半导体装置以及其制造方法与流程

本揭露是关于用于半导体装置以及其制造方法。

背景技术：

1、半导体集成电路(integrated circuit，ic)行业已经历快速增长。集成电路材料及设计的技术进步产生了一代又一代的集成电路，每一代的电路均比上一代更小、更复杂。然而，这些进步会增加处理及制造ic的复杂性，为了实现这些进步，需要在ic处理及制造方面进行类似的发展。

2、在ic演化的过程中，功能密度(即，每一晶片面积互连装置的数目)通常有所增加，而几何尺寸(即，可使用制造工艺产生的最小组件(或接线))则有所减少。这一按比例缩小的过程通常通过提高生产效率及降低相关成本来提供益处。此类按比例缩小亦产生相对高的功率消耗值，这可通过使用诸如互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor，cmos)装置的低功率消耗装置来解决。

技术实现思路

1、根据本揭露的一些实施例，一种方法包括在半导体基板上方形成磊晶堆叠，其中磊晶堆叠包含交替配置于半导体基板上方的多个第一半导体层与多个第二半导体层，其中第一半导体层具有低于第二半导体层的锗浓度的锗浓度；将磊晶堆叠图案化成鳍片；在鳍片的通道区上方形成栅极结构，其中栅极结构与鳍片的通道区内的第一半导体层及第二半导体层接触；及在鳍片的通道区的相对侧上形成源极/漏极区。

2、根据本揭露的一些实施例，一种方法包括在半导体基板上方形成磊晶堆叠，其中磊晶堆叠包含多个牺牲层及交替配置于半导体基板上方的多个多层通道膜，且多层通道膜中的各者包含彼此交错的多个第一通道层与多个第二通道层，其中第一通道层具有低于第二通道层的锗浓度的锗浓度，且第二通道层的锗浓度低于牺牲层的锗浓度；将磊晶堆叠图案化成鳍片；移除牺牲层，同时在半导体基板上方留下第一通道层及第二通道层；及形成包覆于第一通道层及第二通道层周围的高k/金属栅极结构。

3、根据本揭露的一些实施例，半导体装置包括第一多层半导体堆叠及围绕第一多层半导体堆叠的栅极结构。第一多层半导体堆叠包含彼此交错的多个第一半导体层与多个第二半导体层。第一半导体层具有低于第二半导体层的锗浓度的锗浓度。栅极结构包含栅极介电层及栅极介电层上方的栅极电极，且栅极介电层与第一多层半导体堆叠的第一半导体层及第二半导体层的侧壁接触。

技术特征：

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含以下步骤：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中形成该栅极结构的步骤包含以下步骤：

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述多个第二半导体层的一厚度大于所述多个第一半导体层的一厚度。

4.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含以下步骤：

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，其中形成该高k/金属栅极结构的步骤包含以下步骤：

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，进一步包含以下步骤：

7.一种半导体装置，其特征在于，包含：

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，进一步包含：

9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，其中该栅极介电层与所述多个第一半导体层中的一最顶者的一顶表面接触。

10.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，其中该栅极介电层与所述多个第二半导体层中的一最顶者的一顶表面接触。

技术总结一种半导体装置以及其制造方法。方法包括在半导体基板上方形成磊晶堆叠，其中磊晶堆叠包含交替配置于半导体基板上方的多个第一半导体层与多个第二半导体层，其中第一半导体层具有低于第二半导体层的锗浓度的锗浓度；将磊晶堆叠图案化成鳍片；在鳍片的通道区上方形成栅极结构，其中栅极结构与鳍片的通道区内的第一半导体层及第二半导体层接触；及在鳍片的通道区的相对侧上形成源极/漏极区。技术研发人员：吴永俊,姚怡如受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29