集成电路以及其制作方法与流程

本发明涉及一种集成电路以及其制作方法，尤其是谁一种包括金属-绝缘层-金属电容器的集成电路以及其制作方法。

背景技术：

1、在现代社会中，由集成电路(integrated circuit，ic)所构成的微处理系统早已被普遍应用于生活中的各个层面，许多电子设备例如个人电脑、移动电话、家电用品等均有集成电路的应用。随着科技的日益精进以及各种新兴电子产品的持续开发，集成电路在设计上也朝向多元化、精密化、小型化等方向发展。

2、在目前的电子产品中，大多是以各种半导体技术在硅基底上形成电路元件，例如金属氧化物半导体晶体管(metal oxide semiconductor transistor，mos transistor)、电容器(capacitor)或电阻器(resistor)等。各种电路元件可彼此电连接而形成复杂的电路系统。一般而言，电容结构可由一上电极、一介电层以及一下电极所构成。传统的电容结构是设置在金属间介电层(inter-metal dielectric layer，imd layer)中，且具有金属-绝缘层-金属(metal-insulator-metal，mim)的结构。然而，随着电子产品的功能与效能要求持续增加，集成电路的复杂度与集成度也相对地升高，导致能形成电容结构的空间逐渐缩小，也因此限制了电容值的大小，造成在集成电路设计上的困难。

技术实现思路

1、本发明提供了一种集成电路以及其制作方法，在金属凸块结构与绝缘层上共形地(conformally)形成金属-绝缘层-金属(metal-insulator-metal，mim)电容器，由此提升电容器的电容大小或/及利用互连结构之上的空间形成相对较大的电容器结构。

2、本发明的一实施例提供一种集成电路，包括一基底、一互连层、一绝缘层、一金属凸块结构以及一金属-绝缘层-金属电容器。互连层设置在基底之上，且互连层包括一层间介电层以及一互连结构设置在层间介电层之中。绝缘层设置在互连层上，金属凸块结构设置在绝缘层上，而金属-绝缘层-金属电容器共形地设置在金属凸块结构与绝缘层上。

3、本发明的一实施例提供一种集成电路的制作方法，包括下列步骤。在一基底之上形成一互连层。互连层包括一层间介电层以及一互连结构设置在层间介电层之中。在互连层上形成一绝缘层，在绝缘层上形成一金属凸块结构，且在金属凸块结构与绝缘层上共形地形成一金属-绝缘层-金属电容器。

技术特征：

1.一种集成电路，包括：

2.如权利要求1所述的集成电路，其中该金属凸块结构包括：

3.如权利要求2所述的集成电路，其中该第一凸块的上表面与该绝缘层的该上表面之间在该垂直方向上的距离介于5000埃(angstrom)至30000埃之间。

4.如权利要求2所述的集成电路，其中该金属凸块结构还包括：

5.如权利要求4所述的集成电路，其中该金属-绝缘层-金属电容器还包括：

6.如权利要求5所述的集成电路，还包括：

7.如权利要求5所述的集成电路，其中该金属凸块结构还包括：

8.如权利要求7所述的集成电路，其中该金属-绝缘层-金属电容器与该第二连接垫电性分离，该第二连接垫与该互连结构的第二上连接部电连接，且该上板的一部分设置在沿该垂直方向上贯穿该绝缘层的第三开孔中，用以与该互连结构的第三上连接部电连接。

9.如权利要求7所述的集成电路，其中该上板的一部分设置在沿该垂直方向上贯穿该绝缘层的一第三开孔中，用以通过该互连结构的第四上连接部而与该第二连接垫电连接。

10.如权利要求7所述的集成电路，其中该上板还设置在该第二连接垫之上。

11.如权利要求1所述的集成电路，其中该金属凸块结构包括：

12.一种集成电路的制作方法，包括：

13.如权利要求12所述的集成电路的制作方法，其中形成该金属凸块结构的方法包括：

14.如权利要求13所述的集成电路的制作方法，其中形成该金属凸块结构的该方法还包括：

15.如权利要求13所述的集成电路的制作方法，其中形成该金属凸块结构的该方法还包括：

16.如权利要求15所述的集成电路的制作方法，其中该金属-绝缘层-金属电容器包括底板，该底板形成在该第一连接垫上且与该第一连接垫电连接，且该底板通过该第一连接垫而与该互连结构的该第一上连接部电连接。

17.如权利要求13所述的集成电路的制作方法，其中形成该金属凸块结构的该方法还包括：

18.如权利要求17所述的集成电路的制作方法，还包括：

19.如权利要求18所述的集成电路的制作方法，其中该第二开孔暴露出该互连结构的第二上连接部的一部分，该第三开孔暴露出该第二上连接部的另一部分，且该金属-绝缘层-金属电容器的该上板通过该互连结构的该第二上连接部而与该第二连接垫电连接。

20.如权利要求12所述的集成电路的制作方法，其中该金属-绝缘层-金属电容器包括：

技术总结本发明公开一种集成电路及其制作方法，其中该集成电路包括一基底、一互连层、一绝缘层、一金属凸块结构以及一金属‑绝缘层‑金属电容器。互连层设置在基底之上，互连层包括一层间介电层与一互连结构，且互连结构设置在层间介电层之中。绝缘层设置在互连层上，金属凸块结构设置在绝缘层上，而金属‑绝缘层‑金属电容器共形地设置在金属凸块结构与绝缘层上。集成电路的制作方法包括下列步骤。在基底之上形成互连层，在互连层上形成绝缘层，在绝缘层上形成金属凸块结构，并在金属凸块结构与绝缘层上共形地形成金属‑绝缘层‑金属电容器。技术研发人员：林大钧,蔡滨祥,蔡馥郁受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/23