运算装置和固态成像装置的制作方法

本公开涉及一种运算装置和一种固态成像装置。

背景技术：

1、已经提出了通过热电子注入来写入数据的触发存储器单元(专利文献1)。此外，期望提供一种使得可以使用静态随机存取存储器(sram)技术对存储器单元阵列执行积和运算的运算装置。

2、引用列表

3、专利文献

4、专利文献1：日本未经审查的专利申请公开第h6-76582号

技术实现思路

1、运算装置需要抑制存储器单元面积的增加。

2、期望提供一种使得能够抑制存储器单元面积的增加的运算装置。

3、根据本公开的一个实施方式的运算装置，包括包含多个存储器单元的存储器单元阵列。多个存储器单元各自包括：第一反相器，包括第一输入单元和第一输出单元；第二反相器，包括：与第一输出单元耦接的第二输入单元和与第一输入单元耦接并输出第一信号的第二输出单元；第一晶体管，第一信号从第二输出单元输入至第一晶体管；以及电阻器，与第一晶体管串联耦接。

4、根据本公开的一个实施方式的固态成像装置，包括包含多个存储器单元存储器单元阵列。多个存储器单元各自包括：第一反相器，包括第一输入单元和第一输出单元；第二反相器，包括：与第一输出单元耦接的第二输入单元和与第一输入单元耦接并输出第一信号的第二输出单元；第一晶体管，第一信号从第二输出单元输入至第一晶体管；以及电阻器，与第一晶体管串联耦接。

技术特征：

1.一种运算装置，包括存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元，所述多个存储器单元各自包括：

2.根据权利要求1所述的运算装置，其中

3.根据权利要求1所述的运算装置，包括：

4.根据权利要求1所述的运算装置，其中，所述存储器单元是触发器存储器单元。

5.根据权利要求1所述的运算装置，其中，所述存储器单元阵列基于所述多个存储器单元中的每一个存储器单元的所述第一信号来执行积和运算。

6.根据权利要求5所述的运算装置，其中，所述存储器单元阵列通过积和运算产生第二信号，所述第二信号是模拟信号。

7.根据权利要求6所述的运算装置，包括处理所述第二信号的信号处理电路，其中，

8.根据权利要求7所述的运算装置，包括与所述多个存储器单元中的每一个存储器单元的所述第一晶体管电耦接的信号线，所述信号线传输在所述积和运算中生成的所述第二信号。

9.根据权利要求8所述的运算装置，包括控制所述存储器单元的控制电路，其中，

10.根据权利要求1所述的运算装置，其中，所述电阻器是具有隧道结的电阻元件。

11.根据权利要求10所述的运算装置，其中，所述电阻元件包括磁性材料。

12.根据权利要求10所述的运算装置，其中，所述电阻元件包括铁电材料。

13.一种固态成像装置，包括存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元，所述多个存储器单元各自包括：

技术总结根据本公开的一个实施方式的运算装置包括存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个存储器单元，每个存储器单元包括：具有第一输入单元和第一输出单元的第一反相器；第二反相器，具有连接至所述第一输出单元的第二输入单元和连接至所述第一输入单元并输出第一信号的第二输出单元；第一晶体管，第一信号从第二输出单元输入至第一晶体管中；以及电阻器，串联连接至所述第一晶体管。技术研发人员：斋藤大辅受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司技术研发日：技术公布日：2024/7/9