存储器电路及其操作方法与流程

本申请的实施例涉及存储器电路及其操作方法。

背景技术：

1、半导体集成电路(ic)行业生产了各种各样的数字器件，以解决许多不同领域的问题。这些数字器件(例如存储器宏)中的一些被配置用于存储数据。随着ic变得更小、更复杂，这些数字器件内的导线电阻也发生变化，影响这些数字器件的操作电压和整体ic性能。

技术实现思路

1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种存储器电路，包括：第一位线；存储器单元，耦合到第一位线；选择电路，耦合到存储器单元。选择电路包括：第一晶体管，位于第一层级上；和第二晶体管，位于第一层级或不同于第一层级的第二层级上。存储器电路还包括：第一字线，至少耦合到第一晶体管或第二晶体管；第一源极线，至少耦合到第一晶体管或第二晶体管；其中，第一晶体管和第二晶体管是互补场效应晶体管(cfet)的部分，第一晶体管被配置为响应于存储器单元被配置为储存第一逻辑值而执行存储器单元的写入操作，并且第二晶体管被配置为响应于存储器单元被配置为储存不同于第一逻辑值的第二逻辑值而执行存储器单元的读取操作和存储器的写入操作。

2、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种存储器电路，包括：第一位线；第二位线；存储器单元阵列，存储器单元阵列包括：第一存储器单元，耦合到第一位线；和第二存储器单元，耦合到第二位线。存储器电路还包括：选择电路阵列，耦合到存储器单元阵列。选择电路阵列包括：第一选择电路，耦合到第一存储器单元。第一选择电路包括：第一晶体管；和第二晶体管。选择电路阵列还包括：第二选择电路，耦合到第二存储器单元。其中，第一晶体管和第二晶体管是互补场效应晶体管(cfet)的部分，第一晶体管被配置为响应于第一存储器单元被配置为储存第一逻辑值而执行第一存储器单元的写入操作，并且第二晶体管被配置为并且响应于第一存储器单元被配置为储存与第一逻辑值不同的第二逻辑值而执行第一存储器单元的读取操作以及第一存储器单元的写入操作。

3、根据本申请的实施例的又一个方面，提供了一种操作存储器电路的方法，方法包括：执行存储器单元的写入操作。执行存储器单元的写入操作包括：通过选择电路的第一晶体管将第一逻辑值储存在存储器单元中，选择电路耦合到存储器单元；或通过选择电路的第二晶体管将第二逻辑值储存在存储器单元中，第二逻辑值不同于第一逻辑值。方法还包括：通过选择电路的第一晶体管执行存储器单元的读取操作。

技术特征：

1.一种存储器电路，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器电路，其中

3.根据权利要求2所述的存储器电路，还包括：

4.根据权利要求2所述的存储器电路，还包括：

5.根据权利要求2所述的存储器电路，还包括：

6.一种存储器电路，包括：

7.根据权利要求6所述的存储器电路，还包括：

8.根据权利要求7所述的存储器电路，其中，所述第二选择电路包括：

9.根据权利要求8所述的存储器电路，其中

10.一种操作存储器电路的方法，所述方法包括：

技术总结存储器电路包括存储器单元、第一位线、选择电路、第一字线和第一源极线。选择电路包括位于第一层级上的第一晶体管，以及位于第一层级上或不同于第一层级的第二层级上的第二晶体管。第一字线耦合到第一晶体管或第二晶体管。第一源极线耦合到第一晶体管或第二晶体管。第一晶体管和第二晶体管是互补场效应晶体管的部分。第一晶体管被配置为响应于存储器单元被配置为储存第一逻辑值而执行存储器单元的写入操作。第二晶体管被配置为响应于存储器单元被配置为储存不同于第一逻辑值的第二逻辑值而执行存储器单元的读取操作和存储器的写入操作。本申请的实施例还涉及操作存储器电路的方法。技术研发人员：林谷峰,黄家恩受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/11