半导体存储装置的制作方法

概括地说，本文描述的实施方式涉及半导体存储装置。

背景技术：

1、已知一种存储器系统，包括作为半导体存储装置的nand型闪存和控制nand型闪存的控制器。

技术实现思路

1、实施方式实现了对于存储器系统的写入操作和读取操作所消耗的能量的减少。

2、总体上，根据一个实施方式，半导体存储装置包括位线、源极线、设置在所述位线和所述源极线之间并串联连接的第一存储单元和第二存储单元、连接到所述第一存储单元的第一字线、连接到所述第二存储单元的第二字线、以及控制电路。当对所述第一存储单元执行读取操作时，所述控制电路向所述源极线提供源极电压，向所述第一字线提供第一电压，向所述第二字线提供第二电压，并且所述源极电压和所述第二电压之间的差小于所述源极电压和所述第一电压之间的差。

技术特征：

1.一种半导体存储装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，还包括：

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中，

6.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中，

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中，

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中，

11.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

12.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

13.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

14.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

15.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

16.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

17.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

18.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，

19.根据权利要求18所述的半导体存储装置，其中，

20.根据权利要求18所述的半导体存储装置，其中，

21.一种半导体存储装置，包括：

22.一种半导体存储装置，包括：

技术总结根据一个实施方式，半导体存储装置包括位线、源极线、设置在位线和源极线之间并串联连接的第一存储单元和第二存储单元、连接到所述第一存储单元的第一字线、连接到所述第二存储单元的第二字线、以及控制电路。当对所述第一存储单元执行读取操作时，所述控制电路向所述源极线提供源极电压，向所述第一字线提供第一电压，向所述第二字线提供第二电压，并且所述源极电压和所述第二电压之间的差小于所述源极电压和所述第一电压之间的差。技术研发人员：佐贯朋也,中塚圭祐受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15