具有编程操作控制的半导体设备的制作方法

各种实施方式总体上涉及半导体电路，更具体地，涉及能够控制编程操作的半导体设备。

背景技术：

1、半导体设备(例如，存储器装置)可以分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。非易失性存储器装置即使在电源中断时也可以保持其内所存储的数据。因此，因为数据保持与电源无关，所以非易失性存储器装置被广泛用于各种便携式电子装置中。

2、根据其内存储数据的方案，非易失性存储器可以分类为只读存储器(rom)、掩模rom、可编程rom(prom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、电可编程rom(eprom)、闪存、相变ram(pram)、磁ram(mram)、电阻ram(rram)、铁电ram(fram)等。

3、与易失性存储器不同，闪存不需要周期性地重新存储其内所存储的数据的刷新功能，因此导致对闪存的需求增加。闪存能够电编程和擦除数据。作为编程操作的方案之一，可以利用双重验证编程操作(dpgm)以使用两(2)个验证电压电平执行验证操作。

4、在编程操作的早期阶段可以存在大量要编程的目标单元(即，存储器单元)，但在编程操作的后期不要编程的存储器单元可能增加，这导致编程操作的特性劣化。因此，需要用于防止或减轻编程操作的特性劣化的技术。

技术实现思路

1、在实施方式中，一种半导体设备可以包括存储器单元阵列和控制电路。控制电路可以被配置为对存储器单元阵列内的目标单元执行编程操作，编程操作包括多个循环。控制电路可以被配置为在多个循环当中的其中施加具有第一电平的通过电压的循环中向位线施加具有预定电平的位线电压，并且被配置为在多个循环当中的其中施加具有比第一电平高的第二电平的通过电压的循环中向位线施加具有比预定电平高的电平的位线电压。

2、在实施方式中，一种半导体设备可以包括存储器单元阵列和控制电路。控制电路可以被配置为对存储器单元阵列内的目标单元执行编程操作，该编程操作包括多个循环。控制电路可以被配置为在编程操作期间执行第一编程控制操作和第二编程控制操作中的至少一个。控制电路可以被配置为通过在多个循环当中的其中施加具有第一电平的通过电压的循环中向位线施加具有第一预定电平的位线电压，并且通过在多个循环当中的其中施加具有高于第一电平的第二电平的通过电压的循环中向位线施加具有比第一预定电平高的电平的位线电压，来执行第一编程控制操作。控制电路可以被配置为通过在多个循环当中的作为验证操作的结果出现通过确定之前的循环中向位线施加具有比第二预定电平低的电平的位线电压，并且通过在多个循环当中的作为验证操作的结果出现通过确定的循环以及后续循环中向位线施加具有第二预定电平的位线电压，来执行第二编程控制操作。

3、在实施方式中，一种半导体设备可以包括存储器单元阵列和控制电路。控制电路可以被配置为对存储器单元阵列内的目标单元执行编程操作，该编程操作包括多个循环。控制电路可以被配置为在编程操作期间执行第一编程控制操作、第二编程控制操作和第三编程控制操作中的至少一个。控制电路可以被配置为通过在多个循环当中的其中施加具有第一电平的通过电压的循环中向位线施加具有第一预定电平的位线电压，并且通过在多个循环当中的其中施加具有比第一电平高的第二电平的通过电压的循环中向位线施加具有比第一预定电平高的电平的位线电压，来执行第一编程控制操作。控制电路可以被配置为通过在多个循环当中的出现通过确定之前的循环中向位线施加具有比第二预定电平低的电平的位线电压，并且通过在多个循环当中的出现通过确定的循环以及后续循环中向位线施加具有第二预定电平的位线电压，来执行第二编程控制操作。控制电路可以被配置为通过改变用于第一验证操作的第一评估时间量和用于第二验证操作的第二评估时间量中的至少一个来执行第三编程控制操作，第一验证操作和第二验证操作包括于多个循环中执行的双重验证操作中。

技术特征：

1.一种半导体设备，该半导体设备包括：

2.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述多个循环中的每一个包括对所述存储器单元阵列内的所述目标单元的编程电压施加操作和验证操作，所述验证操作是通过利用多个验证电压验证所述目标单元是否被编程的操作。

3.根据权利要求2所述的半导体设备，其中，在所述编程操作期间，所述控制电路向联接到所述目标单元的字线施加编程电压并且向联接到非目标单元的字线施加所述通过电压。

4.根据权利要求1所述的半导体设备，其中，所述编程操作是双重验证编程操作，该双重验证编程操作包括要利用两个单独的验证电压电平执行的验证操作。

5.根据权利要求1所述的半导体设备，该半导体设备还包括页缓冲器，该页缓冲器通过所述位线联接到所述存储器单元阵列并且在所述控制电路的控制下调整所述位线电压的电平。

6.一种半导体设备，该半导体设备包括：

7.根据权利要求6所述的半导体设备，其中，所述多个循环中的每一个包括对所述存储器单元阵列内的所述目标单元的编程电压施加操作和验证操作，所述验证操作是通过利用多个验证电压验证所述目标单元是否被编程的操作。

8.根据权利要求7所述的半导体设备，其中，在所述编程操作期间，所述控制电路向联接到所述目标单元的字线施加编程电压并且向联接到非目标单元的字线施加所述通过电压。

9.根据权利要求6所述的半导体设备，其中，所述编程操作是双重验证编程操作，该双重验证编程操作包括要利用两个单独的验证电压电平执行的验证操作。

10.根据权利要求6所述的半导体设备，该半导体设备还包括页缓冲器，该页缓冲器通过所述位线联接到所述存储器单元阵列并且在所述控制电路的控制下调整所述位线电压的电平。

11.一种半导体设备，该半导体设备包括：

12.根据权利要求11所述的半导体设备，其中，所述控制电路通过针对所述多个循环当中的出现通过确定之前的循环，将所述第一评估时间量设置为第一值，并且通过针对所述多个循环当中的出现所述通过确定的循环以及后续循环，将所述第一评估时间量设置为第二值，来执行所述第三编程控制操作，所述第二值小于所述第一值。

13.根据权利要求11所述的半导体设备，其中，所述控制电路通过针对所述多个循环当中的出现通过确定之前的循环，将所述第二评估时间量设置为第一值，并且通过针对所述多个循环当中的出现所述通过确定的循环以及后续循环，将所述第二评估时间量设置为第二值，来执行所述第三编程控制操作，所述第二值大于所述第一值。

14.根据权利要求11所述的半导体设备，其中，所述多个循环中的每一个包括对所述存储器单元阵列内的所述目标单元的编程电压施加操作和验证操作，所述验证操作是通过利用多个验证电压验证所述目标单元是否被编程的操作。

15.根据权利要求14所述的半导体设备，其中，在所述编程操作期间，所述控制电路向联接到所述目标单元的字线施加编程电压并且向联接到非目标单元的字线施加所述通过电压。

16.根据权利要求11所述的半导体设备，其中，所述编程操作是双重验证编程操作，该双重验证编程操作包括要利用两个单独的验证电压电平执行的验证操作。

17.根据权利要求11所述的半导体设备，该半导体设备还包括页缓冲器，该页缓冲器通过所述位线联接到所述存储器单元阵列并且在所述控制电路的控制下调整所述位线电压的电平。

技术总结本公开涉及一种具有编程操作控制的半导体设备。一种半导体设备包括存储器单元阵列和控制电路。控制电路被配置为对存储器单元阵列内的目标单元执行编程操作，编程操作包括多个循环。控制电路可以被配置为在多个循环当中的其中施加具有第一电平的通过电压的循环中向位线施加具有预定电平的位线电压，并且被配置为在多个循环当中的其中施加具有比第一电平高的第二电平的通过电压的循环中向位线施加具有比预定电平高的电平的位线电压。技术研发人员：崔亨进,高贵韩,郑赞熙受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15