输入缓冲器偏置电流控制的制作方法

本公开的实施例大体上涉及半导体装置。更具体地说，本公开的实施例涉及控制用于半导体装置的输入缓冲器的偏置电流。

背景技术：

1、通常，计算系统可包含在操作中经由电信号传达信息的电子装置。举例来说，计算系统可包含以通信方式耦合到存储器装置，例如实施在双列直插式存储器模块(dimm)上的动态随机存取存储器(dram)装置的处理器。以此方式，处理器可与存储器装置通信以例如检索可执行指令、检索待由处理器处理的数据和/或存储从处理器输出的数据。

2、半导体装置(例如，存储器装置)可利用输入缓冲器。举例来说，dram装置可使用输入缓冲器，所述输入缓冲器使用偏置来控制输入缓冲器和/或输入缓冲器信道的行为方式且辅助用于dram装置的存储器操作。举例来说，偏置电流和/或电压可用于偏置输入缓冲器和/或输入缓冲器信道中的电路(例如，晶体管)。可跟踪参考电压以控制偏置电流和/或电压的产生。在一些情况下，参考电压量值可在半导体装置的操作期间变化。因此，输入缓冲器和/或输入缓冲器信道中的电路可不跨越参考电压量值的变化一致地操作。另外，参考电压量值可由于半导体装置的过程、电压、温度(pvt)条件的变化而变化。举例来说，不同过程拐点可产生用于输入缓冲器和/或输入缓冲器信道中的电路的不同阈值电压。因此，输入缓冲器和/或输入缓冲器信道中的电路可不跨越pvt变化一致地操作。

3、本公开的实施例可针对于上文所阐述的问题中的一或多个。

技术实现思路

1、在一方面中，本公开提供一种半导体装置，其包括：输入缓冲器，其被配置成缓冲数据；以及偏置产生和分配电路，其被配置成至少部分地基于参考电压而产生偏置电流并将其分配到输入缓冲器，其中偏置产生和分配电路包括：动态电压偏置电路，其被配置成调整偏置电流；以及参考电压跟踪电路，其被配置成基于参考电压而控制动态电压偏置电路的操作。

2、在另一方面中，本公开进一步提供一种半导体装置，其包括：输入缓冲器，其被配置成缓冲数据；电路，其被配置成基于输入缓冲器操作的过程拐点而存储指示；以及偏置产生和分配电路，其被配置成产生偏置电流并将其分配到输入缓冲器，其中偏置产生和分配电路包括：过程偏置电路，其被配置成调整偏置电流；以及过程调整电路，其被配置成至少部分地基于所存储指示而控制过程偏置电路的操作。

3、在又一方面中，本公开进一步提供一种方法，其包括：至少部分地基于输入缓冲器操作的过程拐点而将指示存储在电路中；至少部分地基于所存储指示而产生控制信号；以及至少部分地基于控制信号而调整用于输入缓冲器的偏置。

技术特征：

1.一种半导体装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述参考电压跟踪电路被配置成至少部分地基于所述参考电压而接收多个控制信号。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述参考电压跟踪电路包括被配置成接收所述多个控制信号的第一多个晶体管。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中每一晶体管包括被配置成接收所述多个控制信号中的相应控制信号的栅极端子。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述动态电压偏置电路包括第二多个晶体管。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第二多个晶体管耦合到所述输入缓冲器的共同节点。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述第二多个晶体管的多个源极端子耦合到所述第一多个晶体管的多个漏极端子。

8.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一多个晶体管的多个源极端子耦合到接地。

9.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述参考电压跟踪电路被配置成接收代码以控制所述第一多个晶体管的操作，并且其中所述代码包括多个位，每一位对应于所述第一多个晶体管中的相应晶体管。

10.一种半导体装置，其包括：

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述过程调整电路被配置成至少部分地基于所述所存储指示而接收多个控制信号。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述过程调整电路包括被配置成接收所述多个控制信号的第一多个晶体管。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中每一晶体管包括被配置成接收所述多个控制信号中的相应控制信号的栅极端子。

14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述过程偏置电路包括耦合到被配置成供应所述偏置电流的所述输入缓冲器的共同节点的第二多个晶体管。

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中所述第二多个晶体管的多个源极端子耦合到所述第一多个晶体管的多个漏极端子。

16.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述第一多个晶体管的多个源极端子耦合到接地。

17.一种方法，其包括：

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述过程拐点包括快速过程拐点和慢速过程拐点中的至少一个。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述偏置包括偏置电流，并且其中与所述快速过程拐点相关联的所述偏置电流比与所述慢速过程拐点相关联的所述偏置电流低。

20.根据权利要求17所述的方法，其包括：

21.根据权利要求17所述的方法，其中所述电路包括一或多个保险丝、一或多个模式寄存器或其组合。

技术总结本公开涉及输入缓冲器偏置电流控制。装置和方法包含产生用于半导体装置的输入缓冲器的偏置。在一些实施例中，所述半导体装置包含：输入缓冲器，其缓冲数据；以及偏置产生和分配电路，其至少部分地基于参考电压而产生偏置电流并将其分配到所述输入缓冲器。所述偏置产生和分配电路包含调整所述偏置电流的动态电压偏置电路以及基于所述参考电压而控制所述动态电压偏置电路的操作的参考电压跟踪电路。技术研发人员：刘亮受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15