存储器装置及其操作方法与流程

本公开是有关于一种存储器装置及其操作方法。

背景技术：

1、三维(3d)与非(nand)型快闪存储器(flash memory)除了在xy平面上的阵列结构外，在z轴的方向上通常会有立体堆叠的结构。受限制程技术，位于z轴方向两端(即顶端与底端)的存储单元的元件特性通常较z轴方向中段部分的存储单元来得差。元件特性会影响存储单元内储存的数据的可靠度。因此，位于z轴方向两端的存储单元通常会被配置以使得每个存储单元储存的位数少于位于z轴方向中段的存储单元。传统上，储存不同位数的存储单元必须通过使用不同的电路来进行编程。因此，存储器装置需要配置多个电路来对应存储单元写入不同位数时的编程动作，十分浪费硬件空间并提高成本。

技术实现思路

1、本公开一实施例提供一种存储器装置。存储器装置包括一存储器控制器及一存储器。存储器控制器用于接收来自一主控制器的一写入请求及一第一数据，并根据写入请求发送指示一第一参数的一写入命令，其中第一参数代表每个存储单元要写入的二进制数据的位数。存储器耦接至存储器控制器，且包括一存储器阵列、至少一缓冲器及一控制逻辑电路。存储器阵列包括多个存储单元。各存储单元被配置以储存最多n个位的二进制数据，其中n为大于1的正整数。控制逻辑电路耦接至存储器阵列及缓冲器，并用于执行：回应于写入命令，当该第一参数为小于n的正整数k时，将第一数据每k个位为一子数据，产生对应于各子数据(n-k)个位的一虚拟数据(pseudo data)，并储存子数据及虚拟数据至缓冲器；以及对于要被编程的各存储单元，根据缓冲器中要写入该存储单元的k个位的子数据及对应于要写入存储单元的子数据该(n-k)个位的虚拟数据编程存储单元，以致使存储单元的一阈值电压落于从2n个电压范围选出的2k个电压范围的其中一个电压范围，其中2n个电压范围一对一对应于n个位的二进制数据包括的2n种数据形式。

2、本公开另一实施例提供一种存储器装置的操作方法。操作方法包括：接收来自一主控制器的一写入请求及一第一数据；根据该写入请求发送指示一第一参数的一写入命令，其中该第一参数代表每个存储单元要写入的二进制数据的位数，其中各存储单元被配置以储存最多n个位的二进制数据，n为大于1的正整数；回应于该写入命令，当该第一参数为小于n的正整数k时，将该第一数据每k个位为一子数据，产生对应于各该子数据(n-k)个位的一虚拟数据，并储存这些子数据及这些虚拟数据至至少一缓冲器；以及对于要被编程的各个存储单元，根据该至少一缓冲器中要写入该存储单元的k个位的该子数据及对应于要写入该存储单元的该子数据该(n-k)个位的该虚拟数据编程该存储单元，以致使该存储单元的一阈值电压落于从2n个电压范围选出的2k个电压范围的其中一个电压范围，其中该2n个电压范围一对一对应于n个位的二进制数据包括的2n种数据形式。

3、为了对本公开的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图详细说明如下：

技术特征：

1.一种存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中从该2n个电压范围选出的该2k个电压范围不连续的。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中n为3，k为2，该控制逻辑电路将各该子数据输入至xnor逻辑门以产生对应于各该子数据的该虚拟数据。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中n为3，k为1，该控制逻辑电路对应于各该子数据产生的虚拟数据为两个位的二进制数据11。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该控制逻辑电路还用于执行：

6.一种存储器装置的操作方法，包括：

7.根据权利要求6所述的操作方法，其中从该2n个电压范围选出的该2k个电压范围不连续的。

8.根据权利要求6所述的操作方法，其中n为3，k为2，各该子数据被输入至xnor逻辑门以产生对应于各该子数据的该虚拟数据。

9.根据权利要求6所述的操作方法，其中n为3，k为1，对应于各该子数据产生的虚拟数据为两个位的二进制数据11。

10.根据权利要求6所述的操作方法，还包括：

技术总结本公开提供了一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包括多个存储单元和一控制逻辑电路。存储单元可被配置为TLC、MLC或SLC。控制逻辑电路被配置以TLC编程方式编程MLC及SLC。技术研发人员：李永骏,黄昱铭受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15