一种低功耗低温漂基准电压源电路的制作方法

本发明涉及一种电压电源电路，尤其是一种低功耗低温漂基准电压源电路。

背景技术：

1、如图5所示，基准电压源是模拟电路中的重要模块，随着电子设备在各个领域的广泛应用，对功耗和性能稳定性的要求不断提高。在一些特殊环境条件下，例如低温环境，传统的电子器件往往表现出不稳定的性能，主要是由于温度漂移引起的。低温环境下，电子元件的电学特性容易发生变化，导致电路的输出不可靠，降低了设备的性能。

2、此外，随着对能源效率的关注不断增加，对低功耗电子器件的需求也逐渐加大。在一些依赖电池供电的移动设备和传感器应用中，降低功耗能够延长电池寿命，减少更换电池的频率，从而提高设备的可用性和用户体验是亟待解决的问题。

技术实现思路

1、为解决上述传统电子器件在低温环境下的性能不稳定的问题，问题，本发明提供一种经济高效、稳定可靠的低功耗低温漂基准电压源电路，以适应广泛的低功耗低温漂应用需求，具体技术方案为：

2、一种低功耗低温漂基准电压源电路，包括正温度系数电路、负温度系数电路、高阶温度补偿电路和基准电压输出电路；所述正温度系数电路和所述负温度系数电路产生低温漂电流；所述高阶温度补偿电路对所述低温漂电流进行高阶补偿；所述正温度系数电路包括：四个pmos管m1～m4、四个nmos管m5～m8、一个nmos管m13、两个pnp晶体管q1～q2以及三个电阻r1～r3；所述负温度系数电路包括两个电阻r4～r5；所述高阶温度补偿电路包括pmos管m9～m10、两个电阻r6～r7以及一个pnp晶体管q3；所述基准电压输出电路包括两个pmos管m11～m12以及一个电阻r8。

3、优选的，所述pmos管m1的源极接电源vdd，所述pmos管m1的漏极接所述pmos管m3的源极，所述pmos管m1的栅极接所述pmos管m3的漏极；所述pmos管m2的源极接电源vdd，所述pmos管m2的漏极接所述pmos管m4的源极，所述pmos管m2的栅极接所述pmos管m1的栅极和所述pmos管m9的栅极；所述pmos管m3的漏极接所述电阻r1的一端，所述pmos管m3的漏极接所述电阻r1的另一端；所述pmos管m4的栅极接所述pmos管m3的栅极和所述pmos管m10的栅极；所述nmos管m5的漏极接所述电阻r1的另一端，所述nmos管m5的源极接所述nmos管m7的漏极，所述nmos管m5的栅极接所述nmos管m6的栅极、所述pmos管m4的漏极以及电阻r2的一端；所述nmos管m6的漏极接电阻r2的另一端和所述nmos管m8的栅极，所述nmos管m6的源极接所述nmos管m8的漏极；所述nmos管m7的栅极接所述nmos管m8的栅极，所述nmos管m7的源极接所述电阻r3的一端，所述电阻r3的另一端接所述pnp晶体管q1的发射极；所述nmos管m8的源极接所述pnp晶体管q2的发射极；所述pnp晶体管q1的集电极、所述pnp晶体管q2的集电极，所述pnp晶体管q1的基极、所述pnp晶体管q2的基极接gnd；所述nmos管m13的栅极接所述pmos管m1的栅极，所述nmos管m13的漏极接所述nmos管m13的栅极，所述nmos管m13的源极接所述nmos管m5的栅极。

4、优选的，所述pmos管m1和所述pmos管m2采用相同尺寸和规格的pmos；所述pmos管m3和所述pmos管m4采用相同尺寸和规格的pmos；所述nmos管m5和所述nmos管m6采用相同尺寸和规格的nmos；所述nmos管m7和所述nmos管m8采用相同尺寸和规格的nmos；所述电阻r1和电阻r2采用相同尺寸和规格。

5、优选的，所述pnp晶体管q1由八个pnp晶体管并联构成；所述pnp晶体管q2、所述pnp晶体管q3由单个晶体管构成。

6、优选的，所述电阻r4一端接所述nmos管m7的源极，另一端接所述pnp晶体管q1的集电极；所述电阻r5一端接所述nmos管m8的源极，另一端接所述pnp晶体管q2的集电极。

7、优选的，所述电阻r4和所述电阻r5采用相同尺寸和规格的电阻；所述电阻r4和所述电阻r3的阻值之比为33：4。

8、优选的，所述pmos管m9的源极接vdd，所述pmos管m9的栅极接所述pmos管m2的栅极和所述pmos管m11的栅极，所述pmos管m9的漏极接所述pmos管m10的源极；所述pmos管m10的源极接vdd，所述pmos管m10的漏极接所述pmos管m12的源极；所述pmos管m10的栅极接所述pmos管m4的栅极和所述pmos管m12的栅极，所述pmos管m10的漏极接所述pnp晶体管q3的发射极；所述pmos管m12的漏极接所述电阻r8的一端和基准电压输出，所述电阻r8的另一端接gnd；所述电阻r6的一端接所述nmos管m8的源极，另一端接所述pmos管m10的漏极；所述电阻r7的一端接所述nmos管m7的源极，另一端接所述pmos管m10的漏极；所述pnp晶体管q3的集电极和基极接gnd。

9、优选的，所述pmos管m9和所述pmos管m11采用和所述pmos管m1相同尺寸和规格的pmos；所述pmos管m10和所述pmos管m12采用和所述pmos管m3相同尺寸和规格的pmos；所述电阻r6和所述电阻r7采用相同尺寸和规格的电阻，所述电阻r6和所述电阻r3的阻值之比为12：4。

10、与现有技术相比本发明具有以下有益效果：

11、本发明提供的一种低功耗低温漂基准电压源电路把运算放大器换成了由m1～m8晶体管和r1～r2电阻构成电流镜结构，实现了经典的带隙基准核心电路的钳位功能，降低了电路的总电流；增加r4～r5电阻来产生负温度系数电流，增加r6～r7电阻来对电流进行高阶温度补偿，这些不同的温度系数按照一定比例相加，可实现温度系数的互补，从而得到极低温漂的基准电压源电路。

技术特征：

1.一种低功耗低温漂基准电压源电路，其特征在于：包括正温度系数电路、负温度系数电路、高阶温度补偿电路和基准电压输出电路；

2.根据权利要求1所述的一种低功耗低温漂基准电压源电路，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的一种低功耗低温漂基准电压源电路，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的一种低功耗低温漂基准电压源电路，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的一种低功耗低温漂基准电压源电路，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的一种低功耗低温漂基准电压源电路，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的一种低功耗低温漂基准电压源电路，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的一种低功耗低温漂基准电压源电路，其特征在于，

技术总结本发明公开了一种低功耗低温漂基准电压源电路，包括正温度系数电路、负温度系数电路、高阶温度补偿电路和基准电压输出电路。通过正温度系数电路和负温度系数电路产生低温漂电流；高阶温度补偿电路对低温漂电流进行高阶补偿。此项发明为未来电子设备在需求低功耗、低温度漂移等工作条件下提供了一种创新的电压参考解决方案。技术研发人员：李宜磊,梁国春,江顺喜,黄振新,周方平受保护的技术使用者：江苏贝孚德通讯科技股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/23