减少MEMS器件中的静摩擦力的系统和方法与流程

本公开总体上涉及微机电系统(mems)，并且更具体地涉及减少mems器件中的静摩擦力(stiction)的系统和方法。

背景技术：

1、微机电系统(mems)包括通常包含通过电信号控制的移动零件的显微器件。数字微镜器件(dmd)是包括微镜组件的阵列的mems器件的一个特定示例，每个微镜组件包括能够围绕铰链旋转以引导镜表面上的光的反射的镜子。可以在单个芯片上制造这种微镜组件的阵列以便在投影仪中实现，其中每个微镜组件控制所投影的图像的独立像素。

技术实现思路

技术特征：

1.一种微机电系统mems器件，包括：

2.根据权利要求1所述的mems器件，其中所述第二金属层还包括钛。

3.根据权利要求1所述的mems器件，其中在所述第二金属层和所述第一金属层之间不存在天然氧化物。

4.根据权利要求1所述的mems器件，其中所述第二金属层不在所述臂上。

5.根据权利要求1所述的mems器件，其中所述mems器件还包括在所述通孔内位于所述第二金属层上的第三金属层。

6.根据权利要求5所述的mems器件，其中所述第三金属层包括铝、钛或硅。

7.根据权利要求5所述的mems器件，其中所述第三金属层比所述第二金属层厚。

8.根据权利要求5所述的mems器件，其中所述第一金属层具有第一厚度，所述第二金属层具有第二厚度，并且所述第三金属层具有三厚度，并且其中所述第一厚度大于所述第二厚度和所述第三厚度的组合厚度。

9.根据权利要求5所述的mems器件，还包括：

10.根据权利要求1所述的mems器件，还包括在所述通孔内的氧化硅层，所述第二金属层位于所述氧化硅层和所述第一金属层之间。

11.一种微机电系统mems器件，包括：

12.根据权利要求11所述的mems器件，其中所述第二金属层包括钛和氮。

13.根据权利要求11所述的mems器件，其中所述第一金属层和所述弹簧尖端包括不同于所述第二金属层的金属。

14.根据权利要求11所述的mems器件，还包括在所述第二金属层上的第三金属层。

15.根据权利要求14所述的mems器件，其中所述第三金属层包括铝、钛和硅。

16.根据权利要求14所述的mems器件，其中所述第三金属层比所述第二金属层厚，并且所述第一金属层比所述第三金属层厚。

17.一种制造微机电系统mems器件的方法，包括：

18.根据权利要求17所述的方法，其中沉积所述第二金属层和沉积所述第一金属层是在原位进行的。

19.根据权利要求17所述的方法，还包括：

20.根据权利要求17所述的方法，还包括图案化所述第一金属层以在所述第一金属层中形成弹簧尖端。

技术总结本申请公开了减少MEMS器件中的静摩擦力的系统和方法。一种微机电系统(MEMS)器件包括：衬底(202、418、520、606)；由衬底(202、418、520、606)支撑的通孔，该通孔(304、305、410、414、512、602)包括包含材料的第一金属层(608)；臂(604)，其延伸远离通孔(304、305、410、414、512、602)并由通孔支撑，该臂(604)包括所述材料；以及在通孔(304、305、410、414、512、602)内处于第一金属层(608)上的第二金属层(612)，其中第二金属层(612)包括氮。技术研发人员：L·韦斯基,T·林德,T·帕特森受保护的技术使用者：德克萨斯仪器股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15