自旋逻辑器件、存算一体器件、半加器和全加器的制作方法

背景技术：

技术实现思路

技术特征：

pct国内申请，权利要求书已公开。

技术总结本公开的实施例提供了一种自旋逻辑器件、存算一体器件、半加器和全加器。在该自旋逻辑器件中，磁性单元包括沿第一方向堆叠的自旋霍尔效应层和铁磁层。磁性单元包括在第一侧的第一端口、在沿第二方向与第一侧相对的第二侧的第二端口以及位于第一端口与第二端口之间并且在上方的第三端口。第一负微分电阻耦接在第一端口与第三端口之间。第二负微分电阻耦接在第二端口与第三端口之间。该自旋逻辑器件可以在第一负微分电阻和/或第二负微分电阻两端产生显著不同的输出电压，以识别不同的逻辑输出。通过这种方式，可以实现电压型自旋逻辑器件，从而降低器件功耗，提高器件性能。此外，该自旋逻辑器件不需要磁场来辅助磁矩翻转，容易集成。技术研发人员：李文静,叶力,向清懿受保护的技术使用者：华为技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/5