用于系统级封装半导体装置组合件的经模制存储器组合件的制作方法

本公开大体上涉及半导体装置及形成半导体装置的方法。举例来说，本公开涉及用于系统级封装(sip)半导体装置组合件的经模制存储器组合件。

背景技术：

1、半导体封装包含外壳，所述外壳含有一或多个半导体装置，例如集成电路。半导体装置组件可在半导体晶片上制造，然后切割成裸片并封装。半导体封装保护内部组件免受损坏，并包含用于例如经由球、销或引线将内部组件连接到外部组件(例如，电路板)的装置。半导体装置组合件可为或可包含半导体封装或半导体封装的一或多个组件(例如，有或无外壳的一或多个半导体装置)。

技术实现思路

1、在一个方面中，本公开提供一种半导体装置组合件，所述半导体装置组合件包括：衬底；经模制裸片组合件，其电耦合到所述衬底，所述经模制裸片组合件包含：多个堆叠式裸片，其经由多个线接合电耦合到所述衬底；以及模制外壳，其环绕所述多个堆叠式裸片并囊封所述多个线接合，其中所述模制外壳包含第一模制层和第二模制层，其中所述第一模制层环绕所述多个堆叠式裸片中在一方向上的最下裸片，且其中所述第二模制层在所述方向上安置于所述第一模制层上方。

2、在另一方面中，本公开提供一种经模制存储器装置，所述经模制存储器装置包括：多个堆叠式nand裸片，其经由多个线接合彼此电耦合；模制外壳，其环绕所述多个堆叠式nand裸片并囊封所述多个线接合，所述模制外壳包含环绕所述多个堆叠式nand裸片中的第一nand裸片的第一部分的第一模具，以及环绕所述多个堆叠式nand裸片中的所述第一nand裸片和每一额外nand裸片的第二部分的第二模具；以及多个铜接触件，其经配置以将所述经模制存储器装置耦合到与系统级封装相关联的衬底，所述多个铜接触件安置于所述第一模具中。

3、在另一方面中，本公开提供一种方法，所述方法包括：用第一模制化合物环绕第一裸片的第一部分；将至少第二裸片粘合到所述第一裸片，借此形成裸片堆叠；经由多个线接合将所述第一裸片电耦合到所述至少所述第二裸片；以及用第二模制化合物环绕所述裸片堆叠，借此将所述多个线接合囊封在所述第二模制化合物中并形成经模制裸片组合件。

技术特征：

1.一种半导体装置组合件，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一模制层是薄模制层，其中所述第二模制层是在所述方向上大体上涵盖所述经模制裸片组合件的厚度的厚模制层，其中所述第一模制层包含在所述方向上从所述第一模制层的上表面延伸到所述第一模制层的下表面的多个互连件，且其中所述第二模制层将所述多个线接合嵌入在所述第二模制层内。

3.根据权利要求2所述的半导体装置组合件，其中所述多个互连件包含安置于所述第一模制层中的多个接触件，其中所述多个接触件的第一子组形成与所述多个线接合中的一或多者线接合的电连接，且其中所述多个接触件的第二子组与所述多个线接合电隔离。

4.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包括电耦合到所述衬底的另一经模制裸片组合件，所述另一经模制裸片组合件包含：

5.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述经模制裸片组合件经由多个微球耦合到所述衬底，其中所述多个微球的第一子组提供所述经模制裸片组合件和所述衬底之间的电连接，且其中所述多个微球的第二子组不提供所述经模制裸片组合件和所述衬底之间的电连接。

6.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包括电耦合到所述衬底的另一经模制裸片组合件，其中所述衬底在一方向上安置于所述经模制裸片组合件下方，且其中所述另一经模制裸片组合件在所述方向上安置于所述经模制裸片组合件上方。

7.根据权利要求6所述的半导体装置组合件，其中所述另一经模制存储器组合件通过设置于所述经模制裸片组合件的所述模制外壳中的穿模通孔电耦合到所述衬底。

8.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中以下情况中的至少一者成立：

9.一种经模制存储器装置，其包括：

10.根据权利要求9所述的经模制存储器装置，其中所述第一nand裸片是所述多个堆叠式nand裸片中在一方向上的最下nand裸片，且其中所述第二模具在所述方向上安置于所述第一模具上方。

11.根据权利要求9所述的经模制存储器装置，其中所述多个铜接触件的第一子组经配置以在所述多个堆叠式nand裸片和与所述系统级封装相关联的所述衬底之间提供电连接，且其中所述多个铜接触件的第二子组与所述多个堆叠式nand裸片电隔离。

12.根据权利要求9所述的经模制存储器装置，其中以下情况中的至少一者成立：

13.一种方法，其包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括经由所述多个线接合将所述裸片堆叠电耦合到所述多个接触件的子组。

16.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括：

17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括：

18.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括经由多个微球将所述经模制裸片组合件耦合到与系统级封装相关联的衬底。

19.根据权利要求18所述的方法，其中经由所述多个微球将所述经模制裸片组合件耦合到与所述系统级封装相关联的所述衬底包含经由所述多个微球的第一子组在所述裸片堆叠和所述衬底之间形成电连接，且使所述裸片堆叠与所述多个微球的第二子组电隔离。

20.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括将另一经模制裸片组合件耦合到与所述系统级封装相关联的所述衬底。

技术总结本文中所描述的实施方案涉及用于系统级封装半导体装置组合件的经模制存储器组合件。在一些实施方案中，一种经模制存储器装置可包含经由多个线接合彼此电耦合的多个堆叠式NAND裸片。所述经模制存储器装置可包含环绕所述多个堆叠式NAND裸片并囊封所述多个线接合的模制外壳，其中所述模制外壳包含环绕所述多个堆叠式NAND裸片中的第一NAND裸片的第一部分的第一模具，以及部分地环绕所述多个NAND裸片中的所述第一NAND裸片和每一额外NAND裸片的第二部分的第二模具。所述经模制存储器装置可包含经配置以将所述经模制存储器装置耦合到与系统级封装相关联的衬底的多个铜接触件，其中所述多个铜接触件安置于所述第一模具中。技术研发人员：林雯蔚,陈奕武,倪胜锦受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29