施方式中，所述第一限位结构为形成于所述介质桥末端上的通孔，所述第二限位结构为凸伸于所述支撑面上的凸台，所述凸台配合于所述通孔内。

5、在本发明的一个或多个实施方式中，所述凸台的顶面与所述介质桥的顶面位于同一平面，或所述凸台的顶面高于所述介质桥的顶面。

6、在本发明的一个或多个实施方式中，所述第一限位结构为凸伸出所述介质桥侧边的凸起结构，所述第二限位结构为与所述凸起结构相配合的卡槽。

7、在本发明的一个或多个实施方式中，所述卡槽的顶面与所述介质桥的顶面位于同一平面，或所述卡槽的顶面高于所述介质桥的顶面。

8、在本发明的一个或多个实施方式中，所述介质桥的材质为有机聚合物。

9、在本发明的一个或多个实施方式中，所述的桥墩的材质为金属材料。

10、为实现上述目的，本发明的实施例还提供了一种介质桥结构的制作方法，包括：

11、提供一基片；

12、在基片的表面制作出桥墩；

13、制作具有第一限位结构的介质桥，该第一限位结构形成于桥墩的支撑面上；

14、在支撑面进一步制作与所述第一限位结构相互作用的第二限位结构。

15、在本发明的一个或多个实施方式中，所述桥墩和第二限位结构的材质相同。

16、为实现上述目的，本发明的实施例还提供了一种mems器件，包括所述的介质桥结构。

17、与现有技术相比，本发明将介质桥牢牢固定在桥墩上，实现介质桥在mems器件构筑中的高稳定和可靠性。

技术特征：

1.一种介质桥结构，其末端固定于桥墩的支撑面上，其特征在于，所述介质桥的末端形成有第一限位结构，所述桥墩的支撑面上形成有第二限位结构，

2.如权利要求1所述的介质桥结构，其特征在于，所述第一限位结构为形成于所述介质桥末端上的通孔，

3.如权利要求2所述的介质桥结构，其特征在于，所述凸台的顶面与所述介质桥的顶面位于同一平面，或所述凸台的顶面高于所述介质桥的顶面。

4.如权利要求1所述的介质桥结构，其特征在于，所述第一限位结构为凸伸出所述介质桥侧边的凸起结构，

5.如权利要求4所述的介质桥结构，其特征在于，所述卡槽的顶面与所述介质桥的顶面位于同一平面，或所述卡槽的顶面高于所述介质桥的顶面。

6.如权利要求1所述的介质桥结构，其特征在于，所述介质桥的材质为有机聚合物。

7.如权利要求1所述的介质桥结构，其特征在于，所述的桥墩的材质为金属材料。

8.权利要求1至7任一所述的介质桥结构的制作方法，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的介质桥结构的制作方法，其特征在于，所述桥墩和第二限位结构的材质相同。

10.一种mems器件，其特征在于，包括权利要求1至7任一所述的介质桥结构。

技术总结本发明公开了一种介质桥结构及其制作方法、MEMS器件，所述的介质桥结构，其末端固定于桥墩的支撑面上，所述介质桥的末端形成有第一限位结构，所述桥墩的支撑面上形成有第二限位结构，所述的第一限位结构与所述的第二限位结构相互作用，以至少限制所述的介质桥在水平方向上的移动。本发明将介质桥牢牢固定在桥墩上，实现介质桥在MEMS器件构筑中的高稳定和可靠性。技术研发人员：夏先海,王逸群,张宝顺受保护的技术使用者：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所技术研发日：技术公布日：2024/1/13