半导体存储器件的制作方法

本公开涉及一种半导体存储器件，并且更具体地，涉及一种包括垂直沟道晶体管(vct)的半导体存储器件及制造其的方法。

背景技术：

1、提供半导体器件以在每一个封装件上实现集成电路(ic)芯片，以符合各种电子产品的使用条件。近年来，在诸如物联网、边缘计算等复杂场景中，对专用处理应用的集成系统的需求不断增加。功能集成的系统对底层材料的异构集成提出了要求。然而，传统的半导体存储器件可以是二维的或平面的半导体存储器件，其集成度是决定产品价格的重要因素。

2、此外，集成度主要取决于单位存储单元所占的面积，因此受精细图案形成技术水平的影响很大。然而，二维半导体存储器件的集成度正在提高，但仍然有限，因为图案的小型化需要超昂贵的设备。因此，有必要提高半导体存储器件的集成度，以满足消费者所要求的优越性能和低成本。

技术实现思路

1、本发明的各方面提供一种集成度提高且电气特性改善了的半导体存储器件。本公开的实施例包括具有垂直沟道晶体管的半导体存储器件。

2、然而，本发明的各方面并不局限于本文所阐述的方面。通过参考下面给出的本发明的详细描述，本发明的上述方面和其他方面对于本发明所属领域的技术人员来说将变得更加明了。

3、根据本公开的一方面，提供了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：位线，所述位线在衬底上沿第一方向延伸；第一沟道图案，所述第一沟道图案设置在所述位线上；第二沟道图案，所述第二沟通图案设置在所述位线上并且在所述第一方向上与所述第一沟道图案间隔开；第一字线，所述第一字线设置在所述第一沟道图案与所述第二沟道图案之间并且沿第二方向延伸；第二字线，所述第二字线设置在所述第一沟道图案与所述第二沟道图案之间、沿所述第二方向延伸并且在所述第一方向上与所述第一字线间隔开；第一电容器和第二电容器，所述第一电容器和所述第二电容器分别设置在所述第一沟道图案和所述第二沟道图案上并且分别连接到所述第一沟道图案和所述第二沟道图案，其中所述第一沟道图案和所述第二沟道图案均包括包含铟(in)、镓(ga)和锡(sn)的第一金属氧化物图案，并且在所述第一金属氧化物图案的空间组成分布中，锡峰的位置不同于镓峰的位置。

4、根据本公开的另一方面，提供了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：位线，所述位线在衬底上沿第一方向延伸；突出绝缘图案，所述突出绝缘图案设置在所述位线上并且包括沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的沟道沟槽；沟道结构，所述沟道结构在所述沟道沟槽中设置在所述位线上；第一字线，所述第一字线设置在所述沟道结构上并且沿所述第二方向延伸；第二字线，所述第二字线设置在所述沟道结构上、沿所述第二方向延伸并且在所述第一方向上与所述第一字线间隔开；以及多个电容器，所述多个电容器设置在所述沟道结构上并且连接到所述沟道结构，其中，所述沟道结构包括包含铟(in)、镓(ga)和锡(sn)的第一金属氧化物图案，并且其中，所述第一金属氧化物图案包括沿着所述沟道沟槽的侧壁和底表面延伸的富锡区域。

5、根据本公开的另一方面，提供了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：外围栅极结构，所述外围栅极结构位于衬底上；位线，所述位线设置在所述外围栅极结构上并且沿第一方向延伸；沟道结构，所述沟道结构设置在所述位线上并且包括水平部分、以及从所述水平部分突出的第一垂直部分和第二垂直部分；第一字线，所述第一字线设置在所述沟道结构上并且沿第二方向延伸；第二字线，所述第二字线设置在所述沟道结构上、沿所述第二方向延伸并且在所述第一方向上与所述第一字线间隔开；栅极分隔图案，所述栅极分隔图案设置在所述沟道结构的所述水平部分上并且将所述第一字线和所述第二字线分隔开；多个接合焊盘，所述多个接合焊盘设置在所述沟道结构上并且连接到所述沟道结构；以及多个数据存储图案，所述多个数据存储图案设置在所述多个接合焊盘上，其中，所述沟道结构包括包含铟(in)、镓(ga)和锡(sn)的第一金属氧化物图案，并且其中，所述第一金属氧化物图案中锡的比例在15at.％到30at.％的范围内。

技术特征：

1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：

9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：

10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：

11.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：

12.根据权利要求11所述的半导体存储器件，

13.根据权利要求11所述的半导体存储器件，

14.根据权利要求11所述的半导体存储器件，其中：

15.根据权利要求11所述的半导体存储装置，其中：

16.根据权利要求11所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：

17.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：

18.根据权利要求17所述的半导体存储器件，其中：

19.根据权利要求17所述的半导体存储器件，其中：

20.根据权利要求17所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：

技术总结提供了一种半导体存储器件。半导体存储器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的位线，设置在位线上的第一沟道图案，设置在位线上并在第一方向上与第一沟道图案间隔开的第二沟道图案，设置在第一沟道图案与第二沟道图案之间并沿第二方向延伸的第一字线，设置在第一沟道图案与第二沟道图案之间、沿第二方向延伸并在第一方向上与第一字线间隔开的第二字线，及分别设置在第一沟道图案和第二沟道图案上并且分别连接到第一沟道图案和第二沟道图案的第一电容器和第二电容器，第一沟道图案和第二沟道图案均包括包含铟(In)、镓(Ga)和锡(Sn)的第一金属氧化物图案，并且在第一金属氧化物图案的空间组成分布中，锡峰的位置不同于镓峰的位置。技术研发人员：朴镇成,李昇嬉,卓容奭,金东奎,金俞琳,金台原,李东炫受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/25