加热器端子接触件的制作方法

本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及加热器端子接触件、操作方法和制造方法。

背景技术：

1、晶体管因富含辐射的环境和激进的偏置而经历氧化物界面劣化。因此，设备在电路和设备使用寿命期间会产生电位移。

2、更具体地，微电子设备在受到单粒子翻转(single-event upset；seu)时可能会劣化，也称为单事件扰乱(single-event error；see)。seu是由单个电离粒子(如离子、电子、光子等)撞击微电子设备(如微处理器、半导体存储器或功率晶体管)中的敏感节点引起的状态变化。状态变化是由逻辑元件的重要节点中或附近的电离产生的自由电荷的结果。撞击导致的设备输出或操作错误被称为seu或软错误(soft error)。

3、微电子也可能由于总电离剂量(total ionizing dose；tid)而受到长期影响。例如，tid的累积长期电离损伤可能导致降解和/或设备故障。例如，tid可能导致设备遭受阈值偏移、设备泄漏和功耗增加、时序变化、功能降低等。

技术实现思路

1、在本公开的一个方面中，一种结构包括：异质结双极晶体管，包括集电极(collector)、子集电极区域、发射极(emitter)和基极(base)区域；以及加热器端子接触件，所述加热器端子接触件电性耦合到所述子集电极区域。

2、在本公开的一个方面中，一种结构包括：异质结双极晶体管，与半导体衬底集成；加热器端子接触件，电性耦合到所述异质结双极晶体管的子集电极区域；集电极接触件，耦合到所述异质结双极晶体管；基极区域接触件，耦合到所述异质结双极晶体管接触；以及发射极接触件，耦合到所述异质结双极晶体管。

3、在本公开的一个方面中，一种结构包括：第一结构，包括：第一有源设备；以及第一组加热器端子接触件，电性耦合到所述第一有源设备的组件；第二结构，包括：第二有源设备；以及第二组加热器端子接触件，电性耦合到所述第二有源设备的组件；以及冗余电路，耦合到所述第一结构和所述第二结构，所述冗余电路包括：第一电路，具有被配置成检测所述第一有源设备的性能变化的第一性能传感器和被配置为检测从所述第一组加热器端子接触件产生的热量的热传感器；以及第二电路，具有被配置为检测所述第二有源设备的性能变化的性能传感器和被配置为检测从所述第二组加热器端子接触件产生的热量的热传感器，其中，所述冗余电路控制到所述第一组加热器端子接触件的电流，同时保持所述第二有源设备的电性功能和到所述第一有源设备的非电性功能，并且所述冗余电路控制到所述第二组加热器端子接触件的电流，同时保持所述第一有源设备的电性功能和到所述第二有源设备的非电性功能。

技术特征：

1.一种结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述加热器端子接触件相对于耦合到所述集电极的接触件正交地定位。

3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述加热器端子接触件包括块体半导体衬底的表面上的金属结构。

4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述加热器端子接触件通过深沟槽隔离结构和浅沟槽隔离结构电性隔离。

5.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述加热器端子接触件和耦合到所述集电极的接触件不电性隔离。

6.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括在所述子集电极区域下方的至少一个气隙。

7.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，还包括在所述气隙下方的非单晶半导体区域。

8.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述子集电极区域延伸到块体半导体衬底的表面，且所述加热器端子接触件和耦合到所述集电极的接触件在所述子集电极区域上。

9.根据权利要求8所述的结构，其特征在于，还包括在所述子集电极区域下方的气隙。

10.根据权利要求9所述的结构，其特征在于，还包括在所述气隙下方的非单晶半导体区域。

11.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，还包括耦合到公共控制电路的冗余电路，所述冗余电路中的每一个包括耦合到所述公共控制电路的性能传感器和热传感器，所述性能传感器检测所述异质结双极晶体管的电路性能的变化，所述公共控制电路从所述性能传感器接收所述电路性能，并控制是否应施加热量以退火缺陷，且所述热传感器检测所述热量。

12.一种结构，其特征在于，包括：

13.根据权利要求12所述的结构，其特征在于，还包括在所述加热器端子接触件和所述集电极接触件间的浅沟槽隔离结构。

14.根据权利要求12所述的结构，其特征在于，还包括在所述子集电极区域下方的至少一个气隙结构。

15.根据权利要求14所述的结构，其特征在于，还包括在所述至少一个气隙下方的非单晶半导体区域。

16.根据权利要求12所述的结构，其特征在于，所述子集电极区域延伸到块体半导体衬底的顶表面，且所述加热器端子接触件和所述集电极接触件设置在所述子集电极区域的表面上。

17.根据权利要求16所述的结构，其特征在于，还包括在所述子集电极区域下方的气隙。

18.根据权利要求17所述的结构，其特征在于，还包括在所述气隙下方的非单晶半导体区域。

19.根据权利要求12所述的结构，其特征在于，所述加热器端子接触件通过深沟槽隔离结构和浅沟槽隔离结构电性隔离。

20.一种结构，其特征在于，包括：

技术总结本公开涉及加热器端子接触件，更具体地，涉及加热器端子接触件、操作方法和制造方法。所述结构包括：异质结双极晶体管，具有集电极、子集电极区域、发射极和基极区域；以及加热器端子接触件，所述加热器端子接触件电性耦合到所述子集电极区域。技术研发人员：U·S·拉古纳特,V·杰恩,Y·T·恩古,J·A·坎塔罗夫斯基,S·T·凡托尼受保护的技术使用者：格芯（美国）集成电路科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/25