快速寻找最优读电压的方法及相关设备与流程

本发明涉及nand-flash存储器的电压读取，尤其是指一种快速寻找最优读电压的方法及相关设备。

背景技术：

1、目前，nand-flash存储器的最优电压读取有两种常用方法。

2、一种为一次操作一个readlevel电压，某个page如果有多个read level电压，则操作多次，这样功能没有问题，但是消耗的时间会特别长，而且读太多次，会增加readdisturb的影响。

3、另一种为一次操作多个readlevel电压，通过指示数据辨别不同的read level电压，指示数据需要多份，过多的指示数据，会增加buffer数量，提高成本。指示数据来自nand，需要读出来，增加了时间开销。

技术实现思路

1、本发明所要解决的技术问题是：nand-flash存储器的最优电压读取效率不高的问题。

2、为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种快速寻找最优读电压的方法，包括步骤，

3、s10、判断nand-flash存储器的page的read level电压数量；

4、s20、若为2个read level电压的page，根据每个read level电压跳变的规则，分别左右移动多个read level电压,比较移动之后的raw data和原始raw data，统计bit跳转的数量，得到最优电压；

5、s30、若为3个或3个以上的read level电压的page，根据每个read level电压跳变的规则和指示数据，区分出每个read level电压，同时操作多个read level电压同向移动，比较移动之后的raw data和原始raw data，统计bit跳转的数量，得到最优电压。

6、进一步的，步骤s20具体包括，

7、s21、读nand-flash存储器的目标page的原始数据raw data0，选出目标page对应的read level电压；

8、s22、根据nand-flash存储器的格雷码gray code，得出每个read level电压跳变的规则；

9、s23、向左或右移动2个read level电压一个step,读raw data与原始数据rawdata0比较，分别统计两个read level电压分别发生多少bit跳变；

10、s24、向左或向右移动下一个step,直到设置的最大值max_step，到最大值结束左移或右移，得出每次左移或右移的bi t跳变数量；

11、s25、根据bit跳变最小的位置，得到read level电压的最优电压。

12、进一步的，步骤s30具体包括，

13、s31、根据nand-flash存储器的类型，选出与nand-flash存储器相对应的指示数据；

14、s32、读目标page原始raw data0，读指示数据记作direction data；

15、s33、根据指示数据划出目标page level区域；

16、s34、利用数据跳变规则和指示数据综合，分别区分出每个read level电压；

17、s35、将目标page的read level电压同时左移或右移一个step，读目标page的rawdata和raw data0比较，分别统计出每个read level电压的bit跳变；

18、s36、左移或右移下个step，直到最大step，分别得出每个read level电压每个step对应的bit跳变；

19、s37、根据bit跳变最小的位置，得出每个read level电压的最优电压。

20、进一步的，步骤s24中，设置的最大值max_step大于等于2。

21、进一步的，步骤s25中，将根据所有bit跳变值，绘制出柱状图，柱状图中波谷的位置为read level电压的最优电压。

22、进一步的，步骤s31中，指示数据可配置，指示数据包括一份或一份以上。

23、进一步的，步骤s37中，将根据所有bit跳变值，绘制出柱状图，柱状图中波谷的位置为read level电压的最优电压。

24、本发明还提供了一种快速寻找最优读电压的装置，包括，

25、电压数量判断模块，用于判断nand-flash存储器的page的read level电压数量；

26、第一最优电压读取模块，用于若为2个read level电压的page，根据每个readlevel电压跳变的规则，分别左右移动多个read level电压,比较移动之后的raw data和原始raw data，统计bit跳转的数量，得到最优电压；

27、第二最优电压读取模块，用于若为3个或3个以上的read level电压的page，根据每个read level电压跳变的规则和指示数据，区分出每个read level电压，同时操作多个read level电压同向移动，比较移动之后的raw data和原始raw data，统计bit跳转的数量，得到最优电压。

28、本发明还提供了一种计算机设备，所述计算机设备包括存储器及处理器，所述存储器上存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上所述的快速寻找最优读电压的方法。

29、本发明还提供了一种存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时可实现如上所述的快速寻找最优读电压的方法。

30、本发明的有益效果在于：一次操作多个read level电压，尽可能减少指示数据的使用量，等于减少了读的次数，提高了效率，节省资源buffer，降低成本。

技术特征：

1.一种快速寻找最优读电压的方法，其特征在于，包括步骤，

2.如权利要求1所述的快速寻找最优读电压的方法，其特征在于，步骤s20具体包括，

3.如权利要求1所述的快速寻找最优读电压的方法，其特征在于，步骤s30具体包括，

4.如权利要求2所述的快速寻找最优读电压的方法，其特征在于，步骤s24中，设置的最大值max_step大于等于2。

5.如权利要求2所述的快速寻找最优读电压的方法，其特征在于，步骤s25中，将根据所有bit跳变值，绘制出柱状图，柱状图中波谷的位置为readlevel电压的最优电压。

6.如权利要求3所述的快速寻找最优读电压的方法，其特征在于，步骤s31中，指示数据可配置，指示数据包括一份或一份以上。

7.如权利要求3所述的快速寻找最优读电压的方法，其特征在于，步骤s37中，将根据所有bit跳变值，绘制出柱状图，柱状图中波谷的位置为readlevel电压的最优电压。

8.一种快速寻找最优读电压的装置，其特征在于，包括，

9.一种计算机设备，其特征在于：所述计算机设备包括存储器及处理器，所述存储器上存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7中任一项所述的快速寻找最优读电压的方法。

10.一种存储介质，其特征在于：所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时可实现如权利要求1至7中任一项所述的快速寻找最优读电压的方法。

技术总结本发明提供了一种快速寻找最优读电压的方法及相关设备，方法包括：判断Nand‑flash存储器的page的readlevel电压数量；若为2个read level电压的page，根据每个readlevel电压跳变的规则，分别左右移动多个read level电压,比较移动之后的raw data和原始raw data，统计bit跳转的数量，得到最优电压；若为3个或3个以上的read level电压的page，根据每个read level电压跳变的规则和指示数据，区分出每个read level电压，同时操作多个readlevel电压同向移动，比较移动之后的raw data和原始raw data，统计bit跳转的数量，得到最优电压。本发明的有益效果在于：一次操作多个read level电压，尽可能减少指示数据的使用量，等于减少了读的次数，提高了效率，节省资源buffer，降低成本。技术研发人员：段小康,朱成亮,于宝华受保护的技术使用者：成都芯忆联信息技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15