晶圆缺陷聚簇检测方法、装置、电子装置和存储介质与流程

本申请涉及半导体，特别是涉及晶圆缺陷聚簇检测方法、装置、电子装置和存储介质。

背景技术：

1、随着半导体制造技术尺寸的不断缩小，制造工艺也越来越复杂，晶圆的制造和封装是个涉及几百步工艺的长而复杂的过程，污染和材料的变化将结合到工艺中造成晶圆的缺陷损失。晶圆的缺陷包含很多种，比如短路、断路、杂质沾污等。通常，工厂将在工艺的三个主要点监测，分别是晶圆制造工艺完成时、晶圆中测后和封装完成时进行终测，通过检测的缺陷结果对缺陷进行相关的分析，进而对生产工艺进行改进以提高良品率。在晶圆制造工艺中，缺陷已成为制约良品率提升的关键，维持及提高工艺和产品的良品率对半导体工业至关重要。根据晶圆上缺陷的分布状态可以分为重复缺陷、聚簇缺陷、线性分布缺陷、环状分布缺陷等。在一些情况下，缺陷可能会集中出现在晶圆的某个区域，呈密集分布状即聚簇缺陷，目前，对于聚簇缺陷的检测和分析主要是通过人工识别缺陷结果，然后对缺陷结果做进一步的分析，但随着半导体产能的不断提升，每天产生的缺陷图像数据越来越多，且往往一道制程就会产生上千张缺陷图像，因此人工检测和分析就显得效率较低。

2、针对相关技术中存在识别晶圆缺陷聚簇效率低的问题，目前还没有提出有效的解决方案。

技术实现思路

1、在本实施例中提供了一种晶圆缺陷聚簇检测方法、装置、电子装置和存储介质，以解决相关技术中识别晶圆缺陷聚簇效率低的问题。

2、第一个方面，在本实施例中提供了一种晶圆缺陷聚簇检测方法，包括：

3、从n个缺陷中选择第n个未统计缺陷作为当前待统计缺陷；

4、执行循环过程直至满足预设条件，循环过程包括：

5、计算当前待统计缺陷与其他未统计缺陷之间的相邻距离；

6、将与当前待统计缺陷之间的相邻距离小于或等于预设距离阈值的缺陷，合并至初始统计缺陷集合，并作为新的当前待统计缺陷；其中，初始统计缺陷集合用于存储所有符合预设的距离阈值的缺陷；

7、其中，预设条件为当前待统计缺陷与所有未统计缺陷的相邻距离大于预设的距离阈值；n为不大于n的任意正整数；

8、判断初始统计缺陷集合中的缺陷个数，若大于或等于预设的个数阈值，则将初始统计缺陷集合识别为目标聚簇缺陷。

9、在其中的一些实施例中，n个缺陷位于目标晶圆上，计算当前待统计缺陷与其他未统计缺陷之间的相邻距离，包括：

10、将目标晶圆进行网格划分，得到若干最小单元，计算当前待统计缺陷与其所处的最小单元和/或相近的最小单元的未统计缺陷之间的相邻距离。

11、在其中的一些实施例中，若干最小单元的长和宽等于预设的距离阈值。

12、在其中的一些实施例中，在计算当前待统计缺陷与其所处的最小单元和/或相近的最小单元的未统计缺陷之间的相邻距离之前，还包括：

13、对若干最小单元进行网格编号；

14、将目标晶圆的所有缺陷按照所处的网格编号进行分组，得到分组后的缺陷集合；

15、按分组顺序，计算当前待统计缺陷与其所处的分组后的缺陷集合中的未统计缺陷之间的相邻距离。

16、在其中的一些实施例中，若相邻距离大于预设的距离阈值，则舍弃与当前进行相邻距离计算的未统计缺陷，并计算下一个未统计缺陷与当前待统计缺陷之间的相邻距离。

17、在其中的一些实施例中，判断初始统计缺陷集合中的缺陷个数，若缺陷个数小于预设的个数阈值，则将初始统计缺陷集合识别为随机缺陷。

18、在其中的一些实施例中，遍历目标晶圆上的所有缺陷，得到第一目标聚簇缺陷集合，第一目标聚簇缺陷集合由目标晶圆上所有的目标聚簇缺陷构成；

19、将预设的距离阈值放大预设的倍数得到预设的第二距离阈值；

20、将预设的个数阈值放大相同的预设的倍数得到预设的第二个数阈值；

21、根据预设的第二距离阈值和预设的第二个数阈值对初始目标聚簇缺陷集合进行二次簇统计，得到第二目标聚簇缺陷集合；

22、根据第二目标聚簇缺陷集合分析晶圆缺陷原因。

23、第二个方面，在本实施例中提供了一种晶圆缺陷聚簇检测装置，包括：选择模块、循环检测模块和判断模块，其中，

24、选择模块，用于从n个缺陷中选择第n个未统计缺陷作为当前待统计缺陷；

25、循环检测模块，用于执行循环过程直至满足预设条件，循环过程包括：

26、计算当前待统计缺陷与其他未统计缺陷之间的相邻距离；

27、将与当前待统计缺陷之间的相邻距离小于或等于预设距离阈值的缺陷，合并至初始统计缺陷集合，并作为新的当前待统计缺陷；其中，初始统计缺陷集合用于存储所有符合预设的距离阈值的缺陷；

28、其中，预设条件为当前待统计缺陷与所有未统计缺陷的相邻距离大于预设的距离阈值；n为不大于n的任意正整数；

29、判断模块，用于判断初始统计缺陷集合中的缺陷个数，若大于或等于预设的个数阈值，则将初始统计缺陷集合识别为目标聚簇缺陷。

30、第三个方面，在本实施例中提供了一种电子装置，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述第一个方面所述的晶圆缺陷聚簇检测方法。

31、第四个方面，在本实施例中提供了一种存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现上述第一个方面所述的晶圆缺陷聚簇检测方法。

32、与相关技术相比，在本实施例中提供的晶圆缺陷聚簇检测方法，通过从n个缺陷中选择第n个未统计缺陷作为当前待统计缺陷；执行循环过程直至满足预设条件，循环过程包括：计算当前待统计缺陷与其他未统计缺陷之间的相邻距离；将与当前待统计缺陷之间的相邻距离小于或等于预设距离阈值的缺陷，合并至初始统计缺陷集合，并作为新的当前待统计缺陷；其中，初始统计缺陷集合用于存储所有符合预设的距离阈值的缺陷；其中，预设条件为当前待统计缺陷与所有未统计缺陷的相邻距离大于预设的距离阈值；n为不大于n的任意正整数；判断初始统计缺陷集合中的缺陷个数，若大于或等于预设的个数阈值，则将初始统计缺陷集合识别为目标聚簇缺陷，提高了识别晶圆缺陷聚簇的效率。

33、本申请的一个或多个实施例的细节在以下附图和描述中提出，以使本申请的其他特征、目的和优点更加简明易懂。

技术特征：

1.一种晶圆缺陷聚簇检测方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆缺陷聚簇检测方法，其特征在于，所述n个缺陷位于目标晶圆上，所述计算所述当前待统计缺陷与其他未统计缺陷之间的相邻距离，包括：

3.根据权利要求2所述的晶圆缺陷聚簇检测方法，其特征在于，所述若干最小单元的长和宽等于所述预设的距离阈值。

4.根据权利要求2所述的晶圆缺陷聚簇检测方法，其特征在于，所述在计算所述当前待统计缺陷与其所处的最小单元和/或相近的最小单元的未统计缺陷之间的相邻距离之前，所述方法还包括：

5.根据权利要求1所述的晶圆缺陷聚簇检测方法，其特征在于，所述方法还包括：

6.根据权利要求1所述的晶圆缺陷聚簇检测方法，其特征在于，所述方法还包括：

7.根据权利要求1所述的晶圆缺陷聚簇检测方法，其特征在于，所述方法还包括：

8.一种晶圆缺陷聚簇检测装置，其特征在于，包括：选择模块、循环检测模块和判断模块，其中，

9.一种电子装置，包括存储器和处理器，其特征在于，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器被设置为运行所述计算机程序以执行权利要求1至权利要求7中任一项所述的晶圆缺陷聚簇检测方法。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至权利要求7中任一项所述的晶圆缺陷聚簇检测方法的步骤。

技术总结本申请涉及一种晶圆缺陷聚簇检测方法、装置、电子装置和存储介质，其中，该晶圆缺陷聚簇检测方法包括：从N个缺陷中选择第n个未统计缺陷作为当前待统计缺陷；执行循环过程：计算当前待统计缺陷与其他未统计缺陷之间的相邻距离；将与当前待统计缺陷之间的相邻距离小于或等于预设的距离阈值的缺陷，合并至初始统计缺陷集合，并作为新的当前待统计缺陷；直至当前待统计缺陷与其他所有未统计缺陷之间的相邻距离大于预设的距离阈值，停止循环，得到初始统计缺陷集合；判断初始统计缺陷集合中的缺陷个数，若大于或等于预设的个数阈值，则将初始统计缺陷集合识别为目标聚簇缺陷。通过本申请，提高了识别晶圆缺陷聚簇的效率。技术研发人员：王子鑫,刘永利,叶思放受保护的技术使用者：杭州广立微电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29