基于耦合谐振的高带外抑制交指低通滤波器

本发明属于集成电路，涉及基于耦合谐振的高带外抑制交指低通滤波器。

背景技术：

1、传统的低通滤波器通常使用电容器和电感器来实现。这些滤波器在某些应用中可能会面临一些挑战，例如尺寸较大、成本较高或者性能受限。为了克服这些挑战，研究人员一直在寻找新的滤波器设计方法。

2、近年来，基于微波和射频领域的研究表明，交指耦合结构可以用于设计低通滤波器。交指耦合结构可以在小尺寸的情况下实现较高的性能，并且具有较低的成本。这种结构利用交叉电容和耦合电感来实现信号的频率选择性传输。然而，在对包含交指耦合结构的滤波器设计中需要考虑元件之间的相互影响以及与外部环境的耦合效应，这可能会对滤波器的性能产生负面影响。因此，需要进一步研究和优化交指耦合结构，以提高低通滤波器的性能和稳定性。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供基于耦合谐振的高带外抑制交指低通滤波器，该低通滤波器能够实现很好的低通滤波特性以及带外抑制。

2、本发明所采用的技术方案是，基于耦合谐振的高带外抑制交指低通滤波器，包括从上至下依次设置的上层rdl、硅介质基底及金属地，上层rdl内设置四个谐振器，其中三个谐振器为交指谐振器。

3、本发明的特点还在于：

4、三个交指谐振器分别为：第一阶交指谐振器、第二阶交指谐振器、第三阶交指谐振器，第一阶交指谐振器、第二阶交指谐振器、第三阶交指谐振器呈阶梯状依次首尾相接。

5、四个谐振器中，除三个交指谐振器之外，其余一个谐振器为u字型谐振器，u字型谐振器呈半包围结构将第一阶交指谐振器、第二阶交指谐振器、第三阶交指谐振器包围起来，且u字型谐振器的两端外侧分别连接输入端和输出端。

6、第一阶交指谐振器、第二阶交指谐振器、第三阶交指谐振器均通过硅通孔与金属地连接。

7、输入端和第一阶交指谐振器之间以及输出端与第三阶交指谐振器之间均采用一段九十度弯折结构相连。

8、本发明的有益效果是，本发明低通滤波器的主要特点包括结构简单、极好的低通滤波效果以及良好的阻带表现。通过优化设计，该低通滤波器在目标频率范围内表现出色，实现了优异的低通滤波效果。这种设计不仅可以减小器件尺寸和成本，而且还能够满足高性能低通滤波器的需求，具有广阔的应用前景。

技术特征：

1.基于耦合谐振的高带外抑制交指低通滤波器，其特征在于：包括从上至下依次设置的上层rdl(10)、硅介质基底(8)及金属地(9)，上层rdl(10)内设置四个谐振器，其中三个谐振器为交指谐振器。

2.根据权利要求1所述的基于耦合谐振的高带外抑制交指低通滤波器，其特征在于：三个所述交指谐振器分别为：第一阶交指谐振器(1)、第二阶交指谐振器(2)、第三阶交指谐振器(3)，第一阶交指谐振器(1)、第二阶交指谐振器(2)、第三阶交指谐振器(3)呈阶梯状依次首尾相接。

3.根据权利要求2所述的基于耦合谐振的高带外抑制交指低通滤波器，其特征在于：四个所述谐振器中，除三个所述交指谐振器之外，其余1个谐振器为u字型谐振器(7)，u字型谐振器(7)呈半包围结构将第一阶交指谐振器(1)、第二阶交指谐振器(2)、第三阶交指谐振器(3)包围起来，且u字型谐振器(7)的两端外侧分别连接输入端(5)和输出端(6)。

4.根据权利要求3所述的基于耦合谐振的高带外抑制交指低通滤波器，其特征在于：所述第一阶交指谐振器(1)、第二阶交指谐振器(2)、第三阶交指谐振器(3)均通过硅通孔(4)与金属地(9)连接。

5.根据权利要求3所述的基于耦合谐振的高带外抑制交指低通滤波器，其特征在于：所述输入端(5)和第一阶交指谐振器(1)之间以及输出端(6)与第三阶交指谐振器(3)之间均采用一段九十度弯折结构相连。

技术总结本发明公开了基于耦合谐振的高带外抑制交指低通滤波器，包括从上至下依次设置的上层RDL、硅介质基底及金属地，上层RDL内设置四个谐振器，其中三个谐振器为交指谐振器。本发明设计的低通滤波器能够实现很好的低通滤波特性以及带外抑制。技术研发人员：王凤娟,李凯,刘江凡,杨媛,余宁梅,朱樟明,尹湘坤受保护的技术使用者：西安理工大学技术研发日：技术公布日：2024/7/29