计算存储装置和用于操作计算存储装置的方法与流程

本公开涉及计算存储装置和用于操作计算存储装置的方法。

背景技术：

1、半导体存储器件包括易失性存储器件和非易失性存储装置。虽然易失性存储器装置具有高读取和写入速度，但是易失性存储器装置在断电时可丢失它们存储的内容。相反，由于非易失性存储器装置即使在断电时也保留它们存储的内容，因此非易失性存储器装置被用于无论电力是否被供应都存储需要(或期望)保持的内容。

2、例如，易失性存储器装置包括静态ram(sram)、动态ram(dram)、同步dram(sdram)等。非易失性存储器装置即使在断电时也保留它们存储的内容。例如，非易失性存储器装置包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、闪存、相变ram(pram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、铁电式ram(fram)等。闪存可被分类为nor闪存和nand闪存。

技术实现思路

1、本公开的示例实施例提供了一种具有提高的操作性能的计算存储装置和用于操作所述装置的方法。

2、然而，本公开的示例实施例不限于在此阐述的示例实施例。通过参照以下给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加清楚。

3、根据本公开的示例实施例，一种用于操作计算存储装置的方法，所述方法包括：由存储控制器从第一主机装置接收第一计算命名空间设置指令；由存储控制器从第二主机装置接收第二计算命名空间设置指令；由存储控制器从第一主机装置接收第一程序；由存储控制器从第二主机装置接收第二程序；由存储控制器接收融合执行命令，融合执行命令指示使用第一计算命名空间中的第一程序来处理第一计算，并且指示响应于处理第一计算的第一计算结果，使用第二计算命名空间中的第二程序来处理第二计算；由第一加速器处理第一计算；由存储控制器将通过处理第一计算获得的第一计算结果存储在缓冲器存储器中；响应于存储在缓冲器存储器中的数据量超过范围，由存储控制器将存储在缓冲器存储器中的数据提供给与第一加速器不同的第二加速器；以及由第二加速器对从缓冲器存储器提供的数据处理第二计算。

4、根据本公开的另一示例实施例，提供了一种计算存储装置，所述计算存储装置包括：非易失性存储器，被配置为存储数据；存储控制器，被配置为：控制非易失性存储器；第一加速器，包括在第一计算命名空间中，并被配置为：通过使用从第一主机装置提供的第一程序根据从第一主机装置接收的第一执行命令来对数据处理第一计算；以及第二加速器，包括在第二计算命名空间中，并被配置为：通过使用从第二主机装置提供的第二程序根据从第二主机装置接收的第二执行命令来对数据处理第二计算，其中，存储控制器被配置为：接收融合执行命令，融合执行命令指示使用第一计算命名空间中的第一程序来处理第一计算，并且指示响应于处理第一计算的第一计算结果，使用第二计算命名空间中的第二程序来处理第二计算；控制第一加速器，使得对数据处理第一计算；将通过处理第一计算获得的第一计算结果存储在缓冲器存储器中；响应于存储在缓冲器存储器中的数据量超过范围，将存储在缓冲器存储器中的数据提供给第二加速器；并且控制第二加速器，使得对存储在缓冲器存储器中的数据处理第二计算。

5、根据本公开的另一示例实施例，提供了一种计算存储装置，所述计算存储装置包括：非易失性存储器，被配置为存储数据；存储控制器，被配置为：控制非易失性存储器；第一加速器，在第一计算命名空间中，并被配置为：通过使用从第一主机装置提供的第一程序根据从第一主机装置接收的第一执行命令来对数据处理第一计算；第二加速器，在第二计算命名空间中，并被配置为：通过使用从第二主机装置提供的第二程序根据从第二主机装置接收的第二执行命令来对数据处理第二计算；以及易失性存储器，被配置为：存储在非易失性存储器中存储的数据的至少一部分，其中，存储控制器被配置为：接收融合执行命令，融合执行命令指示使用第一计算命名空间中的第一程序来处理第一计算，并且指示响应于处理第一计算的第一计算结果，使用第二计算命名空间中的第二程序来处理第二计算；控制第一加速器，使得对存储在易失性存储器中的数据处理第一计算；将通过处理第一计算获得的第一计算结果存储在与易失性存储器不同的缓冲器存储器中；响应于存储在缓冲器存储器中的数据量超过范围，将存储在缓冲器存储器中的数据提供给第二加速器；控制第二加速器，使得对存储在缓冲器存储器中的数据处理第二计算；并且将通过处理第二计算获得的计算结果存储在易失性存储器中。

技术特征：

1.一种用于操作计算存储装置的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其中，缓冲器存储器包括静态随机存取存储器sram。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，缓冲器存储器在存储控制器中。

5.根据权利要求2所述的方法，其中

6.根据权利要求5所述的方法，其中

7.根据权利要求6所述的方法，其中，第一输入缓冲器和第二输入缓冲器中的每个包括sram，并且第一输出缓冲器和第二输出缓冲器中的每个包括sram。

8.根据权利要求1所述的方法，其中

9.根据权利要求8所述的方法，其中，响应于存储在缓冲器存储器中的数据量超过范围，将存储在缓冲器存储器中的数据提供给第二加速器的步骤还包括：响应于存储在第二缓冲器存储器中的数据量超过范围，将存储在第二缓冲器存储器中的数据提供给第二加速器，并且同时将通过处理第一计算获得的第一计算结果存储在第一缓冲器存储器中。

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的方法，其中，融合执行命令是符合非易失性存储器快速nvme标准的执行命令。

11.一种计算存储装置，所述计算存储装置包括：

12.根据权利要求11所述的计算存储装置，还包括dram，dram被配置为存储在非易失性存储器中存储的数据的至少一部分，并且与缓冲器存储器分离，

13.根据权利要求12所述的计算存储装置，其中，缓冲器存储器包括存储控制器中的sram。

14.根据权利要求12所述的计算存储装置，其中

15.根据权利要求14所述的计算存储装置，其中，第一输入缓冲器和第二输入缓冲器中的每个包括sram，并且第一输出缓冲器和第二输出缓冲器中的每个包括sram。

16.根据权利要求11所述的计算存储装置，其中

17.一种计算存储装置，所述计算存储装置包括：

18.根据权利要求17所述的计算存储装置，其中，易失性存储器包括dram，并且

19.根据权利要求17所述的计算存储装置，其中

20.根据权利要求17所述的计算存储装置，其中，融合执行命令是符合非易失性存储器快速nvme标准的执行命令。

技术总结提供了计算存储装置和用于操作计算存储装置的方法。所述用于操作装置的方法包括：由存储控制器从第一主机装置接收第一计算命名空间设置指令；由存储控制器从第二主机装置接收第二计算命名空间设置指令；由存储控制器从第一主机装置接收第一程序；由存储控制器从第二主机装置接收第二程序，由存储控制器接收融合执行命令；由第一加速器处理第一计算；由存储控制器将通过处理第一计算获得的第一计算结果存储在缓冲器存储器中；由存储控制器将存储在缓冲器存储器中的数据提供给与第一加速器不同的第二加速器；以及由第二加速器对从缓冲器存储器提供的数据处理第二计算。技术研发人员：李钟沅受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/9