基于ECC的闪存颗粒多次筛选方法、控制器及介质与流程

本发明涉及闪存颗粒筛选，具体涉及一种基于ecc的闪存颗粒多次筛选方法、控制器及存储介质。

背景技术：

1、现有的技术中存在根据固定的ecc(error checking and correct ing，错误检查和纠正)指标对闪存颗粒进行单次分级的方案，具体分级过程如下，分别有两个场景hh(高温写高温读)、hl(高温写低温读)，通过外部设定温度，当温度到达外部设定温度以后，运行测试程序，当完成该轮测试后，会把该轮的结果写入到闪存介质里面，直至下一个场景温度到达以后，闪存在运行下一轮的测试程序前会先把上一轮的测试结果读到内存中，继续进行该阶段的测试行为，完成后，叠加上一轮测试结果，一起再写入到闪存介质中；上述方法的优点是操作简单，筛选出来的闪存颗粒良率高。

2、然而，由于闪存颗粒一般存在浴盆曲线模型中前期使用情况，导致闪存颗粒在初次测试时的性能可能并未达到正常性能，进而使得根据上述方法使用单一固定的ecc阈值去单次筛选颗粒时，存在最终得到的筛选结果的精度较差，无法体现出颗粒的正常性能的问题，而精度较差的筛选结果最终将直接影响到闪存颗粒的分级品控。

技术实现思路

1、本发明实施例提供一种基于ecc的闪存颗粒多次筛选方法、控制器及计算机存储介质，至少能保证，本发明方案通过对闪存颗粒进行多次擦写读和筛选标记处理，以模拟闪存颗粒的早期失效，使得最终得到的筛选结果能有效的体现出颗粒的正常性能，进而提高筛选结果的精度和闪存颗粒的分级品控。

2、第一方面，本发明实施例提供了一种基于ecc的闪存颗粒多次筛选方法，所述方法包括：

3、获取待检测的闪存颗粒的规格信息，所述规格信息包括最大ecc和读写温度范围；

4、根据所述读写温度范围对所述闪存颗粒进行多次第一写读处理，以模拟所述闪存颗粒的早期失效，并在每次第一写读处理的过程中，均根据所述最大ecc对所述闪存颗粒中的多个块进行筛选标记处理，得到早期失效实验数据，并写入所述闪存颗粒；

5、根据所述读写温度范围对所述闪存颗粒进行第二写读处理，并在所述第二写读处理的过程中，根据所述早期失效实验数据和所述最大ecc对所述闪存颗粒中的多个块进行筛选标记处理，得到颗粒筛选结果，并写入所述闪存颗粒。

6、在一些实施例中，所述第一写读处理为高温写高温读处理，所述根据所述读写温度范围对所述闪存颗粒进行多次第一写读处理，以模拟所述闪存颗粒的早期失效，并在每次第一写读处理的过程中，均根据所述最大ecc对所述闪存颗粒中的多个块进行筛选标记处理，得到早期失效实验数据，包括：

7、根据所述最大ecc、第一预设比例和第二预设比例确定第一ecc阈值和第二ecc阈值，其中，所述第一ecc阈值大于所述第二ecc阈值；

8、根据所述读写温度范围确定第一写温度和第一读温度；

9、根据所述第一写温度和所述第一读温度对所述闪存颗粒进行多次高温写高温读处理，以模拟所述闪存颗粒的早期失效，并在每次高温写高温读处理的过程中，均根据所述第一ecc阈值和所述第二ecc阈值对所述闪存颗粒中的多个块进行筛选标记处理，以得到多个筛选结果数据；

10、根据多个所述筛选结果的交集得到早期失效实验数据。

11、在一些实施例中，根据所述第一ecc阈值和所述第二ecc阈值对所述闪存颗粒中的多个块进行筛选标记处理，包括：

12、在每次高温写高温读处理的过程中，根据所述第一ecc阈值和所述第二ecc阈值对当前目标块进行筛选标记处理，以将当前目标块标记为性能良好块或坏块，待标记处理完成后，再次对下一目标块进行筛选标记处理，直至遍历完所述闪存颗粒中的各个块；

13、其中，所述当前目标块和所述下一目标块均为未被标记的块。

14、在一些实施例中，根据所述第一ecc阈值和所述第二ecc阈值对当前目标块进行筛选标记处理，以将当前目标块标记为性能良好块或坏块，包括：

15、对当前目标块进行数据擦除处理，在擦除失败的情况下将当前目标块标记为坏块；

16、在擦除成功的情况下对当前目标块进行写数据处理，在写数据失败的情况下将当前目标块标记为坏块；

17、在写数据成功的情况下对当前目标块进行读取数据处理，以获取最大错误比特数；

18、在所述最大错误比特数大于所述第一ecc阈值的情况下，将当前目标块标记为坏块；在所述最大错误比特数小于或者等于所述第一ecc阈值，且所述最大错误比特数大于所述第二ecc阈值的情况下，不对当前目标块进行标记；在所述最大错误比特数小于或者等于所述第二ecc阈值的情况下，将当前目标块标记为性能良好块。

19、在一些实施例中，所述第二写读处理包括高温写高温读处理，根据所述读写温度范围对所述闪存颗粒进行第二写读处理，并在所述第二写读处理的过程中，根据所述早期失效实验数据和所述最大ecc对所述闪存颗粒中的多个块进行筛选标记处理，得到颗粒筛选结果，包括：

20、根据所述最大ecc、第一预设比例和第二预设比例确定第一ecc阈值和第二ecc阈值，其中，所述第一ecc阈值大于所述第二ecc阈值；

21、根据所述读写温度范围确定第二写温度和第二读温度；

22、根据所述第二写温度和所述第二读温度对所述闪存颗粒进行高温写高温读处理，并在高温写高温读处理的过程中，根据所述早期失效实验数据、所述第一ecc阈值和所述第二ecc阈值对所述闪存颗粒中的多个块进行筛选标记处理，得到颗粒筛选结果。

23、在一些实施例中，所述根据所述早期失效实验数据、所述第一ecc阈值和所述第二ecc阈值对所述闪存颗粒中的多个块进行筛选标记处理，包括：

24、根据所述早期失效实验数据从多个块中确定出多个未被标记块；

25、对当前未被标记块进行数据擦除处理，在擦除失败的情况下将当前未被标记块标记为坏块；

26、在擦除成功的情况下对当前未被标记块进行写数据处理，在写数据失败的情况下将当前未被标记块标记为坏块；

27、在写数据成功的情况下对当前未被标记块进行读取数据处理，以获取最大错误比特数；

28、在所述最大错误比特数大于所述第一ecc阈值的情况下，将当前未被标记块标记为坏块；在所述最大错误比特数小于或者等于所述第一ecc阈值，且所述最大错误比特数大于所述第二ecc阈值的情况下，不对当前未被标记块进行标记；在所述最大错误比特数小于或者等于所述第二ecc阈值的情况下，将当前未被标记块标记为性能良好块；

29、待标记处理完成后，再次对下一未被标记块进行筛选标记处理，直至遍历完所述闪存颗粒中的各个未被标记块。

30、在一些实施例中，所述第二写读处理还包括高温写低温读处理，所述根据所述早期失效实验数据、所述第一ecc阈值和所述第二ecc阈值对所述闪存颗粒中的多个块进行筛选标记处理之后，所述方法还包括：

31、根据所述最大ecc和第三预设比例确定第三ecc阈值，所述第三ecc阈值大于所述第一ecc阈值；

32、根据所述读写温度范围确定第三读温度，所述第三读温度小于所述第二读温度；

33、根据所述第三读温度对所述闪存颗粒进行低温读处理，并在高温读处理的过程中，根据所述高温写高温读处理的筛选标记结果和所述第三ecc阈值对所述闪存颗粒中的多个块进行筛选标记处理，得到颗粒筛选结果。

34、在一些实施例中，所述根据所述高温写高温读处理的筛选标记结果和所述第三ecc阈值对所述闪存颗粒中的多个块进行筛选标记处理，包括:

35、根据所述筛选标记结果从多个块中确定出多个未被标记块；

36、对当前未被标记块进行读取数据处理，以获取最大错误比特数；

37、在所述最大错误比特数大于所述第三ecc阈值的情况下，将当前未被标记块标记为运行时坏块；在所述最大错误比特数小于或者等于所述第三ecc阈值的情况下，再次对下一未被标记块进行筛选标记处理，直至遍历完所述闪存颗粒中的各个未被标记块。

38、第二方面，本发明实施例提供了一种控制器，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如第一方面中任意一项实施例所述的基于ecc的闪存颗粒多次筛选方法。

39、第三方面，本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机可执行指令，计算机可执行指令用于执行如第一方面中任意一项实施例所述的基于ecc的闪存颗粒多次筛选方法。

40、本发明至少具有以下有益效果：本发明提出了一种基于ecc的闪存颗粒多次筛选方法，通过获取待检测的闪存颗粒的规格信息，所述规格信息包括最大ecc和读写温度范围；根据所述读写温度范围对所述闪存颗粒进行多次第一写读处理，以模拟所述闪存颗粒的早期失效，并在每次第一写读处理的过程中，均根据所述最大ecc对所述闪存颗粒中的多个块进行筛选标记处理，得到早期失效实验数据，并写入所述闪存颗粒；根据所述读写温度范围对所述闪存颗粒进行第二写读处理，并在所述第二写读处理的过程中，根据所述早期失效实验数据和所述最大ecc对所述闪存颗粒中的多个块进行筛选标记处理，得到颗粒筛选结果，并写入所述闪存颗粒，其中，本发明方案通过先对闪存颗粒进行多次擦写读和筛选标记处理，以模拟所述闪存颗粒的早期失效，得到早期失效数据后再次对闪存颗粒进行写读和筛选标记处理，最终得到颗粒筛选结果，以使筛选结果能有效的体现出颗粒的正常性能，进而提高筛选结果的精度和闪存颗粒的分级品控；且在多次筛选过程中，本发明可以限制用于筛选颗粒的ecc阈值，以控制颗粒筛选结果的品控，进而更好的满足用户的个性化需求。

41、本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。