存储器装置和操作该存储器装置的方法与流程

本公开涉及电子装置，并且更具体地涉及存储器装置和操作该存储器装置的方法。

背景技术：

1、特别地，在半导体装置中，存储器装置主要分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

2、非易失性存储器装置的写入速度和读取速度相对较慢，但是即使电源可能被切断，非易失性存储器装置也保持存储数据。因此，非易失性存储器装置用于存储不管是否供电都要保持的数据。非易失性存储器装置包括只读存储器(rom)、掩模rom(mrom)、可编程rom(prom)、可擦除可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、闪存存储器、相变随机存取存储器(pram)、磁ram(mram)、电阻ram(rram)、铁电ram(fram)等。闪存存储器分为nor型和nand型。

3、闪存存储器具有自由地编程和擦除数据的ram的优点和即使电源被切断也可以保持存储的数据的rom的优点。闪存存储器被广泛用作诸如数码相机、个人数字助理(pda)和mp3播放器之类的便携式电子装置的存储介质。

技术实现思路

1、根据本公开的实施方式，一种存储器装置可以包括：存储块，该存储块包括与多个字线组相对应的多个存储器单元；源极线驱动器，该源极线驱动器被配置为在擦除操作期间向所述存储块的源极线施加擦除电压；电压生成电路，该电压生成电路被配置为在所述擦除操作期间向所述多个字线组施加从第一操作电压增加到第二操作电压的操作电压；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置为响应于暂停命令而控制所述源极线驱动器和所述电压生成电路执行停止所述擦除操作的暂停操作，并且被配置为针对所述多个字线组中的每个字线组基于执行所述暂停操作的次数来设置所述擦除操作的剩余擦除脉冲的数量和当所述操作电压从所述第一操作电压增加到所述第二操作电压时的上升时间点。

2、根据本公开的实施方式，一种操作存储器装置的方法可以包括以下步骤：对包括对应于多个字线组的多个存储器单元的存储块执行擦除操作；响应于在所述擦除操作期间接收的暂停命令，执行停止所述擦除操作的暂停操作；基于在所述擦除操作期间执行所述暂停操作的次数来设置剩余擦除脉冲的数量；基于执行所述暂停操作的次数和所述多个字线组中的每个字线组的调整比率，设置在所述擦除操作期间针对所述多个字线组中的每个字线组的施加到所选择的存储块的字线的操作电压的上升时间点；以及执行恢复停止的擦除操作的恢复操作，在所述恢复操作期间执行与所述剩余擦除脉冲的数量相同的次数的擦除脉冲施加循环，并且在所设置的操作电压的上升时间点将施加到字线的操作电压从第一操作电压增加到第二操作电压。

3、根据本公开的实施方式，一种存储器装置可以包括：存储块，该存储块包括与多个字线组相对应的多个存储器单元；源极线驱动器，该源极线驱动器被配置为在擦除操作期间向所述存储块的源极线施加擦除电压；电压生成电路，该电压生成电路被配置为在所述擦除操作期间向所述多个字线组施加从第一操作电压增加到第二操作电压的操作电压；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置为响应于暂停命令而控制所述源极线驱动器和所述电压生成电路执行停止所述擦除操作的暂停操作，并且被配置为基于执行所述暂停操作时的时间点针对所述多个字线组中的每个字线组设置所述擦除操作的剩余擦除脉冲的数量。

4、根据本公开的实施方式，一种操作存储器装置的方法可以包括以下步骤：对包括对应于多个字线组的多个存储器单元的存储块执行擦除操作；响应于在所述擦除操作期间接收的暂停命令，执行停止所述擦除操作的暂停操作；基于当执行在所述擦除操作期间执行的所述暂停操作的时间点来设置剩余擦除脉冲的数量；以及执行恢复停止的擦除操作的恢复操作；以及执行与所设置的剩余擦除脉冲的数量相同的次数的擦除脉冲施加循环。

5、根据本公开的实施方式，一种存储器装置可以包括：存储块，该存储块包括与多个字线组相对应的多个存储器单元；源极线驱动器，该源极线驱动器被配置为在擦除操作期间向所述存储块的源极线施加擦除电压；电压生成电路，该电压生成电路被配置为在所述擦除操作期间向所述多个字线组施加从第一操作电压增加到第二操作电压的操作电压；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置为响应于暂停命令而控制所述源极线驱动器和所述电压生成电路执行停止所述擦除操作的暂停操作，并且被配置为基于执行所述暂停操作时的时间点或执行所述暂停操作的次数，针对所述多个字线组中的每个字线组设置当所述操作电压从所述第一操作电压增加到所述第二操作电压时的上升时间点。

6、根据本公开的实施方式，一种操作存储器装置的方法可以包括以下步骤：对包括对应于多个字线组的多个存储器单元的存储块执行擦除操作；响应于在所述擦除操作期间接收的暂停命令而执行停止所述擦除操作的暂停操作；基于在所述擦除操作期间执行所述暂停操作的次数来设置剩余擦除脉冲的数量；基于执行所述暂停操作时的时间点或执行所述暂停操作的次数来设置在所述擦除操作期间针对所述多个字线组中的每个字线组的施加到所选择的存储块的字线的操作电压的上升时间点；以及执行恢复停止的擦除操作的恢复操作，在所述恢复操作期间执行与所述剩余擦除脉冲的数量相同的次数的擦除脉冲施加循环，并且在所设置的操作电压的上升时间点将施加到字线的操作电压从第一操作电压增加到第二操作电压。

技术特征：

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述源极线驱动器和所述电压生成电路在所述暂停操作之后执行恢复停止的擦除操作的恢复操作。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑基于在所述擦除操作期间执行所述暂停操作的次数来设置所述擦除操作的所述剩余擦除脉冲的数量，并且控制所述电压生成电路在所述恢复操作期间执行与所述剩余擦除脉冲的数量相同的次数的擦除脉冲施加循环。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑通过从在所述擦除操作期间未执行的擦除脉冲施加循环的数量中减去与暂停操作的数量相对应的数量来设置所述剩余擦除脉冲的数量。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑基于所述暂停操作的数量和与所述多个字线组中的每个字线组相对应的调整比率来计算所述多个字线组中的每个字线组的缩短时段，并且通过将初始设置的字线操作电压的上升时间点提前针对所述多个字线组中的每个字线组计算的所述缩短时段来重置所述多个字线组中的每个字线组的所述上升时间点。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述缩短时段等于或短于对应于所述暂停操作的数量的时段。

7.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

8.根据权利要求7所述的方法，其中，设置所述剩余擦除脉冲的数量的步骤包括以下步骤：通过从在所述擦除操作期间由于所述暂停操作而未执行的擦除脉冲施加循环的数量中减去与所述暂停操作的数量相对应的数量来设置所述剩余擦除脉冲的数量。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，设置所述操作电压的上升时间点的步骤包括以下步骤：

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述缩短时段等于或短于对应于所述暂停操作的数量的时段。

11.一种存储器装置，该存储器装置包括：

12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述源极线驱动器和所述电压生成电路在所述暂停操作之后执行恢复停止的擦除操作的恢复操作。

13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述电压生成电路在所述恢复操作期间执行与所述剩余擦除脉冲的数量相同的次数的擦除脉冲施加循环。

14.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，所述擦除操作包括多个时段，并且所述多个时段中的部分时段是对应于浅擦除特性的时段。

15.根据权利要求14所述的存储器装置，其中，当执行所述暂停操作时的时间点对应于所述部分时段时，所述控制逻辑使用对应于所述部分时段的调整比率和执行所述暂停操作的次数来计算减去数量。

16.根据权利要求15所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑通过从在所述擦除操作期间由于所述暂停操作而未执行的擦除脉冲施加循环的数量中减去所计算的所述减去数量来设置所述剩余擦除脉冲的数量。

17.根据权利要求15所述的存储器装置，其中，所述减去数量等于或小于执行所述暂停操作的次数。

18.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述擦除操作包括多个时段，并且所述多个时段中的部分时段是对应于浅擦除特性的时段。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，设置所述剩余擦除脉冲的数量的步骤包括以下步骤：

21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述减去数量等于或小于执行所述暂停操作的次数。

22.一种存储器装置，该存储器装置包括：

23.根据权利要求22所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述源极线驱动器和所述电压生成电路在所述暂停操作之后执行恢复停止的擦除操作的恢复操作。

24.根据权利要求23所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑基于在所述擦除操作期间执行所述暂停操作的次数来设置所述擦除操作的剩余擦除脉冲的数量，并且控制所述电压生成电路在所述恢复操作期间执行与所述剩余擦除脉冲的数量相同的次数的擦除脉冲施加循环。

25.根据权利要求24所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑通过从在所述擦除操作期间未执行的擦除脉冲施加循环的数量中减去与所述暂停操作的数量相对应的数量来设置所述剩余擦除脉冲的数量。

26.根据权利要求25所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑基于当执行所述暂停操作时的时间点或执行所述暂停操作的次数来确定所述多个字线组中的每个字线组的擦除特性，并且根据所确定的擦除特性来设置所述多个字线组中的每个字线组的偏移值。

27.根据权利要求26所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑通过根据所述偏移值提前或延迟所述上升时间点来重置初始设置的上升时间点。

28.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

29.根据权利要求28所述的方法，其中，设置所述剩余擦除脉冲的数量的步骤包括以下步骤：通过从在所述擦除操作期间由于所述暂停操作而未执行的擦除脉冲施加循环的数量中减去与所述暂停操作的数量相对应的数量来设置所述剩余擦除脉冲的数量。

30.根据权利要求29所述的方法，其中，设置所述操作电压的上升时间点的步骤包括以下步骤：

技术总结本技术涉及存储器装置和操作该存储器装置的方法。所述存储器装置包括：存储块，该存储块包括与多个字线组相对应的多个存储器单元；源极线驱动器，该源极线驱动器被配置为在擦除操作期间向所述存储块的源极线施加擦除电压；电压生成电路，该电压生成电路被配置为在所述擦除操作期间向所述多个字线组施加从第一操作电压增加到第二操作电压的操作电压；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制所述源极线驱动器和所述电压生成电路执行停止所述擦除操作的暂停操作。技术研发人员：李譓怜,尹泰彦,林侊敃受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15