存储器装置及其操作方法与流程

本公开的各种实施方式涉及电子装置，更具体地，涉及一种存储器装置和操作该存储器装置的方法。

背景技术：

1、存储器系统可在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据。存储器系统可包括存储数据的存储器装置和控制存储器装置的存储控制器。存储器装置被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

2、非易失性存储器装置可以是即使当供电中断时也保留所存储的数据的存储器装置。非易失性存储器装置的示例可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)和闪存。

3、非易失性存储器装置可执行存储数据的编程操作。编程操作可包括增加包括在非易失性存储器装置中的存储器单元的阈值电压的编程电压施加操作和识别存储器单元的阈值电压的验证操作。当存储器单元的阈值电压未增加至与要存储在存储器单元中的数据对应的阈值电压时，可重复地执行编程电压施加操作和验证操作。当依次执行编程电压施加操作和验证操作，直至存储器单元的阈值电压增加至与要存储在存储器单元中的数据对应的阈值电压时，编程操作所需的时间可延长。

技术实现思路

1、本公开的各种实施方式涉及一种能够减少执行编程操作所需的时间的存储器装置和操作该存储器装置的方法。

2、本公开的实施方式可提供一种存储器装置。该存储器装置可包括：存储器单元，其联接在字线和位线之间；主处理器，其被配置为控制施加到字线和位线的编程相关电压；页缓冲器，其被配置为存储基于存储器单元的阈值电压感测的数据；感测电路，其被配置为执行对与所感测的数据对应的感测电流与参考电流进行比较的通过/失败检查操作；以及子处理器，其被配置为在主处理器控制编程相关电压的同时与编程相关电压的控制并行地控制页缓冲器和感测电路执行通过/失败检查操作。

3、本公开的实施方式可提供一种存储器装置。该存储器装置可包括：存储器单元，其联接在字线和位线之间；外围电路，其被配置为执行增加存储器单元的阈值电压的编程操作；主处理器，其被配置为在编程操作期间控制外围电路将编程相关电压施加到字线和位线；以及子处理器，其被配置为在编程相关电压被施加到字线和位线的同时与编程相关电压的施加并行地控制外围电路执行对导通单元的数量与导通单元的参考数量进行比较的通过/失败检查操作，在存储器单元当中，通过验证操作识别导通单元的数量。

4、本公开的实施方式可提供一种操作存储器装置的方法。该方法可包括以下步骤：执行将编程电压施加到与存储器单元联接的字线的编程脉冲操作；执行将接地电压施加到与存储器单元联接的字线和位线的放电操作；以及在由主处理器执行编程脉冲操作和放电操作的同时与编程脉冲操作和放电操作并行由子处理器执行对存储器单元当中的通过验证操作识别的导通单元的数量与导通单元的参考数量进行比较的通过/失败检查操作。

5、本公开的实施方式可提供一种存储器装置。该存储器装置可包括：多个存储器单元，其布置在字线和多条位线之间；外围电路，其包括被配置为生成预充电电压、编程电压和接地电压的电压发生器、联接到存储器单元的页缓冲器和联接到页缓冲器的感测电路；主处理器，其被配置为控制电压发生器在第一时段期间将预充电电压提供给位线，在第一时段之后的第二时段期间将编程电压提供给字线，并且在第二时段之后的第三时段期间将接地电压提供给字线和位线；以及子处理器，其被配置为在第二时段和第三时段期间控制页缓冲器存储编程在存储器单元中的数据，控制感测电路感测与所存储的数据对应的电流，并且基于所感测的电流来确定编程在存储器单元中的数据的通过或失败。

技术特征：

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述子处理器响应于控制信号而与所述编程相关电压的控制并行地控制所述页缓冲器和所述感测电路针对多个编程状态当中的编程状态执行所述通过/失败检查操作，所述编程状态与由所述主处理器提供的所述控制信号对应。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述主处理器在编程脉冲操作期间将所述字线的电压的大小控制为编程电压的大小，并且在放电操作期间将所述字线的电压的大小和所述位线的电压的大小控制为接地电压的大小。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，该存储器装置还包括：

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述页缓冲器包括：

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述子处理器响应于所述通过/失败结果信息指示通过，控制所述页缓冲器将与编程禁止电压对应的数据存储在所述预充电锁存器中。

7.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述子处理器响应于所述通过/失败结果信息指示失败，控制所述页缓冲器将与编程使能电压对应的数据存储在所述预充电锁存器中。

8.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述子处理器控制所述页缓冲器将与所述通过/失败结果信息对应的数据存储在所述数据锁存器中的一个中。

9.一种存储器装置，该存储器装置包括：

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述编程操作包括将编程电压施加到所述字线的编程脉冲操作以及将接地电压施加到所述位线的放电操作。

11.根据权利要求9所述的存储器装置，该存储器装置还包括：

12.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述外围电路包括：

13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，在所述编程相关电压被施加到所述字线和所述位线时，所述子处理器控制所述外围电路根据通过/失败结果信息来更新存储在所述预充电锁存器中的数据，所述通过/失败结果信息是基于所述导通单元的数量与所述导通单元的参考数量的比较结果来确定的。

14.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，在所述编程相关电压被施加到所述字线和所述位线时，所述子处理器控制所述外围电路将通过/失败结果信息存储在所述数据锁存器中的一个中，所述通过/失败结果信息是基于所述导通单元的数量与所述导通单元的参考数量的比较结果来确定的。

15.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

16.根据权利要求15所述的方法，其中，执行所述通过/失败检查操作的步骤包括以下步骤：

17.根据权利要求16所述的方法，该方法还包括以下步骤：

18.根据权利要求17所述的方法，该方法还包括以下步骤：

19.根据权利要求17所述的方法，该方法还包括以下步骤：

技术总结本文提供了一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置包括：存储器单元，其联接在字线和位线之间；主处理器，其被配置为控制施加到字线和位线的编程相关电压；页缓冲器，其被配置为存储基于存储器单元的阈值电压而感测的数据；感测电路，其被配置为执行对与所感测的数据对应的感测电流与参考电流进行比较的通过/失败检查操作；以及子处理器，其被配置为在主处理器控制编程相关电压的同时与编程相关电压的控制并行地控制页缓冲器和感测电路执行通过/失败检查操作。技术研发人员：周炳仁受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/5