获取磁性随机存储器短路故障地址的方法以及测试系统与流程

本申请涉及微电子，具体而言，涉及一种获取磁性随机存储器短路故障地址的方法以及测试系统。

背景技术：

1、磁性随机存储器(magnetic random access memory，mram)是一种极具潜力的新型存储器，它的核心存储单元包括1个磁性隧道结(mtj)、1个场效应管(cmos)。其中，mtj的相关制造工艺可能出现部分相邻位置的接触短路现象，在mtj和cmos间的位置，发生垂直与bl方向的短路故障，则短路的两mtj所在的bl上的所有mtj(短路的两mtj除外)发生误读，同时短路的mtj则会存在误写问题，导致测试结果不准确，影响良率判断。

2、该故障类型无法通过常规测试向量直接鉴别，将严重影响产品质量。

3、因此，需要发明一种测试方法，在产品出厂测试时，快速、准确找出此类失效的mtj所在的地址。

4、在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

技术实现思路

1、本申请的主要目的在于提供一种获取磁性随机存储器短路故障地址的方法以及测试系统，以解决现有技术中无法找出短路故障的mtj所在的地址的问题。

2、为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种获取磁性随机存储器短路故障地址的方法，包括：对所述磁性随机存储器进行初始化，使得所述磁性随机存储器达到初始状态，并对处于所述初始状态的各磁性随机存储器地址进行初始读操作，根据所述初始读操作得到的值确定第一地址；按照第一预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第一写操作和第一读操作，并根据所述第一读操作得到的值确定第二地址；按照第二预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第二写操作和第二读操作，并根据所述第二读操作得到的值确定第三地址；至少根据所述第一地址、所述第二地址以及所述第三地址，计算目标地址，所述目标地址为短路故障的地址。

3、可选地，按照第一预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第一写操作和第一读操作，并根据所述第一读操作得到的值确定第二地址，包括：按照所述第一预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第一写0操作和第一读0操作，得到对应的第一读0值；确定所述第一读0值不为0的地址为所述第二地址。

4、可选地，按照第一预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第一写操作和第一读操作，并根据所述第一读操作得到的值确定第二地址，还包括：按照所述第一预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第一写1操作和第一读1操作，得到对应的第一读1值；确定所述第一读1值不为1的地址为所述第二地址。

5、可选地，按照第二预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第二写操作和第二读操作，并根据所述第二读操作得到的值确定第三地址，包括：按照所述第二预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第二写0操作和第二读0操作，得到对应的第二读0值；确定所述第二读0值不为0的地址为所述第三地址。

6、可选地，按照第二预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第二写操作和第二读操作，并根据所述第二读操作得到的值确定第三地址，还包括：按照所述第二预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第二写1操作和第二读1操作，得到对应的第二读1值；确定所述第二读1值不为1的地址为所述第三地址。

7、可选地，至少根据所述第一地址、所述第二地址以及所述第三地址，计算目标地址，所述目标地址为短路故障的地址包括：对所述第二地址和所述第三地址进行与计算，得到第四地址；对所述第四地址与所述第一地址进行异或计算，得到所述目标地址。

8、可选地，对所述磁性随机存储器进行初始化的方法包括以下之一：外加磁场和外加热应力。

9、根据本申请的另一方面，还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括存储的程序，其中，在所述程序运行时控制所述计算机可读存储介质所在设备执行任一种所述的获取磁性随机存储器短路故障地址的方法。

10、根据本申请的另一方面，还提供了一种处理器，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行任一种所述的获取磁性随机存储器短路故障地址的方法。

11、根据本申请的另一方面，还提供了一种获取磁性随机存储器短路故障地址的测试系统，包括：一个或多个处理器，存储器，显示装置、控制装置、测试装置以及一个或多个程序，其中，所述一个或多个程序被存储在所述存储器中，并且被配置为由所述一个或多个处理器执行，所述一个或多个程序包括用于执行任一种所述的获取磁性随机存储器短路故障地址的方法。

12、可选地，所述测试装置包括以下之一：应力发生装置和磁场发生装置。

13、应用本申请的技术方案，获取磁性随机存储器短路故障地址的方法中，首先，对所述磁性随机存储器进行初始化，使得所述磁性随机存储器达到初始状态，并对处于所述初始状态的各磁性随机存储器地址进行初始读操作，根据所述初始读操作得到的值确定第一地址；之后，按照第一预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第一写操作和第一读操作，并根据所述第一读操作得到的值确定第二地址；之后，按照第二预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第二写操作和第二读操作，并根据所述第二读操作得到的值确定第三地址；最后，至少根据所述第一地址、所述第二地址以及所述第三地址，计算目标地址，所述目标地址为短路故障的地址。该方法通过对处于所述初始状态的各磁性随机存储器地址进行初始读操作获取除短路故障之外的其他故障的第一地址，再根据短路会造成改写的现象，通过正序和倒序的写操作及对应的读操作，确定对应的所有故障的第二地址和第三地址，最后根据所述第一地址、所述第二地址以及所述第三地址，计算出短路故障地址，进而解决了无法通过常规测试直接获取短路故障地址的问题。

技术特征：

1.一种获取磁性随机存储器短路故障地址的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，按照第一预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第一写操作和第一读操作，并根据所述第一读操作得到的值确定第二地址，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，按照第一预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第一写操作和第一读操作，并根据所述第一读操作得到的值确定第二地址，还包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，按照第二预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第二写操作和第二读操作，并根据所述第二读操作得到的值确定第三地址，包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，按照第二预定顺序，依次对所述磁性随机存储器的各所述地址进行第二写操作和第二读操作，并根据所述第二读操作得到的值确定第三地址，还包括：

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，至少根据所述第一地址、所述第二地址以及所述第三地址，计算目标地址，所述目标地址为短路故障的地址包括：

7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，对所述磁性随机存储器进行初始化的方法包括以下之一：外加磁场和外加热应力。

8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质包括存储的程序，其中，在所述程序运行时控制所述计算机可读存储介质所在设备执行权利要求1至7中任意一项所述的获取磁性随机存储器短路故障地址的方法。

9.一种处理器，其特征在于，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行权利要求1至7中任意一项所述的获取磁性随机存储器短路故障地址的方法。

10.一种获取存储器短路故障地址的测试系统，其特征在于，包括：一个或多个处理器，存储器，显示装置、控制装置、测试装置以及一个或多个程序，其中，所述一个或多个程序被存储在所述存储器中，并且被配置为由所述一个或多个处理器执行，所述一个或多个程序包括用于执行权利要求1至7中任意一项所述的获取磁性随机存储器短路故障地址的方法。

11.根据权利要求10所述的系统，其特征在于，所述测试装置包括以下之一：应力发生装置和磁场发生装置。

技术总结本申请提供了一种获取磁性随机存储器短路故障地址的方法以及测试系统。该方法包括：对磁性随机存储器进行初始化，使得磁性随机存储器达到初始状态，并对处于初始状态的各磁性随机存储器地址进行初始读操作，根据初始读操作得到的值确定第一地址；按照第一预定顺序，依次对磁性随机存储器的各地址进行第一写操作和第一读操作，并根据第一读操作得到的值确定第二地址；按照第二预定顺序，依次对磁性随机存储器的各地址进行第二写操作和第二读操作，并根据第二读操作得到的值确定第三地址；至少根据第一地址、第二地址以及第三地址，计算目标地址，目标地址为短路故障的地址。该方法解决了无法通过常规测试直接获取短路故障地址的问题。技术研发人员：侯嘉,王明,何世坤受保护的技术使用者：中电海康集团有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15