声表面波滤波器的封装方法及封装结构与流程

本公开涉及半导体封装，尤其涉及一种声表面波滤波器的封装方法及封装结构。

背景技术：

1、随着电子信息技术的不断发展，无线通信已成为我们日常生活的核心部分，从智能手机到先进的雷达系统，无线通信技术的应用无处不在。为确保无线电子通信产品通信信号清晰度和精准度，对于声表面波滤波器的封装稳定性和可靠性就有了更高的要求。因此，如何提升声表面波滤波器的封装结构稳定性与可靠性，对半导体封装以及无线通信技术的发展尤为关键。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开的目的在于提出一种声表面波滤波器的封装方法及封装结构。

2、基于上述目的，第一方面，本公开实施例提供了一种声表面波滤波器的封装方法，包括：

3、(a)提供一承载板；

4、(b)在所述承载板上形成金属结构；

5、(c)在所述承载板和所述金属结构上增层形成基板；

6、(d)移除所述承载板，暴露出所述金属结构；

7、(e)在所述基板的表面制作外层线路层和阻焊层，使得所述阻焊层围绕所述金属结构形成第一沟道；

8、(f)蚀刻所述第一沟道内暴露的所述金属结构，形成第二沟道；

9、(g)将所述声表面波滤波器安装连接于所述外层线路层上；其中，所述第一沟道和所述第二沟道位于所述声表面波滤波器在所述基板的正投影的周围；

10、(h)在所述基板连接所述声表面波滤波器一侧覆膜形成覆膜层，再在所述覆膜层上形成封装层。

11、进一步地，所述金属结构形成为直线形状或凹凸线形状。

12、进一步地，步骤(b)包括：

13、(b1)在所述承载板上贴干膜、曝光、显影形成第一沟道图案；

14、(b2)电镀所述第一沟道图案，形成金属结构；

15、(b3)退膜。

16、进一步地，步骤(c)包括：

17、(c1)在所述承载板和所述金属结构上层压第一绝缘层；

18、(c2)在所述第一绝缘层上形成第一线路层；

19、(c3)在所述第一绝缘层和所述第一线路层上层压第二绝缘层；

20、(c4)重复步骤c2和c3，直至形成第n-1线路层和第n绝缘层，n大于等于2。

21、进一步地，各绝缘层分别独立选自有机材料或陶瓷材料。

22、进一步地，所述阻焊层的厚度大于所述外层线路层的厚度。

23、进一步地，步骤(f)包括：

24、(f1)在所述基板、所述外层线路层和所述阻焊层上贴干膜；

25、(f2)曝光、显影以暴露所述金属结构的表面；

26、(f3)蚀刻所述金属结构；

27、(f4)退膜形成所述第二沟道。

28、进一步地，步骤(g)之前，还包括：

29、(i)在所述外层线路层上形成表面处理层。

30、进一步地，所述覆膜层的膜材料为环氧型热固膜。

31、进一步地，所述封装层选自由液晶高分子聚合物、bt树脂、pp、abf和pi树脂中的一者或多者。

32、第二方面，本公开实施例还提供一种声表面波滤波器的封装结构，包括：基板、在所述基板上的外层线路层和阻焊层、所述阻焊层包围形成的第一沟道、在所述第一沟道内的嵌入所述基板的第二沟道、所述外层线路层上的声表面波滤波器、覆盖所述第一沟道、所述第二沟道、所述外层线路层和所述阻焊层的覆膜层、以及覆盖所述覆膜层的封装层；其中，所述声表面波滤波器的端子导通连接所述外层线路层，所述第一沟道和所述第二沟道位于所述声表面波滤波器在所述基板的正投影的周围。

33、进一步地，所述覆膜层材料为环氧型热固膜。

34、进一步地，所述阻焊层的厚度大于所述外层线路层的厚度。

35、进一步地，还包括在所述外层线路层上的表面处理层。。

36、进一步地，所述第二沟道具有直线形状或凹凸线形状。

37、进一步地，所述基板包括多层叠置的线路层和绝缘层。

38、从上面所述可以看出，本公开提供的一种声表面波滤波器的封装方法及封装结构，通过在基板对应于声表面波滤波器的周围区域形成沟道结构，使得覆膜层能够更紧密覆盖在声表面波滤波器的四周，提高声表面波滤波器下方形成空腔的稳定性，减少声表面波信号的干扰，最终提高产品的信号稳定性和清晰度。

技术特征：

1.一种声表面波滤波器的封装方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述金属结构形成为直线形状或凹凸线形状。

3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，步骤(b)包括：

4.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，步骤(c)包括：

5.根据权利要求4所述的封装方法，其特征在于，各绝缘层分别独立选自有机材料或陶瓷材料。

6.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述阻焊层的厚度大于所述外层线路层的厚度。

7.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，步骤(f)包括：

8.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，步骤(g)之前，还包括：

9.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述覆膜层的膜材料为环氧型热固膜。

10.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述封装层选自液晶高分子聚合物、bt树脂、pp、abf和pi树脂中的一者或多者。

11.一种声表面波滤波器的封装结构，其特征在于，包括：基板、所述基板上的外层线路层和阻焊层、所述阻焊层包围形成的第一沟道、在所述第一沟道内的嵌入所述基板的第二沟道、所述外层线路层上的声表面波滤波器、覆盖所述第一沟道、所述第二沟道、所述外层线路层和所述阻焊层的覆膜层、以及覆盖所述覆膜层的封装层；其中，所述声表面波滤波器的端子导通连接所述外层线路层，所述第一沟道和所述第二沟道位于所述声表面波滤波器在所述基板的正投影的周围。

12.根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述覆膜层材料为环氧型热固膜。

13.根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述阻焊层的厚度大于所述外层线路层的厚度。

14.根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，还包括在所述外层线路层上的表面处理层。

15.根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述第二沟道具有直线形状或凹凸线形状。

16.根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述基板包括多层叠置的线路层和绝缘层。

技术总结本公开提供一种声表面波滤波器的封装方法及封装结构。所述封装结构包括基板、所述基板上的外层线路层和阻焊层、所述阻焊层包围形成的第一沟道、在所述第一沟道内的嵌入所述基板的第二沟道、所述外层线路层上的声表面波滤波器、覆盖所述第一沟道、所述第二沟道、所述外层线路层和所述阻焊层的覆膜层、以及覆盖所述覆膜层的封装层；其中，所述声表面波滤波器的端子导通连接所述外层线路层，所述第一沟道和所述第二沟道位于所述声表面波滤波器在所述基板的正投影的周围。该结构有助于提高声表面波滤波器下方形成空腔的稳定性，减少声表面波信号的干扰，最终提高产品的信号稳定性和清晰度。技术研发人员：陈先明,冯磊,黄本霞,曾勇志,李巧灵受保护的技术使用者：珠海越芯半导体有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/23