MEMS产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺的制作方法

本公开涉及半导体领域，更具体地涉及一种mems产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺。

背景技术：

1、在mems产品中，钛金属常作为连接层使用。针对作为连接层的钛的刻蚀和去胶是mems产品的整体工艺控制上需要重要考虑的方面，有待进一步研究和改进。

技术实现思路

1、鉴于背景技术中存在的问题，本公开的目的在于提供一种mems产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺，其改进涉及mems产品中作为钛金属连接层的钛薄膜层的刻蚀和去胶方式以避免钛氧化造成的影响。

2、由此，一种mems产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺包括步骤：步骤一，提供待刻蚀的复合膜层，复合膜层包括从下往上依次设置的硅衬底、底层的氮化硅膜层、中间的钛薄膜以及顶层的铝膜层；步骤二，图形化设置光刻胶在顶层的铝膜层上，以使光刻胶覆盖部分的顶层的铝膜层且使光刻胶露出与光刻胶覆盖部分的顶层的铝膜层相邻两侧的部分的顶层的铝膜层；步骤三，将步骤二的完成光刻胶设置的复合膜层置于湿法刻蚀的第一腔室中，在第一腔室中从露出的顶层的铝膜层的部位刻蚀，刻蚀时间的设定为刻蚀到使光刻胶露出的顶层的铝膜层的部位被刻蚀完并使对应的钛薄膜的表面露出；步骤四，将步骤三的完成的使对应的钛薄膜的表面露出的复合膜层置于光刻胶去除设备中采用湿法去胶；步骤五，将步骤四完成的复合膜层图形化设置光刻胶，以使光刻胶包覆置于钛薄膜层上的铝膜层、以及使光刻胶隔着露出的部分钛薄膜覆盖铝膜层两侧的钛薄膜，露出的部分钛膜层对应光刻胶形成的沟槽；步骤六，将步骤五完成的复合膜层置于第二腔室中，在第二腔室中沿着沟槽进行钛薄膜刻蚀，刻蚀时间的设定为刻蚀到使沟槽露出的钛薄膜的部分被刻蚀完并使底层的氮化硅膜层露出；步骤七，将步骤六完成的使底层的氮化硅膜层露出的复合膜层置于光刻胶去除设备中去胶；步骤八，在步骤七完成的复合膜层的钛薄膜以及铝膜层上长膜形成氮化硅覆盖层。

3、本公开的有益效果如下：在本公开的mems产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺中，步骤四的去胶采用湿法，这就避免了采用o2的干法去胶对未受覆盖保护(即露出)的钛的氧化(干法去胶因为高温下进行，使得露出的钛的氧化速度快且氧化程度高)，步骤四的湿法去胶是在步骤六的钛膜层刻蚀前进行的，这样就避免了步骤四的露出的部分的钛膜层采用干法刻蚀时形成的钛氧化物对后续的步骤六的露出的部分的钛膜层进行刻蚀造成的刻蚀速率、刻蚀均匀性、甚至刻蚀获得的形貌的影响，此外，基于步骤四的湿法去胶，有利于彻底地且容易地去除钛金属连接层刻蚀去胶工艺中形成的聚合物(polymer)，进而避免聚合物残留对复合膜层构成的mems产品的性能、内部结构等造成的负面影响。

技术特征：

1.一种mems产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺，其特征在于，包括步骤：

2.根据权利要求1所述的mems产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的mems产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的mems产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的mems产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的mems产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的mems产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的mems产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的mems产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的mems产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺，其特征在于，

技术总结一种MEMS产品中钛金属连接层刻蚀去胶工艺包括步骤：步骤一，提供待刻蚀的复合膜层，复合膜层包括从硅衬底、氮化硅膜层、钛薄膜以及铝膜层；步骤二，图形化设置光刻胶铝膜层上，以使光刻胶覆盖部分的顶层的铝膜层且使光刻胶露出与光刻胶覆盖部分的顶层的铝膜层相邻两侧的部分的顶层的铝膜层；步骤三，将复合膜层置于湿法刻蚀的第一腔室中，在第一腔室中从露出的顶层的铝膜层的部位刻蚀；步骤四，采用湿法去胶；步骤五，将步骤四完成的复合膜层图形化设置光刻胶，形成沟槽；步骤六，将步骤五完成的复合膜层置于第二腔室中，沿着沟槽进行钛薄膜刻蚀；步骤七，光刻胶去除设备中去胶；步骤八，在钛薄膜以及铝膜层上长膜形成氮化硅覆盖层。技术研发人员：朱景春,李海涛,王玮,高玉波,周思豪,陈国雪,姚祥受保护的技术使用者：安徽光智科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15