一种基于GaAspHEMT工艺的电压基准产生电路及射频芯片的制作方法

本技术涉及领域射频，更具体地说，涉及一种基于gaas phemt工艺的电压基准产生电路及射频芯片。

背景技术：

1、芯片上的电压基准一般都是在硅基中设计带隙基准(bandgap)，从而提供稳定的不随温度变化的基准电压。根据bandgap结构中两个不同电流密度的bjt(双极性结型晶体管)管子的结电压差来提供正温度系数，而二极管结压本身具有负温度系数，通过加权组合提供零温度系数的电压vref。如图1所示的cmos(互补金属氧化物半导体)带隙基准电路在硅基cmos工艺上得到广泛的应用。

2、在射频应用领域，为了追求更高的射频性能，需要应用gaas(砷化镓半导体)phemt(赝调制掺杂异质结场效应晶体管)工艺，然而，现有的cmos带隙基准电路无法在phemt工艺中实现，其存在以下缺点：

3、1.为了提供稳定的基准电压，需要在模组中集成cmos芯片，通过基板打线和phemt芯片封装在一起，而这样封装尺寸增大，提高了芯片成本；

4、2.phemt只有e/d mode管子，其gate端具有一定的漏电流，无法像mos一样具有绝缘特性的gate端，从而无法做到零输入电流的运放，导致两个支路失配较大；

5、3.需要增加启动电路，增加电路复杂性。

技术实现思路

1、本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提出一种基于gaas phemt工艺的电压基准产生电路及射频芯片。

2、本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：提出一种基于gaas phemt工艺的电压基准产生电路，包括：电压基准电路，所述电压基准电路包括：正温度系数电流偏置电路，所述正温度系数电流偏置电路包括:phemt管p1和可变电阻r1,所述phemt管p1的源极接入电源vdd，所述phemt管p1的漏极输出基准电压vref，所述phemt管p1的漏极连接所述可变电阻r1的第一端，所述可变电阻r1的第二端连接所述phemt管p1的栅极和可变电阻r2的第一端，所述可变电阻r2的第二端连接电阻r3的第一端和phemt管p2的漏极，所述电阻r3的第二端连接所述phemt管p2的栅极，所述phemt管p2的源极接地。

3、在一些实施例中，所述正温度系数电流偏置电路还包括若干个与所述phemt管p1相同的phemt管q1-qn，所述phemt管q1-qn与所述phemt管为同栅串联的casecode结构。

4、在一些实施例中，还包括：驱动电路，所述驱动电路包括：phemt管p3、phemt管p4、phemt管p5、所述电阻r4、所述电阻r5、所述电阻r6和所述电阻r7；

5、所述phemt管p3的栅极接入所述基准电压vref，所述phemt管p3的漏极连接电源vcc，所述phemt管p3的源极连接所述电阻r7的第一端和所述phemt管p4的源极，所述电阻r7的第二端接地，所述phemt管p4的漏极连接所述phemt管p5的栅极和所述电阻r4的第一端，所述phemt管p5的源极连接所述电源vcc，所述phemt管p5的漏极连接所述电阻r4的第二端、所述电阻r5的第一端并输出输出电源vout，所述电阻r5的第二端连接所述phemt管p4的栅极和所述电阻r6的第一端，所述电阻r6的第二端接地。

6、本实用新型还提供一种射频芯片，包括上述任一项基于gaas phemt工艺的电压基准产生电路。

7、实施本实用新型的基于gaas phemt工艺的电压基准产生电路，具有以下有益效果：相比现有的硅基带隙基准电压电路，该基于gaas phemt工艺的电压基准产生电路可以产生零温度系数的基准电压，且电路结构简单，功耗低，不用额外提供硅基带隙基准电压，可与phemt工艺设计的射频模块集成单芯片，实现电压基准。

技术特征：

1.一种基于gaas phemt工艺的电压基准产生电路，其特征在于，包括：电压基准电路，所述电压基准电路包括：正温度系数电流偏置电路，所述正温度系数电流偏置电路包括:phemt管p1和可变电阻r1,所述phemt管p1的源极接入电源vdd，所述phemt管p1的漏极输出基准电压vref，所述phemt管p1的漏极连接所述可变电阻r1的第一端，所述可变电阻r1的第二端连接所述phemt管p1的栅极和可变电阻r2的第一端，所述可变电阻r2的第二端连接电阻r3的第一端和phemt管p2的漏极，所述电阻r3的第二端连接所述phemt管p2的栅极，所述phemt管p2的源极接地。

2.根据权利要求1所述的基于gaas phemt工艺的电压基准产生电路，其特征在于，所述正温度系数电流偏置电路还包括若干个与所述phemt管p1相同的phemt管q1-qn，所述phemt管q1-qn与所述phemt管为同栅串联的casecode结构。

3.根据权利要求2所述的基于gaas phemt工艺的电压基准产生电路，其特征在于，还包括：驱动电路，所述驱动电路包括：phemt管p3、phemt管p4、phemt管p5、所述电阻r4、所述电阻r5、所述电阻r6和所述电阻r7；

4.一种射频芯片，其特征在于，包括权利要求1-3任一项所述的基于gaas phemt工艺的电压基准产生电路。

技术总结本技术涉及一种基于GaAs pHEMT工艺的电压基准产生电路及射频芯片，包括：电压基准电路，电压基准电路包括：正温度系数电流偏置电路，正温度系数电流偏置电路包括:phemt管P1和可变电阻R1，phemt管P1的源极接入电源VDD，phemt管P1的漏极输出基准电压Vref，phemt管P1的漏极连接可变电阻R1的第一端，可变电阻R1的第二端连接phemt管P1的栅极和可变电阻R2的第一端，可变电阻R2的第二端连接电阻R3的第一端和phemt管P2的漏极，电阻R3的第二端连接phemt管P2的栅极，phemt管P2的源极接地。技术研发人员：许育森,张海涛,张泽洲受保护的技术使用者：芯百特微电子（无锡）有限公司技术研发日：20231031技术公布日：2024/6/18