基底承载件以及包括基底承载件的基底组件的制作方法

下面的公开内容涉及一种基底承载件以及包括该基底承载件的基底组件。

背景技术：

1、诸如玻璃的陶瓷材料可以用作高端封装基底，有机材料可以被排除。通过在基底上形成贯通过孔并且将传导材料应用到贯通过孔中，可以缩短元件与母板之间的布线的长度，并且可以获得优异的电特性。

2、这种基底可以被实现为制造包括用于封装基底的多个单元的阵列基底，并且阵列基底可以被制造成四边形形状的面板形式。为了体现精细且复杂的实现方式，可能需要利用高精度的半导体工艺。然而，对四边形形状的阵列基底进行处理的商业设备可能不足，并且可能需要相当多的时间和成本来开发/维护。

3、为了将这种四边形形状的阵列基底应用到硅基半导体晶圆的典型设备中，优选地具有类似于晶圆的圆形的周边。然而，在以四边形形状实现的阵列基底的尺寸的现有示例中，在执行处理成十二英寸等的晶圆形式时，可能会产生相当大的面积损失。因此，生产率可能会降低，并且可能无法达到批量生产。

4、因此，可能需要考虑多种因素和配置，这些因素和配置可以使材料损失的发生和成本最小化，并且可以提高用于四边形形状的典型基底的封装工艺的生产率。

技术实现思路

1、提供本技术实现要素：是为了以简化形式介绍概念的选择，这些概念将在下面的具体实施方式中进一步描述。本发明内容不旨在识别要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用作确定要求保护的主题的范围的帮助。

2、一种基底承载件，包括：容纳空间，该容纳空间被配置成对基底进行容纳；引导单元，该引导单元被设置成与容纳空间相邻；以及选自支撑单元、固定单元以及支撑单元和固定单元两者中的任何一者，其中，支撑单元被设置在容纳空间和引导单元下方，并且支撑单元被配置成对引导单元和被设置在容纳空间中的基底进行支撑，以及其中，固定单元被设置在引导单元的内周边表面，并且固定单元被配置成对基底和引导单元进行固定。

3、当从上方位置观察时，引导单元可以包括圆形形状或弧形形状的周边中的一者。

4、引导单元可以被配置成具有等于或大于四英寸的直径。

5、引导单元可以被配置成具有100μm至2000μm的厚度。

6、容纳空间可以被配置成具有比引导单元的高度低的高度。

7、支撑单元可以被配置成具有50μm至200μm的厚度。

8、支撑单元可以包括紫外线(uv)可固化粘合剂层，并且固定单元包括uv可固化粘合剂材料。

9、一种基底组件，可以包括：基底承载件；以及目标基底，该目标基底被设置在容纳空间中，其中，目标基底和基底承载件被配置成在单独形成的本体中彼此固定。

10、目标基底可以是选自以下各者中的至少一者的基底：硅基陶瓷基底、玻璃基陶瓷基底、玻璃基底、以及它们的组合。

11、目标基底可以包括阵列，在该阵列中形成有用于封装基底的多个单元。

12、目标基底和引导单元被配置成具有0.5mm至20mm的间隔。

13、间隔的至少一部分被填充有填充材料。

14、其他特征和方面将从以下详细描述、附图和权利要求中显而易见。

技术特征：

1.一种基底承载件，包括：

2.根据权利要求1所述的基底承载件，其中，当从上方位置观察时，所述引导单元包括圆形形状和弧形形状的周边中的一者。

3.根据权利要求1所述的基底承载件，其中，所述引导单元被配置成具有等于或大于四英寸的直径。

4.根据权利要求1所述的基底承载件，其中，所述引导单元被配置成具有100μm至2000μm的厚度。

5.根据权利要求1所述的基底承载件，其中，所述容纳空间被配置成具有比所述引导单元的高度低的高度。

6.根据权利要求1所述的基底承载件，其中，所述支撑单元被配置成具有50μm至200μm的厚度。

7.根据权利要求1所述的基底承载件，其中，所述支撑单元包括紫外线(uv)可固化粘合剂层，并且所述固定单元包括uv可固化粘合剂材料。

8.一种基底组件，包括：

9.根据权利要求8所述的基底组件，其中，所述目标基底是选自以下各者中的至少一者的基底：硅基陶瓷基底、玻璃基陶瓷基底、玻璃基底、以及它们的组合。

10.根据权利要求8所述的基底组件，其中，所述目标基底包括阵列，在所述阵列中形成有用于封装基底的多个单元。

11.根据权利要求8所述的基底组件，其中，所述目标基底和所述引导单元被配置成具有0.5mm至20mm的间隔。

12.根据权利要求11所述的基底组件，其中，所述间隔的至少一部分被填充有填充材料。

技术总结提供一种基底承载件以及包括该基底承载件的基底组件。基底承载件包括：容纳空间；引导单元，该引导单元被设置成与容纳空间相邻；以及支撑单元，该支撑单元被设置在容纳空间和引导单元下方。当从上方位置观察时，引导单元包括圆形形状或弧形形状的周边。技术研发人员：金性振,金镇哲受保护的技术使用者：爱玻索立克公司技术研发日：技术公布日：2024/7/25