一种静电放电防护电路的制作方法

本技术涉及集成电路，特别涉及一种静电放电防护电路。

背景技术：

1、静电放电(electrostatic discharge，esd)是指具有不同静电电位的物体互相靠近或直接接触引起的电荷转移。esd是一种常见的近场危害源，可形成高电压、强电场，并伴有强电磁辐射，不仅会引起电子设备的故障或误动作，造成电磁干扰，也会击穿集成电路或电子元件，因为静电通常瞬间电压非常高，所以这种损伤是毁灭性和永久性的，会造成电路直接烧毁。

技术实现思路

1、本实用新型提供了一种静电放电防护电路，其目的是为了保护集成电路中的电子器件。

2、为了达到上述目的，本实用新型提供了一种静电放电防护电路，包括：

3、检测单元、执行单元、由第三mos管、第一二极管组成的泄放单元；

4、检测单元的输入端、执行单元的第一输入端、第一二极管的阳极均与被保护器件的输入端连接；

5、检测单元的输出端与执行单元的第二输入端连接，执行单元的输出端与第三mos管的栅极连接，第三mos管的源极与第一二极管的阴极连接，第一二极管的阳极分别与被保护器件的输入端、执行单元的第一输入端连接；

6、检测单元的接地端、执行单元的接地端、第三mos管的漏极、被保护器件的接地端均接地。

7、进一步来说，检测单元包括第一电阻和第一电容；

8、第一电阻的第一端与执行单元的接地端连接，第一电阻的第二端分别与第一电容的第二端、执行单元的第二输入端连接，第一电容的第一端与执行单元的第一输入端连接。

9、进一步来说，执行单元包括第一mos管、第二mos管；

10、第一mos管的栅极分别与第一电阻的第二端、第二mos管的栅极连接，第一mos管的漏极与第一电阻的第一端、第三mos管的漏极连接，第一mos管的源极分别与第二mos管的漏极、第三mos管的栅极连接，第二mos管的源极与第一电容的第一端、第一二极管的阳极连接。

11、进一步来说，泄放单元的数量为至少一个，当泄放单元的数量为2个时，2个泄放单元的第一输入端均与执行单元的第一输入端连接，2个泄放单元的第二输入端均与执行单元的输出端连接。

12、进一步来说，第一mos管、第二mos管、第三mos管均为pmos管。

13、进一步来说，第一二极管为稳压二极管。

14、本实用新型的上述方案有如下的有益效果：

15、本实用新型包括检测单元、执行单元、由第三mos管、第一二极管组成的泄放单元；与现有技术相比，具有电路结构简单、控制方式简单的优点，且通过检测单元检测电路发生esd事件时产生esd脉冲信号驱动执行单元控制泄放单元导通，泄放单元和被保护器件并联设置，通过泄放单元进行分压，而输入泄放单元的esd电压通过第三mos管和第一二极管泄放至地端，使得esd电压降低至被保护器件所能承受的范围，从而使得防止了被保护器件被esd烧毁，因此可以有效地保护了集成电路中的电子器件。

16、本实用新型的其它有益效果将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

技术特征：

1.一种静电放电防护电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的静电放电防护电路，其特征在于，所述检测单元包括第一电阻和第一电容；

3.根据权利要求2所述的静电放电防护电路，其特征在于，所述执行单元包括第一mos管、第二mos管；

4.根据权利要求3所述的静电放电防护电路，其特征在于，所述泄放单元的数量为至少一个，当所述泄放单元的数量为2个时，2个所述泄放单元的第一输入端均与所述执行单元的第一输入端连接，2个所述泄放单元的第二输入端均与所述执行单元的输出端连接。

5.根据权利要求4所述的静电放电防护电路，其特征在于，所述第一mos管、所述第二mos管、所述第三mos管均为pmos管。

6.根据权利要求5所述的静电放电防护电路，其特征在于，所述第一二极管为稳压二极管。

技术总结本技术提供了一种静电放电防护电路，包括检测单元、执行单元、由第三MOS管、第一二极管组成的泄放单元；与现有技术相比，具有电路结构简单、控制方式简单的优点，且通过检测单元检测电路发生ESD事件时产生ESD脉冲信号驱动执行单元控制泄放单元导通，泄放单元和被保护器件并联设置，通过泄放单元进行分压，而输入泄放单元的ESD电压通过第三MOS管和第一二极管泄放至地端，使得ESD电压降低至被保护器件所能承受的范围，从而使得防止了被保护器件被ESD烧毁，因此可以有效地保护了集成电路中的电子器件。技术研发人员：李爱华,刘鑫受保护的技术使用者：湖南海博智控科技有限公司技术研发日：20231222技术公布日：2024/7/25