半导体装置的制作方法

本公开涉及一种半导体装置。

背景技术：

1、对诸如用于大数据应用、高容量服务器和人工智能(ai)的高容量存储器装置的增加的需求已经导致对新存储器结构的相应的增加的需求。作为一个示例，已经提出了存储器单元裸片和外围电路裸片通过单独的工艺被制造且两个裸片被键合的新的存储器结构。在这样的结构中，外围电路裸片可通过相对低温的工艺被制造，并且因此可获得技术扩展的优点。

2、这个结构可具有在单元裸片与外围电路裸片之间的用于其间的通信的许多(例如，数百万个)键合部分，并且当键合部分的连接不稳定时，存储器的良品率可被降低。

技术实现思路

1、本公开内容的方面提供由于不良的键合连接导致的良品率劣化可被防止或减少的半导体装置。

2、根据一些实施例的半导体装置可包括：存储器装置，包括存储器单元、页缓冲器和第一开关，第一开关具有电连接到位于存储器单元的键合点的第一节点的第一端、以及连接到位于页缓冲器的第二节点的第二端；以及存储器控制器，被配置为在第一时段将预充电电压施加到第一节点和第二节点，在第一时段之后的第二时段中闭合第一开关，并且在第一开关被闭合之后基于第二节点的电压来确定存储器单元与第一开关之间的键合是否有缺陷。

3、根据一些实施例的半导体装置可包括：存储器装置，包括连接到多个存储器单元的多条位线；预充电电路，被配置为用第一电压对所述多条位线之中的第一位线进行预充电，并且用低于第一电压的第二电压对第二位线进行预充电；以及感测放大器，被配置为对第一位线与第二位线之间的电压差进行放大并输出放大后的值；以及存储器控制器，被配置为基于来自感测放大器的输出来确定所述多个存储器单元的键合是否有缺陷。

4、根据一些实施例的半导体装置可包括：存储器单元；页缓冲器；第一开关，具有在第一节点与存储器单元连接的第一端和在第二节点与页缓冲器连接的第二端；第二开关，连接在被配置为提供预充电电压的电源与第一节点之间；以及第三开关，连接在电源与第二节点之间，其中，页缓冲器包括：锁存器；以及晶体管，连接在锁存器的输入端子与接地端子之间，并且具有连接到第二节点的栅极。

技术特征：

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，页缓冲器包括：

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，页缓冲器包括：

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，晶体管的栅极与第二节点连接，并且晶体管的源极或漏极与锁存器连接。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，存储器控制器被配置为：如果锁存器处于第一电平，则确定所述键合有缺陷，并且如果锁存器处于第二电平，则确定所述键合正常。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，预充电电压的施加时间和值被预先确定，使得当所述键合正常时，在第一时段结束时第二节点的电压超过晶体管的阈值电压。

10.根据权利要求6所述的半导体装置，还包括：感测电路，在第一时段结束时测量第一节点的电压，

11.一种半导体装置，包括：

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，存储器控制器被配置为：控制预充电电路，使得第一位线用第一电压被预充电，并且第二位线用第二电压被预充电。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，存储器控制器被配置为：基于来自感测放大器的输出来确定所述键合是否有缺陷。

14.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述多个存储器单元位于第一区域中，其中，预充电电路和感测放大器位于键合到第一区域的第二区域中，并且其中，存储器控制器被配置为确定第一区域和第二区域的键合是否有缺陷。

15.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，存储器控制器被配置为：当第一位线的电压高于第二位线的电压时，确定所述键合正常。

16.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，存储器控制器被配置为：当第二位线的电压高于第一位线的电压时，确定所述键合有缺陷。

17.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，存储器控制器被配置为：当第一位线的电压处于第一电平时，确定所述键合正常。

18.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，存储器控制器被配置为：当第一位线的电压处于第二电平时，确定所述键合有缺陷。

19.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，感测放大器连接到所述多条位线中的第一位线、第二位线和第三位线，并且其中，感测放大器被配置为对第二位线的电压和第三位线的电压的平均电压值与第一位线的电压之间的差进行放大。

20.一种半导体装置，包括：

技术总结提供了半导体装置。所述半导体装置可包括：存储器装置，包括存储器单元、页缓冲器和第一开关，第一开关具有电连接到位于存储器单元的键合点的第一节点的第一端、以及连接到位于页缓冲器的第二节点的第二端；以及存储器控制器，被配置为在第一时段将预充电电压施加到第一节点和第二节点，在第一时段之后的第二时段中闭合第一开关，并且被配置为在第一开关被闭合之后基于第二节点的电压来确定存储器单元与第一开关之间的键合是否有缺陷。技术研发人员：高准英,朴政民,朴彰辉受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/1/15