包括连接至字线的存储器块的存储器装置的操作方法与流程

本文所述的本公开的实施例涉及一种半导体存储器，并且更具体地说，涉及一种包括与多条字线连接的存储器块的存储器装置的操作方法。

背景技术：

1、半导体存储器分类为：(1)易失性存储器，其中当断电时存储的数据消失，诸如静态随机存取存储器(sram)或动态随机存取存储器(dram)，或者(2)非易失性存储器，其中即使断电存储的数据也保留，诸如闪速存储器、相变ram(pram)、磁性ram(mram)、电阻ram(rram)或铁电ram(fram)。

2、闪速存储器被广泛用作计算系统的大容量储存部。闪速存储器通过控制与存储器单元连接的多条字线的电压执行读操作或编程操作。在完成读操作或编程操作之后，闪速存储器控制字线的电压，以通过给定电平被设置。在这种情况下，由于闪速存储器的物理结构特征，闪速存储器的沟道电压减小。沟道电压的减小可能导致沟道和字线的电压差增大，从而降低存储器单元的可靠性。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供一种可靠性提高的存储器装置的操作方法。存储器装置包括与多条字线连接的存储器块。

2、根据实施例，一种包括与字线连接的存储器块的存储器装置的操作方法包括：(1)从存储器控制器接收命令，(2)激活第一块选择信号，第一块选择信号控制被配置为将与存储器块连接的字线同驱动线连接的第一通过晶体管，以及(3)控制字线以执行对应于命令的第一操作。在完成第一操作之后，该方法还包括：(4)用第一电压为存储器块的沟道预充电，以及(5)执行模式恢复操作使得用恢复电压控制字线。模式恢复操作包括去激活第一块选择信号。

3、根据实施例，一种包括与字线、串选择线和地选择线连接的存储器块的存储器装置的操作方法包括：(1)从存储器控制器接收命令，(2)激活第一块选择信号，第一块选择信号控制被配置为将与存储器块连接的字线同驱动线连接的第一通过晶体管，(3)控制字线使得执行对应于命令的第一操作，(4)用第一电压为存储器块的沟道预充电，(5)利用恢复电压设置与存储器块连接的字线，(6)利用地电压设置串选择线和地选择线，以及(7)去激活第一块选择信号。

4、根据实施例，一种包括与字线、串选择线和地选择线连接的存储器块的存储器装置的操作方法包括：(1)从存储器控制器接收读命令，(2)通过将非选择读电压施加至字线中的未选择的字线，响应于读命令执行字线设置操作，(3)将通过电压施加至串选择线，(4)将通过电压施加至地选择线，(5)通过将至少一个读电压施加至字线中的选择的字线，执行感测操作，以及(6)执行模式恢复操作，使得用恢复电压设置字线并且用地电压设置串选择线和地选择线。模式恢复操作包括：通过与存储器块连接的位线或公共源极线为存储器块的沟道预充电的操作。在字线设置操作、感测操作和模式恢复操作期间激活对应于存储器块的第一块选择信号。在完成模式恢复操作之后去激活第一块选择信号。

技术特征：

1.一种存储器装置的操作方法，所述存储器装置包括与字线连接的存储器块，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在完成所述模式恢复操作之后，浮置所述字线。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，用所述第一电压对所述存储器块的所述沟道预充电包括：将第二电压施加至与所述存储器块连接的位线。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，用所述第一电压对所述存储器块的所述沟道预充电还包括：将与所述存储器块连接的公共源极线浮置。

5.根据权利要求3所述的方法，其中：

6.根据权利要求5所述的方法，其中：

7.根据权利要求1所述的方法，其中，用所述第一电压对所述存储器块的所述沟道预充电包括：将第三电压施加至与所述存储器块连接的公共源极线。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，用所述第一电压对所述存储器块的所述沟道预充电还包括：将与所述存储器块连接的位线浮置。

9.根据权利要求7所述的方法，其中：

10.根据权利要求7所述的方法，其中：

11.根据权利要求1所述的方法，其中，完成所述第一操作包括：

12.一种存储器装置的操作方法，所述存储器装置包括与字线、串选择线和地选择线连接的存储器块，所述方法包括：

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在去激活所述第一块选择信号之后，浮置所述字线且保持所述恢复电压。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，用所述第一电压对所述存储器块的所述沟道预充电包括：将第二电压施加至与所述存储器块连接的位线，并且将与所述存储器块连接的公共源极线浮置。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，用所述恢复电压设置与所述存储器块连接的所述字线并且用所述地电压设置所述串选择线和所述地选择线包括：在所述串选择线的电压低于串选择晶体管的阈电压之后，控制所述位线以被所述地电压设置。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，用所述恢复电压设置与所述存储器块连接的所述字线并且用所述地电压设置所述串选择线和所述地选择线包括：在所述串选择线的电压低于与所述串选择线连接的串选择晶体管的阈电压之后，将所述位线浮置。

17.根据权利要求12所述的方法，其中，用所述第一电压对所述存储器块的所述沟道预充电包括：将第二电压施加至与所述存储器块连接的公共源极线，并且将与所述存储器块连接的位线浮置。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，用所述恢复电压设置与所述存储器块连接的所述字线并且用所述地电压设置所述串选择线和所述地选择线包括：在所述地选择线的电压低于与所述地选择线连接的地选择晶体管的阈电压之后，控制所述公共源极线以被所述地电压设置。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，用所述恢复电压设置与所述存储器块连接的所述字线并且用所述地电压设置所述串选择线和所述地选择线包括：在所述地选择线的电压低于与所述地选择线连接的地选择晶体管的阈电压之后，将所述公共源极线浮置。

20.一种存储器装置的操作方法，所述存储器装置包括与字线、串选择线和地选择线连接的存储器块，所述方法包括：

技术总结一种存储器装置的操作方法，存储器装置具有与字线连接的存储器块，所述方法包括：(1)从存储器控制器接收命令，(2)激活第一块选择信号，第一块选择信号控制被配置为将与存储器块连接的字线与驱动线连接的第一通过晶体管，以及(3)控制字线使得执行对应于命令的第一操作。在完成第一操作之后，该方法还包括：(4)用第一电压对存储器块的沟道预充电，以及(5)执行模式恢复操作使得用恢复电压控制字线。模式恢复操作包括：去激活第一块选择信号。技术研发人员：申东珍,朴相元,郑原宅,金炳秀,全秀昶受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/1/5