用在存储阵列中的熔断器单元及其处理方法、存储阵列与流程

本公开的实施例涉及半导体器件，具体地，涉及用在存储阵列中的熔断器单元及其处理方法、存储阵列。

背景技术：

1、存储器通常包含存储阵列。存储阵列包括多个存储单元。在常规存储类芯片的存储阵列中，每份信息都是分别独立的存储在阵列的存储单元之中，该存储单元具有唯一的行地址及列地址。读取数据时只要找到对应的行/列地址就能读取数据。为避免当某个行/列的存储单元发生损坏时无法写入/读取数据，可采用“备用”的行或者列（对应冗余存储单元）。当原存储阵列中某处出现损坏无法访问时，则启用提前准备的“备用”行/列地址，将数据写入备用地址。相同的，数据也从“备用”地址中读出，使存储功能得以正常进行。

2、原存储阵列中应被替换的地址信息（缺陷存储单元的地址，也可称为“缺陷存储地址”）被保存进熔断器组中，每一个熔断器组和备用的行或列是一一对应的。当选择的地址和熔断器组内存储的地址对应时，表示该地址对应的行或列发生损坏，应切换到熔断器组对应的备用地址。

3、但是，熔断器组有默认值。如果输入的地址对应上默认值，则无法区分到底是否需要替换。因此，每个熔断器组中设置有一个主熔断器，用来表示该熔断器组是否被使用。如果输入的地址对应上默认值，但主熔断器不设置为“使用”，则不需要替换；反之则替换。因此，一个熔断器组一般由n个记录地址的熔断器与1个主熔断器构成，n等于最大需要存储的地址的位数。

4、由于每个熔断器组都需要n个记录地址的熔断器和额外的1个主熔断器记录该熔断器组是否被使用，因此用在存储阵列中的熔断器组需要使用的熔断器数量大，导致存储阵列的芯片面积大。

技术实现思路

1、本文中描述的实施例提供了一种用在存储阵列中的熔断器单元及其处理方法、存储阵列。

2、根据本公开的第一方面，提供了一种用在存储阵列中的熔断器单元。该熔断器单元包括：多个第一熔断器组和至少一个第二熔断器组。其中，每个第一熔断器组包括n个熔断器。每个第一熔断器组能够存储存储阵列的一个缺陷存储地址并且每个第一熔断器组与存储阵列的一个冗余存储地址相关联。第一熔断器组被设置成不存储第一缺陷存储地址。第一缺陷存储地址的值等于第一熔断器组的默认值。在第一熔断器组的值不等于默认值的情况下，与第一熔断器组相关联的冗余存储地址用于替换第一熔断器组所存储的缺陷存储地址。n等于存储阵列的存储地址的位数。每个第二熔断器组包括至少2个熔断器。每个第二熔断器组与存储阵列的一个冗余存储地址相关联。在第二熔断器组的值等于第一指示值的情况下，与第二熔断器组相关联的冗余存储地址用于替换第一缺陷存储地址。

3、在本公开的一些实施例中，第一熔断器组还被设置成不存储第二缺陷存储地址。第二缺陷存储地址的值等于第一损坏指示值。在与第一熔断器组相关联的冗余存储地址损坏的情况下，第一熔断器组的值被设置成第一损坏指示值。至少一个第二熔断器组的数量大于或者等于2。在第二熔断器组的值等于第二指示值的情况下，与第二熔断器组相关联的冗余存储地址用于替换第二缺陷存储地址。

4、在本公开的一些实施例中，第一缺陷存储地址的每一位都为第一值。第二缺陷存储地址的每一位都为第二值。

5、在本公开的一些实施例中，第一值为0，第二值为1。

6、在本公开的一些实施例中，至少一个第二熔断器组的数量大于2。在与第二熔断器组相关联的冗余存储地址损坏的情况下，第二熔断器组的值被设置成第二损坏指示值。

7、在本公开的一些实施例中，第二熔断器组的默认值为二进制数00，第一指示值为二进制数01，第二指示值为二进制数10，第二损坏指示值为二进制数11。

8、根据本公开的第二方面，提供了一种处理方法，用于处理根据本公开的第一方面所述的熔断器单元。该处理方法包括：接收存储阵列的缺陷存储地址；确定缺陷存储地址是否等于第一熔断器组的默认值；以及响应于缺陷存储地址等于第一熔断器组的默认值，将未使用的一个第二熔断器组设置为第一指示值。

9、在本公开的一些实施例中，处理方法还包括：确定缺陷存储地址是否等于第一损坏指示值，第一损坏指示值指示与第一熔断器组相关联的冗余存储地址损坏；以及响应于缺陷存储地址等于第一损坏指示值，将未使用的一个第二熔断器组设置为第二指示值。

10、在本公开的一些实施例中，处理方法还包括：响应于缺陷存储地址不等于第一熔断器组的默认值且不等于第一损坏指示值，将缺陷存储地址写入未使用的第一熔断器组。

11、在本公开的一些实施例中，处理方法还包括：在访问存储阵列的访问地址不等于第一缺陷存储地址和第二缺陷存储地址的情况下，读取第一熔断器组的值，其中，第一缺陷存储地址的值等于第一熔断器组的默认值，第二缺陷存储地址的值等于第一损坏指示值；响应于第一熔断器组的值不等于第一熔断器组的默认值且不等于第一损坏指示值，使用与第一熔断器组相关联的冗余存储地址来替换第一熔断器组所存储的缺陷存储地址；在访问存储阵列的访问地址等于第一缺陷存储地址或者第二缺陷存储地址的情况下，读取第二熔断器组的值；响应于第二熔断器组的值等于第一指示值，使用与第二熔断器组相关联的冗余存储地址来替换第一缺陷存储地址；以及响应于第二熔断器组的值等于第二指示值，使用与第二熔断器组相关联的冗余存储地址来替换第二缺陷存储地址。

12、根据本公开的第三方面，提供了一种存储阵列。该存储阵列包括：根据本公开的第一方面所述的熔断器单元。

13、根据本公开的第四方面，提供了一种半导体器件。该半导体器件包括根据本公开的第三方面所述的存储阵列。

14、根据本公开的第五方面，提供了一种处理装置。该处理装置用于处理根据本公开的第一方面所述的熔断器单元。该处理装置包括至少一个处理器；以及存储有计算机程序的至少一个存储器。当计算机程序由至少一个处理器执行时，使得处理装置执行根据本公开的第二方面所述的处理方法。

技术特征：

1.一种用在存储阵列中的熔断器单元，其特征在于，所述熔断器单元包括：多个第一熔断器组和至少一个第二熔断器组，

2.根据权利要求1所述的熔断器单元，其特征在于，所述第一熔断器组还被设置成不存储第二缺陷存储地址，所述第二缺陷存储地址的值等于第一损坏指示值，在与所述第一熔断器组相关联的冗余存储地址损坏的情况下，所述第一熔断器组的值被设置成所述第一损坏指示值；

3.根据权利要求2所述的熔断器单元，其特征在于，所述第一缺陷存储地址的每一位都为第一值，所述第二缺陷存储地址的每一位都为第二值。

4.根据权利要求2所述的熔断器单元，其特征在于，所述至少一个第二熔断器组的数量大于2，在与所述第二熔断器组相关联的冗余存储地址损坏的情况下，所述第二熔断器组的值被设置成第二损坏指示值。

5.根据权利要求4所述的熔断器单元，其特征在于，所述第二熔断器组的默认值为二进制数00，所述第一指示值为二进制数01，所述第二指示值为二进制数10，所述第二损坏指示值为二进制数11。

6.一种处理方法，用于处理根据权利要求1至5中任一项所述的熔断器单元，其特征在于，所述处理方法包括：

7.根据权利要求6所述的处理方法，其特征在于，所述处理方法还包括：

8.根据权利要求7所述的处理方法，其特征在于，所述处理方法还包括：

9.根据权利要求8所述的处理方法，其特征在于，所述处理方法还包括：

10.一种存储阵列，其特征在于，所述存储阵列包括：根据权利要求1至5中任一项所述的熔断器单元。

技术总结本公开的实施例提供一种用在存储阵列中的熔断器单元及其处理方法、存储阵列。熔断器单元包括多个第一熔断器组和至少一个第二熔断器组。每个第一熔断器组包括N个熔断器。每个第一熔断器组能够存储一个缺陷存储地址并且与一个冗余存储地址相关联。第一熔断器组被设置成不存储第一缺陷存储地址。第一缺陷存储地址的值等于第一熔断器组的默认值。在第一熔断器组的值不等于默认值时与第一熔断器组相关联的冗余存储地址用于替换第一熔断器组所存储的缺陷存储地址。每个第二熔断器组包括至少2个熔断器。每个第二熔断器组与一个冗余存储地址相关联。在第二熔断器组的值等于第一指示值时，与第二熔断器组相关联的冗余存储地址用于替换第一缺陷存储地址。技术研发人员：俞剑,杨子岳受保护的技术使用者：浙江力积存储科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/16