具有氧化预晶种层的磁记录介质的制作方法

本公开的各方面涉及磁记录介质，并且更具体地说，涉及具有基板、预晶种层和软磁性垫层(sul)的磁记录介质。

背景技术：

1、增加硬盘驱动器(hdd)的记录密度变得越来越具有挑战性。在本文中，呈现了用于改善hdd的磁记录介质内的介质重写、信噪比(snr)、线性记录密度以及面记录密度或面密度容量(adc)的技术，特别是用于包括形成在基板上方或预晶种层上方的软磁性垫层(sul)的磁记录介质结构。

技术实现思路

1、本公开的一个方面提供了一种磁记录介质，该磁记录介质包括：基板；氧化预晶种层，该氧化预晶种层在该基板上；软磁性垫层(sul)，该sul在该氧化预晶种层上；以及至少一个磁记录层，该至少一个磁记录层在该sul上。

2、本公开的另一方面提供了一种用于制造磁记录介质的方法。该方法包括：提供基板；在该基板上提供氧化预晶种层；在该氧化预晶种层上提供sul；以及在该sul上提供至少一个磁记录层。

3、本公开的另一方面提供了一种磁记录介质，该磁记录介质包括：非导电基板；氧化金属预晶种层，该氧化金属预晶种层在该非导电基板上；软磁性垫层(sul)，该sul在该氧化金属预晶种层上；一个或多个中间层，该一个或多个中间层在该sul上；以及至少一个磁记录层，该至少一个磁记录层在该一个或多个中间层上。

技术特征：

1.一种磁记录介质，包括：

2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述基板由非导电材料制成。

3.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述预晶种层包含氧化金属。

4.根据权利要求3所述的磁记录介质，其中所述氧化金属包括氧化crti或氧化nita中的一者或多者。

5.根据权利要求3所述的磁记录介质，其中被氧化的所述预晶种层的顶部具有0.3纳米(nm)至3nm范围内的厚度。

6.根据权利要求3所述的磁记录介质，其中被氧化的所述预晶种层的顶部具有40至80(at％)范围内的氧原子百分比。

7.根据权利要求3所述的磁记录介质，其中(1)所述预晶种层内的所述氧化金属的厚度和(2)所述预晶种层内的所述氧化金属中的氧浓度中的至少一者被配置为使得所述磁记录介质的面密度容量(adc)比具有未被氧化的预晶种层的对应磁记录介质的adc大至少0.5％。

8.根据权利要求3所述的磁记录介质，其中所述预晶种晶层内的所述氧化金属的浓度百分比在所述预晶种层的至少顶部内具有朝向所述sul氧化增加的梯度。

9.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述sul覆盖所述预晶种层的表面部分，并且其中被所述sul覆盖的所述表面部分被氧化。

10.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述sul包含选自由以下组成的组的材料：钴、铁、钼、钽、铌、硼、铬以及它们的组合。

11.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中所述sul被配置为在写入操作期间为施加到所述磁记录介质的磁场提供返回路径。

12.一种磁记录装置，包括：

13.一种用于制造磁记录介质的方法，包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其中在所述基板上形成所述预晶种层时，氧化所述预晶种层。

15.根据权利要求13所述的方法，其中在所述基板上形成所述预晶种层之后并且在提供所述sul之前，氧化所述预晶种层。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述基板由非导电材料制成，并且所述预晶种层包含氧化金属。

17.根据权利要求16所述的方法，其中(1)所述预晶种层内的所述氧化金属的厚度和(2)所述预晶种层内的所述氧化金属中的氧浓度中的至少一者被选择成使得与具有未被氧化的预晶种层的对应磁记录介质中的互混量相比，降低所述预晶种层和所述sul之间的互混量。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述预晶种层中的所述氧化金属的浓度百分比在所述预晶种层的至少顶部内具有朝向所述sul氧化增加的梯度。

19.根据权利要求16所述的方法，其中(1)所述预晶种层内的所述氧化金属的厚度和(2)所述预晶种层内的所述氧化金属中的氧浓度中的至少一者被选择成增加所述磁记录介质的重写量度。

20.根据权利要求13所述的方法，其中所述sul覆盖所述预晶种层的表面部分，并且其中被所述sul覆盖的所述表面部分被氧化。

21.根据权利要求13所述的方法，其中所述sul包含选自由以下组成的组的材料：钴、铁、钼、钽、铌、硼、铬以及它们的组合。

22.根据权利要求13所述的方法，其中所述sul被配置为在写入操作期间为施加到所述磁记录介质的磁场提供返回路径。

23.一种磁记录介质，包括：

24.一种磁记录装置，包括：

技术总结一种磁记录介质，该磁记录介质包括形成在氧化预晶种层上方的软磁性垫层(SUL)。在一些示例中，该预晶种层被氧化以降低该预晶种层和该SUL之间的互混量。通过氧化降低互混可导致沉积在该SUL上的该记录介质的记录性能得到改善。特别地，可改善介质重写、信噪比(SNR)、线性记录密度以及面记录密度或面密度容量(ADC)。在一个方面，可修改沉积设备以在预晶种层沉积期间注入氧以氧化预晶种层。技术研发人员：K·唐受保护的技术使用者：西部数据技术公司技术研发日：技术公布日：2024/1/16