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一种DDR4DRAM修复验证方法、装置、设备及存储介质与流程

  • 国知局
  • 2024-07-31 19:20:02

本发明涉及校验,尤其涉及一种ddr4 dram修复验证方法、装置、设备及存储介质。

背景技术:

1、ddr4是是一种高带宽的计算机存储器,其可以采用引入封装后修复(hard postpackage repair,hppr)的方式进行修复,通过用冗余行永久替换掉故障行的方式来提高ddr4内存模组的使用寿命。

2、hppr的好处是可以实现永久修复,就算内存拿到其他平台也有效。由于hppr是一次性和永久性的,为避免由于修复失败造成的商业损失,就需要用有效的验证手段来验证修复是否成功。

3、目前常规的验证方法为,修复结束后向修复行写数据,然后读取修复行数据,通过对比写入数据和读取数据是否相同的方法来验证是否修复成功。发明人研究发现,由于有一些dram(dynamic random access memory,动态随机存取存储器)的缺陷的复现条件很难构造(即缺陷只在某些条件出现,一般情况下是正常的),现有验证方法只是简单的对目标行进行写入-读取-对比验证方法并不能完全判断故障行是否已经被冗余行替换掉了,就算故障行没有成功的被替换掉,由于缺陷的复现条件未达到,也有很大概率被判定为修复成功,最终导致修复失败的dram由于没有被准确的验证有效性而流入市场,最终造成商业损失。

技术实现思路

1、本发明实施例提供了一种ddr4 dram修复验证方法、装置、设备及存储介质,旨在解决现有ddr4 dram缺陷验证方式准确性低的问题。

2、第一方面,本发明实施例提供了一种ddr4 dram修复验证方法,其包括:

3、获取待修复ddr4 dram的故障行;

4、向所述故障行中写入预设的第一数据;

5、对所述故障行进行修复,并在修复结束后,读取所述故障行中的数据,得到第二数据;

6、基于所述第一数据以及所述第二数据判断所述故障行是否修复成功。

7、其进一步的技术方案为,所述获取待修复ddr4 dram的故障行,包括:

8、通过预设的测试系统对所述待修复ddr4 dram进行内存压力测试,获得所述待修复ddr4 dram的所述故障行的地址。

9、其进一步的技术方案为,所述对所述故障行进行修复,包括:

10、在所述待修复ddr4 dram中获取冗余行;

11、将所述故障行的地址映射为所述冗余行的地址。

12、其进一步的技术方案为,所述在所述待修复ddr4 dram中获取冗余行,包括:

13、将所述故障行的地址发送给所述待修复ddr4 dram的行解码器,以由所述行解码器根据所述故障行的地址从所述待修复ddr4 dram确定匹配的冗余行。

14、其进一步的技术方案为,所述基于所述第一数据以及所述第二数据判断所述故障行是否修复成功,包括:

15、判断所述第一数据与所述第二数据是否相同;

16、若所述第一数据与所述第二数据相同,判定所述故障行修复失败;

17、若所述第一数据与所述第二数据不相同,判定所述故障行修复成功。

18、其进一步的技术方案为,所述ddr4 dram修复验证方法在-40℃-40℃下执行。

19、第二方面,本发明实施例还提供了一种ddr4 dram修复验证设备,所述ddr4dram修复验证设备包括:处理器、内存控制器、供电单元、串口、存储器以及内存插槽,所述处理器与所述内存控制器、所述供电单元、所述串口以及所述存储器连接,所述内存控制器与所述内存插槽连接,所述存储器上存储有计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-7中任一项所述的方法。

20、其进一步的技术方案,所述ddr4 dram修复验证设备还包括低温箱,所述处理器、所述内存控制器、所述供电单元、所述串口、所述存储器以及所述内存插槽均设于所述低温箱内。

21、第三方面,本发明实施例还提供了一种计算机设备,其包括存储器及处理器,所述存储器上存储有计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现上述方法。

22、第四方面,本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质,所述存储介质存储有计算机程序,所述计算机程序当被处理器执行时可实现上述方法。

23、本发明实施例提供了一种ddr4 dram修复验证方法、装置、设备及存储介质。其中,所述方法包括:获取待修复ddr4 dram的故障行;向所述故障行中写入预设的第一数据;对所述故障行进行修复,并在修复结束后,读取所述故障行中的数据,得到第二数据;基于所述第一数据以及所述第二数据判断所述故障行是否修复成功。本发明实施例提出的ddr4dram修复验证方法,在ddr4hppr修复前,向故障行写入特定的第一数据,在修复结束后,读取故障行中的数据,读取为第二数据,通过对比第二数据和第一数据是否相同,就可以检验出,故障行是否已经被冗余行替换掉了,该方法操作简便,准确性高。

技术特征:

1.一种ddr4 dram修复验证方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的ddr4 dram修复验证方法,其特征在于,所述获取待修复ddr4dram的故障行,包括:

3.根据权利要求2所述的ddr4 dram修复验证方法,其特征在于,所述对所述故障行进行修复,包括:

4.根据权利要求3所述的ddr4 dram修复验证方法,其特征在于,在所述待修复ddr4dram中获取冗余行,包括:

5.根据权利要求1所述的ddr4 dram修复验证方法,其特征在于,所述基于所述第一数据以及所述第二数据判断所述故障行是否修复成功,包括:

6.根据权利要求1所述的ddr4 dram修复验证方法,其特征在于,所述ddr4dram修复验证方法在-40℃-40℃下执行。

7.一种ddr4 dram修复验证设备,其特征在于,包括:处理器、内存控制器、供电单元、串口、存储器以及内存插槽,所述处理器与所述内存控制器、所述供电单元、所述串口以及所述存储器连接,所述内存控制器与所述内存插槽连接,所述存储器上存储有计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-6中任一项所述的方法。

8.根据权利要求7所述ddr4 dram修复验证设备,其特征在于,还包括低温箱,所述处理器、所述内存控制器、所述供电单元、所述串口、所述存储器以及所述内存插槽均设于所述低温箱内。

9.一种ddr4 dram修复验证装置,其特征在于,包括用于执行如权利要求1-6任一项所述方法的单元。

10.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述存储介质存储有计算机程序,所述计算机程序当被处理器执行时可实现如权利要求1-6中任一项所述的方法。

技术总结本发明实施例公开了一种DDR4DRAM修复验证方法、装置、设备及存储介质,涉及校验技术领域。所述方法包括:获取待修复DDR4DRAM的故障行;向所述故障行中写入预设的第一数据;对所述故障行进行修复,并在修复结束后,读取所述故障行中的数据,得到第二数据;基于所述第一数据以及所述第二数据判断所述故障行是否修复成功。本发明实施例提出的DDR4DRAM修复验证方法,在DDR4HPPR修复前,向故障行写入特定的第一数据,在修复结束后,读取故障行中的数据,读取为第二数据,通过对比第二数据和第一数据是否相同,就可以检验出,故障行是否已经被冗余行替换掉了,该方法操作简便,准确性高。技术研发人员:褚银焕,李创锋受保护的技术使用者:深圳市金泰克半导体有限公司技术研发日:技术公布日:2024/1/16

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