通信电源、MOS器件测评方法及系统与流程

本发明涉及电源，具体地涉及一种通信电源、一种mos器件测评方法及一种mos器件测评系统。

背景技术：

1、通信电源应用于各类复杂恶劣的环境中，内部元器件会长时间承受高压应力和高热应力。根据研究统计，通信系统运行中供电异常是常见的故障之一，属于故障高发设备，并且研究表明功率器件金氧半场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor，mosfet)简称mos，发生故障，是通信电源的发生故障的最主要的原因。

2、对于现有的通信电源，若要进行基于实际工况的可靠性考核，往往是将通信电源拆下并输出接到负载中进行mos老化，若要对mos进行双脉冲测试，需要将mos从通信电源中拆卸下来，这样不仅可能会对通信电源造成损伤，时间和人力成本也是巨大的。

3、因此，现有的通信电源存在对于mos测量不准确，需花费大量时间和人力成本的问题。

技术实现思路

1、本发明实施例的目的是提供一种通信电源、一种mos器件测评方法及一种mos器件测评系统，该通信电源通过协同控制模式切换电路和移相全桥中的mos器件的开关状态，就可以方便快捷地实现mos双脉冲测试，避免了拆卸通信电源中的mos器件，使得mos双脉冲测试更加准确。

2、为了实现上述目的，本申请第一方面提供一种通信电源，包括：前级电路、移相全桥电路、模式切换电路、变压器、输出电路和控制模块，所述前级电路与所述移相全桥电路连接，所述移相全桥电路与所述模式切换电路连接，所述模式切换电路与所述变压器连接，所述变压器与所述输出电路连接，所述模式切换电路与所述控制模块连接；

3、所述前级电路用于将输入的交流电源转换为直流电源，并将所述直流电源输入至所述移相全桥电路；

4、所述移相全桥电路用于获取pwm信号，并通过所述pwm信号控制所述移相全桥电路中mos管的通断状态；

5、所述控制模块用于控制所述模式切换电路的通断状态，以使通信电源处于不同的运行工况；

6、所述输出电路用于输出在不同运行工况下的电压。

7、在本申请实施例中，所述移相全桥电路与所述控制模块连接；

8、所述控制模块用于生成pwm信号，并将所述pwm信号发送至所述移相全桥电路。

9、在本申请实施例中，所述移相全桥电路包括谐振电感和四个mos管，所述四个mos管按照桥式电路连接，以形成超前桥臂和滞后桥臂，所述超前桥臂中上mos管的漏极和所述滞后桥臂中上mos管的漏极分别与所述直流电源的正极连接，所述超前桥臂中下mos管的源极和所述滞后桥臂中下mos管的源极分别与所述直流电源的负极连接，所述谐振电感的一端与所述超前桥臂中上mos管的源极连接，所述谐振电感的另一端与所述模式切换电路连接，所述滞后桥臂中上mos管的源极与所述模式切换电路连接。

10、在本申请实施例中，所述模式切换电路包括第一开关、第二开关和第三开关，所述第一开关、第二开关和第三开关分别与所述控制模块连接，所述第一开关和所述第二开关的一端分别与所述变压器的输入端的两个接线端连接，所述第一开关的另一端与所述谐振电感连接，所述第二开关的另一端与所述滞后桥臂中上mos管的源极连接，所述第三开关的两端分别与所述谐振电感和所述滞后桥臂中上mos管的源极连接。

11、在本申请实施例中，所述前级电路包括整流电路和有源pfc电路，所述整流电路与所述有源pfc电路连接，所述有源pfc电路与所述移相全桥电路连接；

12、所述整流电路用于将输入的交流电源进行整流；

13、所述有源pfc电路用于将整流后的电源进行功率因数校正，得到直流电源，并将所述直流电源输入至所述移相全桥电路。

14、本申请第二方面一种mos器件测评方法，用于上述的通信电源，包括：

15、输入pwm信号至通信电源的移相全桥电路；

16、由所述通信电源中的控制模块控制所述通信电源中的模式切换电路的通断状态，以使通信电源处于不同的运行工况；

17、获取在双脉冲测试工况下所述移相全桥电路中mos器件的电流值，并根据所述mos器件的电流值得到mos器件的测评结果。

18、在本申请实施例中，所述输入pwm信号至通信电源的移相全桥电路，包括：

19、由通信电源中的控制模块生成pwm信号，并将所述pwm信号输入至所述通信电源的移相全桥电路。

20、在本申请实施例中，所述由所述通信电源中的控制模块控制所述通信电源中的模式切换电路的通断状态，以使通信电源处于不同的运行工况，包括：

21、由所述通信电源中的控制模块控制所述通信电源中的模式切换电路处于关断状态；

22、在pwm信号输入至所述移相全桥电路时，由所述通信电源中的控制模块控制所述通信电源中的模式切换电路处于与电压器断开，同时与所述移相全桥电路连通的状态。

23、本申请第三方面一种mos器件测评系统，包括示波器和上述的通信电源，所述示波器与所述通信电源中的移相全桥电路连接；

24、所述示波器用于在所述通信电源处于双脉冲测试工况下获取所述移相全桥电路中的mos器件的电流值，并根据所述mos器件的电流值得到mos器件的测评结果。

25、在本申请实施例中，还包括pwm信号生成器，所述pwm信号生成器与所述通信电源中的移相全桥电路连接；

26、所述pwm信号生成器用于生成pwm信号，并将所述pwm信号输入至所述通信电源的移相全桥电路。

27、通过上述技术方案，通过在通信电源中设置前级电路、移相全桥电路、模式切换电路、变压器、输出电路和控制模块，所述前级电路与所述移相全桥电路连接，所述移相全桥电路与所述模式切换电路连接，所述模式切换电路与所述变压器连接，所述变压器与所述输出电路连接，所述模式切换电路与所述控制模块连接；所述前级电路用于将输入的交流电源转换为直流电源，并将所述直流电源输入至所述移相全桥电路；所述移相全桥电路用于获取pwm信号，并通过所述pwm信号控制所述移相全桥电路中mos管的通断状态；所述控制模块用于控制所述模式切换电路的通断状态，以使通信电源处于不同的运行工况；所述输出电路用于输出在不同运行工况下的电压。通过协同控制模式切换电路和移相全桥中的mos器件的开关状态，以实现mos双脉冲测试。相较于以往方案，该方案无需对被测器件进行拔插测量，仅需要通过控制模式切换电路及mos器件的开关状态即可进行测量，对动态特性参数进行提取，实现了mos动态特性的在线提取，该方法安全可靠，方便快捷。通过本方案不仅可以模拟实际的通信电源运行工况，还可以通过电路控制的手段实现mos双脉冲测试，避免拆卸通信电源中的mos器件，使得mos双脉冲测试更加准确。

28、本发明实施例的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

技术特征：

1.一种通信电源，其特征在于，包括：前级电路、移相全桥电路、模式切换电路、变压器、输出电路和控制模块，所述前级电路与所述移相全桥电路连接，所述移相全桥电路与所述模式切换电路连接，所述模式切换电路与所述变压器连接，所述变压器与所述输出电路连接，所述模式切换电路与所述控制模块连接；

2.根据权利要求1所述的通信电源，其特征在于，所述移相全桥电路与所述控制模块连接；

3.根据权利要求1所述的通信电源，其特征在于，所述移相全桥电路包括谐振电感和四个mos管，所述四个mos管按照桥式电路连接，以形成超前桥臂和滞后桥臂，所述超前桥臂中上mos管的漏极和所述滞后桥臂中上mos管的漏极分别与所述直流电源的正极连接，所述超前桥臂中下mos管的源极和所述滞后桥臂中下mos管的源极分别与所述直流电源的负极连接，所述谐振电感的一端与所述超前桥臂中上mos管的源极连接，所述谐振电感的另一端与所述模式切换电路连接，所述滞后桥臂中上mos管的源极与所述模式切换电路连接。

4.根据权利要求3所述的通信电源，其特征在于，所述模式切换电路包括第一开关、第二开关和第三开关，所述第一开关、第二开关和第三开关分别与所述控制模块连接，所述第一开关和所述第二开关的一端分别与所述变压器的输入端的两个接线端连接，所述第一开关的另一端与所述谐振电感连接，所述第二开关的另一端与所述滞后桥臂中上mos管的源极连接，所述第三开关的两端分别与所述谐振电感和所述滞后桥臂中上mos管的源极连接。

5.根据权利要求1所述的通信电源，其特征在于，所述前级电路包括整流电路和有源pfc电路，所述整流电路与所述有源pfc电路连接，所述有源pfc电路与所述移相全桥电路连接；

6.一种mos器件测评方法，其特征在于，用于权利要求1中任一项所述的通信电源，包括：

7.根据权利要求6所述的mos器件测评方法，其特征在于，所述输入pwm信号至通信电源的移相全桥电路，包括：

8.根据权利要求6所述的mos器件测评方法，其特征在于，所述由所述通信电源中的控制模块控制所述通信电源中的模式切换电路的通断状态，以使通信电源处于不同的运行工况，包括：

9.一种mos器件测评系统，其特征在于，包括示波器和权利要求1所述的通信电源，所述示波器与所述通信电源中的移相全桥电路连接；

10.根据权利要求9所述的mos器件测评系统，其特征在于，还包括pwm信号生成器，所述pwm信号生成器与所述通信电源中的移相全桥电路连接；

技术总结本发明提供一种通信电源、MOS器件测评方法及系统，属于电源技术领域。通信电源包括前级电路、移相全桥电路、模式切换电路、变压器、输出电路和控制模块，前级电路与移相全桥电路连接，移相全桥电路与模式切换电路连接，模式切换电路与变压器连接，变压器与输出电路连接，模式切换电路与控制模块连接；前级电路将输入的交流电源转换为直流电源，并将直流电源输入至移相全桥电路；移相全桥电路获取PWM信号，并通过PWM信号控制移相全桥电路中MOS管的通断状态；控制模块控制模式切换电路的通断状态，以使通信电源处于不同的运行工况，避免了拆卸MOS器件。技术研发人员：付振,陈燕宁,张泉,王勇,牛光辉,要文波,尹强,肖超,田俊,杨毓龙,黄凯,刘凯志,周宏宇受保护的技术使用者：北京智芯微电子科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29