在存储器单元的读取期间识别存储器单元的编程模式的制作方法

本文中公开的至少一些实施例大体上涉及存储器系统，且更特定来说但不限于，涉及编程存储器单元以存储数据及从存储器单元检索数据的技术。

背景技术：

1、存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统将数据存储于存储器装置处及从存储器装置检索数据。

2、存储器装置可包含具有形成于半导电材料的集成电路裸片上的一或多个存储器单元阵列的存储器集成电路。存储器单元是可个别使用或操作以存储数据的存储器的最小单元。一般来说，存储器单元可存储一或多个数据位。

3、不同类型的存储器单元已开发用于存储器集成电路，例如随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态随机存取存储器(dram)、静态随机存取存储器(sram)、同步动态随机存取存储器(sdram)、相变存储器(pcm)、磁随机存取存储器(mram)、或非(nor)快闪存储器、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、快闪存储器等等。

4、一些集成电路存储器单元是易失性的且需要电力来维持存储于单元中的数据。易失性存储器的实例包含动态随机存取存储器(dram)及静态随机存取存储器(sram)。

5、一些集成电路存储器单元是非易失性的且即使没有供电也可留存存储数据。非易失性存储器的实例包含快闪存储器、只读存储器(rom)、可编程只读存储器(prom)、可擦除可编程只读存储器(eprom)及电可擦除可编程只读存储器(eeprom)存储器等等。快闪存储器包含与非(nand)型快闪存储器或或非(nor)型快闪存储器。nand存储器单元是基于nand逻辑门；且nor存储器单元是基于nor逻辑门。

6、交叉点存储器(例如3d xpoint存储器)使用非易失性存储器单元阵列。交叉点存储器中的存储器单元是无晶体管的。此类存储器单元中的每一者可具有在集成电路中一起堆叠为列的选择器装置及任选地相变存储器装置。此类列的存储器单元经由在彼此垂直的方向上运行的两个导线层连接于集成电路中。两个层中的一者是在存储器单元上方；且另一层是在存储器单元下方。因此，每一存储器单元可个别选择于在两个层中在不同方向上运行的两个导线的交叉点处。交叉点存储器装置是快速及非易失性的且可用作用于处理及存储的统一存储器池。

7、非易失性集成电路存储器单元可经编程以通过在编程/写入操作期间将电压或电压模式施加到存储器单元来存储数据。编程/写入操作将存储器单元设置于对应于数据被编程/存储到存储器单元中的状态中。存储于存储器单元中的数据可通过检查存储器单元的状态来检索于读取操作中。读取操作通过施加电压及确定存储器单元在对应于预界定状态的电压处是否变成导电来确定存储器单元的状态。

技术实现思路

技术特征：

1.一种方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述编程模式选自第一模式及每存储器单元存储比所述第一模式更多位的第二模式。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一模式编程所述一组存储器单元以每存储器单元存储一个位；且所述第二模式编程所述一组存储器单元以每两个存储器单元存储三个位。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一模式及所述第二模式两者将所述存储器单元的部分的阈值电压编程到低于所述第一读取电压的电压区。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一模式编程所述存储器单元具有第一数目个电压区内的阈值电压以表示存储于所述存储器单元中的值；所述第二模式将所述存储器单元编程到大于所述第一数目的第二数目个电压区内的阈值电压以表示存储于所述存储器单元中的值；所述第一数目个电压区包含一个电压区及低于所述第一读取电压的不多于一个电压区；且所述第二数目个电压区包含一个电压区及低于所述第一读取电压的不多于一个电压区。

6.根据权利要求2所述的方法，其中响应于所述编程模式是所述第二模式，继续执行所述命令包括：

7.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一读取电压以第一极性施加到所述存储器单元；且响应于所述编程模式是所述第二模式，继续执行所述命令包括：

8.一种计算装置，其包括：

9.根据权利要求8所述的计算装置，其中所述预定数目个第一存储器单元的所述阈值电压经编程到多个电压区中；且所述第一模式可基于所述第一存储器单元中的一或多个预定存储器单元的阈值电压是否在所述多个电压区中的最低电压区中来识别。

10.根据权利要求9所述的计算装置，其中所述多个预界定模式包含：

11.根据权利要求10所述的计算装置，其中所述多个预界定模式包含每两个存储器单元存储三个位的模式。

12.根据权利要求11所述的计算装置，其中在所述多个模式中的每一者中，所述控制器经配置以编程所述第一存储器单元的子集具有所述最低电压区中的阈值电压。

13.根据权利要求12所述的计算装置，其中在所述多个模式中的每一者中，所述第一存储器单元的所述子集可经由将所述多个模式的共同读取电压施加到所述第一存储器单元来识别。

14.一种存储器装置，其包括：

15.根据权利要求14所述的存储器装置，其中当存储器单元处于所述导电状态中时，所述存储器单元允许大于预定阈值电流通过所述存储器单元；及当所述存储器单元处于所述非导电状态中时，所述存储器单元允许小于所述预定阈值电流通过所述存储器单元。

16.根据权利要求15所述的存储器装置，其中当所述编程模式每存储器单元存储更多位时，所述另外操作至少经配置以将所述电压进一步增大到高于所述第一读取电压的第二读取电压及在所述电压经驱动到高达所述第二读取电压时识别从所述非导电状态改变到所述导电状态的所述存储器单元的第二子集。

17.根据权利要求15所述的存储器装置，其中所述第一读取电压以第一极性跨所述第一存储器单元施加；且当所述编程模式每存储器单元存储更多位时，所述另外操作至少经配置以将所述电压减小到零及以与所述第一极性相反的第二极性将分别由所述电压驱动器跨所述第一存储器单元驱动的所述电压的量值增大到高达第二读取电压。

18.根据权利要求15所述的存储器装置，其中所述编程模式选自包含以下的多个预界定模式：

19.根据权利要求18所述的存储器装置，其中所述多个预界定模式包含每两个存储器单元存储三个位的模式。

技术总结本发明涉及用于针对存储编程模式的指示符的一组存储器单元确定所述编程模式的系统、方法及设备。响应于读取存储器装置中的所述存储器单元的命令，将第一读取电压施加到所述存储器单元以识别在所述第一读取电压下变成导电的所述存储器单元的第一子集。所述第一子集的确定经配置为不同编程模式的共同操作。基于所述第一子集的存储器单元是否包含一或多个预界定存储器单元，所述存储器装置确定存储器单元的编程模式。一旦所述编程模式从所述共同操作识别，所述存储器装置可进一步执行所述命令以确定经由所述编程模式存储于所述存储器单元中的数据项。技术研发人员：K·萨尔帕特瓦里,F·佩里兹,N·N·加杰拉受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/1/16