封装基板及其制备方法与流程

本公开属于微机电系统，具体涉及一种封装基板及其制备方法。

背景技术：

1、微机电系统(mems,micro-electro-mechanical system)是集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的微型器件或系统。mems是一项革命性的新技术，广泛应用于高新技术产业，是一项关系到国家的科技发展、经济繁荣和国防安全的关键技术。随着信息时代迅速发展，具备高集成、小型化、多功能以及低成本的mems器件将会带来巨大的经济价值。

技术实现思路

1、本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种封装基板及其制备方法。

2、第方面，本公开实施例提供一种封装基板，其包括相对设置的第一衬底基板和第二衬底基板，设置在所述第一衬底基板和所述第二衬底基板之间的多个mems器件和支撑组件；其中，所述mems设置在所述第一衬底基板上，且与所述第二衬底基板之间具有一定间隙，所述支撑组件的两端分别与所述第一衬底基板和所述第二衬底基板相抵顶；所述mems器件和所述支撑组件在所述第一衬底基板上的正投影无重叠。

3、其中，所述支撑组件的数量为多个，且多个所述支撑组件均匀排布。

4、其中，所述封装基板划分为中间区域和环绕中间区域的周边区域；所述封装基板还包括设置在所述第一衬底基板上、与所述mems器件电连接的驱动信号线，且所述驱动信号线与所述mems位于所述第一衬底基板的同一侧；

5、所述mems器件位于所述中间区域，所述驱动信号线由所述中间区域延伸至所述周边区域；所述第二衬底基板裸露驱动信号线位于所述周边区域的部分。

6、其中，所述封装基板还包括设置在所述第一衬底基板背离所述mems器件一侧的驱动信号线，且所述驱动信号线通过贯穿所述第一衬底基板的过孔与所述mems器件电连接。

7、其中，所述封装基板划分为中间区域和环绕中间区域的周边区域；所述封装基板还包括设置在所述第一衬底基板上的第一驱动信号线和第二驱动信号线；所述第一驱动信号线与所述所述mems器件位于所述第一衬底基板的同一侧，且二者电连接；所述mems器件位于所述中间区域，所述第一驱动信号线由所述中间区域延伸至所述周边区域；所述第二衬底基板裸露第一驱动信号线位于所述周边区域的部分；

8、所述第二驱动信号线设置在所述第一衬底基板背离所述mems器件的一侧，且所述第二驱动信号线通过贯穿所述第一衬底基板的过孔与所述mems器件电连接。

9、其中，所述封装基板划分为中间区域和环绕中间区域的周边区域；所述mems器件位于所述中间区域；所述封装基板还包括设置在所述第一衬底基板和所述第二衬底基板之间，且位于所述周边区域的密封组件。

10、其中，在所述密封组件和所述第一衬底基板、第二衬底基板限定的空间内填充有惰性气体。

11、其中，所述支撑组件在所述第一衬底基板上的正投影呈环形、三角形、十字型、y字型中的任意一种。

12、其中，所述第二衬底基板包括玻璃基。

13、第二方面，本公开实施例提供一种封装基板的制备方法，其包括：提供一第一衬底基板，在所述第一衬底基板上形成多个mems器件；将所述第一衬底基板和第二衬底基板对盒，以及在所述第一衬底基板和所述第二衬底基板之间形成支撑组件；

14、其中，所述mems器件与所述第二衬底基板之间具有一定间隙，所述支撑组件的两端分别与所述第一衬底基板和所述第二衬底基板相抵顶；所述mems器件和所述支撑组件在所述第一衬底基板上的正投影无重叠。

15、其中，所述将所述第一衬底基板和第二衬底基板对盒，以及在所述第一衬底基板和所述第二衬底基板之间形成支撑组件的步骤包括：

16、在所述第二衬底基板上形成所述支撑组件；

17、将形成有所述mems器件的第一衬底基板和形成有所述支撑组件的第二衬底基板相对盒。

18、其中，所述封装基板的制备方法还包括：

19、在所述第一衬底基板上形成与所述mems器件同侧、且与所述mems器件电连接的驱动信号线；

20、所述封装基板包括中间区域和环绕中间区域的周边区域，在所述将所述第一衬底基板和第二衬底基板对盒之后还包括：

21、对所述第二衬底基板进行切割，以裸露所述驱动信号线延伸至所述周边区域的部分。

22、其中，所述第一衬底基板具有沿其厚度方向贯穿的过孔；所述制备方法还包括：

23、在所述第一衬底基板背离所述mems器件的一侧形成驱动信号线，所述驱动信号线通过所述过孔与所述mems器件电连接。

24、其中，所述封装基板包括中间区域和环绕中间区域的周边区域；所述第一衬底基板具有沿其厚度方向贯穿的过孔；所述制备方法还包括：

25、在所述第一衬底基板上形成与所述mems器件同侧、且与所述mems器件电连接的第一驱动信号线；

26、在所述第一衬底基板背离所述mems器件的一侧形成第二驱动信号线，所述第二驱动信号线通过所述过孔与所述mems器件电连接；

27、在所述将所述第一衬底基板和第二衬底基板对盒之后还包括：

28、对所述第二衬底基板进行切割，以裸露所述第一驱动信号线延伸至所述周边区域的部分。

29、其中，所述封装基板包括中间区域和环绕中间区域的周边区域；所述制备方法还包括：

30、在所述第一衬底基板和所述第二衬底基板之间形成位于所述周边区域的密封组件。

31、其中，所述制备方法还包括：在所述密封组件和所述第一衬底基板、第二衬底基板限定的空间内填充惰性气体。

技术特征：

1.一种封装基板，其包括相对设置的第一衬底基板和第二衬底基板，设置在所述第一衬底基板和所述第二衬底基板之间的多个mems器件和支撑组件；其中，所述mems设置在所述第一衬底基板上，且与所述第二衬底基板之间具有一定间隙，所述支撑组件的两端分别与所述第一衬底基板和所述第二衬底基板相抵顶；所述mems器件和所述支撑组件在所述第一衬底基板上的正投影无重叠。

2.根据权利要求1所述的封装基板，其中，所述支撑组件的数量为多个，且多个所述支撑组件均匀排布。

3.根据权利要求1所述的封装基板，其中，所述封装基板划分为中间区域和环绕中间区域的周边区域；所述封装基板还包括设置在所述第一衬底基板上、与所述mems器件电连接的驱动信号线，且所述驱动信号线与所述mems位于所述第一衬底基板的同一侧；

4.根据权利要求1所述的封装基板，其中，所述封装基板还包括设置在所述第一衬底基板背离所述mems器件一侧的驱动信号线，且所述驱动信号线通过贯穿所述第一衬底基板的过孔与所述mems器件电连接。

5.根据权利要求1所述的封装基板，其中，所述封装基板划分为中间区域和环绕中间区域的周边区域；所述封装基板还包括设置在所述第一衬底基板上的第一驱动信号线和第二驱动信号线；所述第一驱动信号线与所述所述mems器件位于所述第一衬底基板的同一侧，且二者电连接；所述mems器件位于所述中间区域，所述第一驱动信号线由所述中间区域延伸至所述周边区域；所述第二衬底基板裸露第一驱动信号线位于所述周边区域的部分；

6.根据权利要求1所述的封装基板，其中，所述封装基板划分为中间区域和环绕中间区域的周边区域；所述mems器件位于所述中间区域；所述封装基板还包括设置在所述第一衬底基板和所述第二衬底基板之间，且位于所述周边区域的密封组件。

7.根据权利要求6所述封装基板，其中，在所述密封组件和所述第一衬底基板、第二衬底基板限定的空间内填充有惰性气体。

8.根据权利要求1所述的封装基板，其中，所述支撑组件在所述第一衬底基板上的正投影呈环形、三角形、十字型、y字型中的任意一种。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的封装基板，其中，所述第二衬底基板包括玻璃基。

10.一种封装基板的制备方法，其包括：提供一第一衬底基板，在所述第一衬底基板上形成多个mems器件；将所述第一衬底基板和第二衬底基板对盒，以及在所述第一衬底基板和所述第二衬底基板之间形成支撑组件；

11.根据权利要求10所述的封装基板的制备方法，其中，所述将所述第一衬底基板和第二衬底基板对盒，以及在所述第一衬底基板和所述第二衬底基板之间形成支撑组件的步骤包括：

12.根据权利要求10所述的封装基板的制备方法，其中，还包括：

13.根据权利要求10所述的封装基板的制备方法，其中，所述第一衬底基板具有沿其厚度方向贯穿的过孔；所述制备方法还包括：

14.根据权利要求10所述的封装基板的制备方法，其中，所述封装基板包括中间区域和环绕中间区域的周边区域；所述第一衬底基板具有沿其厚度方向贯穿的过孔；所述制备方法还包括：

15.根据权利要求10所述的封装基板的制备方法，其中，所述封装基板包括中间区域和环绕中间区域的周边区域；所述制备方法还包括：

16.根据权利要求15所述的封装基板的制备方法，其中，所述制备方法还包括：在所述密封组件和所述第一衬底基板、第二衬底基板限定的空间内填充惰性气体。

技术总结本公开提供一种封装基板及其制备方法，属于微机电系统技术领域。本公开的封装基板，其包括相对设置的第一衬底基板和第二衬底基板，设置在所述第一衬底基板和所述第二衬底基板之间的多个MEMS器件和支撑组件；其中，所述MEMS设置在所述第一衬底基板上，且与所述第二衬底基板之间具有一定间隙，所述支撑组件的两端分别与所述第一衬底基板和所述第二衬底基板相抵顶；所述MEMS器件和所述支撑组件在所述第一衬底基板上的正投影无重叠。技术研发人员：郭景文,吴倩红,李春昕,刘建兴,赵建昀,曹子博,曲峰,李必奇,王帅受保护的技术使用者：北京京东方技术开发有限公司技术研发日：技术公布日：2024/3/31