功率放大装置的制作方法

本发明涉及功率放大装置。

背景技术：

1、有一种高频功率放大电路，由多个放大级构成，在各放大级之间连接阻抗匹配电路(例如，参照专利文献1)。

2、专利文献1：日本特开2007―150676号公报

3、在专利文献1所记载的高频功率放大电路中，初级放大级以及末级放大级分别由fet(场效应型晶体管)构成，但未考虑在fet中产生的热量的排热。因此，如果要获得大功率的放大信号，则fet的增益因fet的温度上升而降低，或者集成电路的可靠性劣化。

技术实现思路

1、本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种抑制放大特性劣化以及可靠性降低，并且能够减小尺寸的功率放大装置。

2、本发明的一个方面的功率放大装置具备：多个第一单位晶体管，多个上述第一单位晶体管并联连接，且多个上述第一单位晶体管构成为放大并输出上述无线频率信号；以及多个第二单位晶体管，多个上述第二单位晶体管并联连接，多个上述第二单位晶体管构成为放大并输出多个上述第一单位晶体管的输出信号，上述第一单位晶体管的尺寸小于上述第二单位晶体管的尺寸。

3、根据本发明，能够提供一种抑制放大特性劣化以及可靠性降低，并且能够减小尺寸的功率放大装置。

技术特征：

1.一种功率放大装置，具备：

2.根据权利要求1所述的功率放大装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的功率放大装置，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的功率放大装置，其中，

5.根据权利要求4所述的功率放大装置，其中，

技术总结本发明提供一种抑制放大特性劣化以及可靠性降低，并且能够减小尺寸的功率放大装置。功率放大装置具备：多个第一单位晶体管，多个上述第一单位晶体管并联连接，且多个上述第一单位晶体管构成为放大并输出上述无线频率信号；以及多个第二单位晶体管，多个上述第二单位晶体管并联连接，多个上述第二单位晶体管构成为放大并输出多个上述第一单位晶体管的输出信号，上述第一单位晶体管的尺寸小于上述第二单位晶体管的尺寸。技术研发人员：驹村优作受保护的技术使用者：株式会社村田制作所技术研发日：技术公布日：2024/7/23