一种基准补偿电路及电子设备

本申请涉及集成电路设计与应用，尤其涉及一种基准补偿电路及电子设备。

背景技术：

1、带隙基准电路通常用于为后级电路提供基准信号，该参考信号要求与负载、功率供给、温度漂移、时间等因素无关，能保持始终恒定的电压。然而，现有的带隙基准电路极容易产生正温度系数电压与负温度系数电压之间的比例偏差，导致基准信号很难做到与温度不相关，从而影响系统测量和校准的精度。

2、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种基准补偿电路及电子设备。

2、本申请第一方面实施例提出了一种基准补偿电路，包括：

3、信号生成模块，所述信号生成模块基于温度变化对内部电压进行调整，生成对应的基准信号；

4、补偿模块，所述补偿模块与所述信号生成模块连接，通过生成补偿信号消除所述信号生成模块中由温度偏差引起的干扰，使所述基准信号与温度不相关。

5、本申请第二方面实施例提出了一种基准补偿方法，适用于本申请第一方面实施例提出了的基准补偿电路，包括：

6、基于温度变化对信号生成模块内部电压的调整操作，获取对应的基准信号；

7、响应于补偿补偿信号对信号生成模块执行的消除干扰操作，使所述基准信号与温度不相关。

8、本申请第三方面实施例提出了一种电子设备，包括：处理器；用于存储所述处理器可执行指令的存储器；其中，所述处理器被配置为执行所述指令，以实现本申请第一方面实施例提出的基准补偿方法。

9、本申请第四方面实施例提出了一种非临时性计算机可读存储介质，当所述存储介质中的指令由电子设备的处理器执行时，使得电子设备能够执行本申请第一方面实施例提出的方法。

10、本申请第五方面实施例提出了一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序在被通信设备中的处理器执行时实现本申请第一方面实施例提出的方法。

11、本申请的实施例提供的技术方案至少带来以下有益效果：

12、通过补偿模块生成的补偿信号消除由正温度系数电压与负温度系数电压之间的比例偏差引起的干扰，使基准信号与温度不相关，极大地提高系统测量和校准的精度，且结构简单，操作简便，具有广泛的适用性。

13、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

技术特征：

1.一种基准补偿电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基准补偿电路，其特征在于，所述信号生成模块包括第一单元及第二单元，其中，所述第一单元与工作电压连接，生成电压变化与温度变化呈正相关性的第一信号；所述第二单元的输出端与所述第一单元的输入端连接，对所述第一信号的电压变化与温度变化的关系进行取反操作，生成所述基准信号。

3.根据权利要求2所述的基准补偿电路，其特征在于，所述第一单元包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第一nmos管、第二nmos管、第一晶体管、第二晶体管及第一电阻，其中，所述第一pmos管的源极与工作电压连接；所述第二pmos管的源极与所述第一pmos管的源极连接，所述第二pmos管的栅极与所述第一pmos管的栅极及漏极连接；所述第三pmos管的源极与所述第一pmos管的漏极连接；所述第四pmos管的源极与所述第二pmos管的漏极连接，所述第四pmos管的栅极与所述第三pmos管的栅极及漏极连接；所述第一nmos管的漏极与所述第三pmos管的漏极连接；所述第二nmos管的漏极与所述第四pmos管的漏极连接，所述第二nmos管的栅极与所述第一nmos管的栅极及所述第四pmos管的漏极连接；所述第一晶体管的发射极与所述第一nmos管的源极连接；所述第二晶体管的集电极与所述第二nmos管的源极连接，所述第二晶体管的基极与所述第一晶体管的积极连接，所述第二晶体管的发射极与参考地连接；所述第一电阻连接于所述第一晶体管的集电极与所述第二晶体管的发射极之间。

4.根据权利要求3所述的基准补偿电路，其特征在于，所述第二单元包括第二电阻、第三晶体管、第五pmos管及第六pmos管，其中，所述第五pmos管的源极与工作电压连接，所述第五pmos管的栅极与所述第二pmos管的栅极连接；所述第六pmos管的源极与所述第五pmos管的漏极连接，所述第六pmos管的栅极与所述第三pmos管的栅极连接；所述第二电阻的第一端与所述第六pmos管的漏极连接；所述第三晶体管的基极及集电极均与所述第二电阻的第二端连接，所述第三晶体管的发射极与参考地连接。

5.根据权利要求1或2所述的基准补偿电路，其特征在于，所述补偿模块包括第三nmos管、第七pmos管、第八pmos管、第九pmos管及第十pmos管，其中，所述第七pmos管的源极与工作电压连接；所述第八pmos管的源极与所述第七pmos管的源极连接，所述第八pmos管的栅极与所述第七pmos管的栅极连接；所述第九pmos管的源极与所述第七pmos管的漏极连接；所述第十pmos管的源极与所述第八pmos管的漏极连接，所述第十pmos管的栅极与所述第九pmos管的栅极及漏极连接，所述第十pmos管的漏极与所述信号生成模块连接；所述第三nmos管的漏极与所述第九pmos管的漏极连接，所述第三nmos管的栅极及源极均与所述信号生成模块连接。

6.一种基准补偿方法，其特征在于，适用于如权利要求1-5中任一项所述的基准补偿电路，包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述基于温度变化对信号生成模块内部电压的调整操作，获取对应的基准信号，包括：

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，包括：所述响应于补偿补偿信号对信号生成模块执行的消除干扰操作，使所述基准信号与温度不相关，包括：

9.一种电子设备，其特征在于，包括：

10.一种非临时性计算机可读存储介质，其特征在于，当所述存储介质中的指令由电子设备的处理器执行时，使得电子设备能够执行如权利要求6至8中任一项所述的方法。

技术总结本申请提出一种基准补偿电路及电子设备，包括：信号生成模块，所述信号生成模块基于温度变化对内部电压进行调整，生成对应的基准信号；补偿模块，所述补偿模块与所述信号生成模块连接，通过生成补偿信号消除所述信号生成模块中由温度偏差引起的干扰，使所述基准信号与温度不相关。通过补偿模块生成的补偿信号消除由正温度系数电压与负温度系数电压之间的比例偏差引起的干扰，使基准信号与温度不相关，极大地提高系统测量和校准的精度，且结构简单，操作简便，具有广泛的适用性。技术研发人员：李响受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所技术研发日：技术公布日：2024/6/18