半导体装置及制造半导体装置的方法与流程

实施方式涉及半导体装置及制造半导体装置的方法，并且更具体地，涉及能够减少工艺步骤的数量的制造半导体装置的方法。

背景技术：

1、近来，随着电子装置的尺寸减小、具有低的功耗和高性能、以及多样化，诸如计算机和便携式通信装置之类的各种电子装置需要能够存储信息的半导体装置。

2、为了减小半导体装置的尺寸并增加半导体装置的数据储存容量，已经开发了半导体装置，使得通过减小二维(2-d)平面中的金属线宽度，可以在相同面积的半导体装置中集成许多存储器单元。

3、随着在二维平面中减小金属线宽度，存在的问题在于：制造装备、投资成本和开发周期呈指数增长。因此，研究和开发了使用三维(3-d)结构制造半导体装置的方法。

技术实现思路

1、在实施方式中，一种半导体装置可以包括在第一方向上彼此相邻的第一单元区域和第二单元区域、设置于第一单元区域和第二单元区域之间的支撑件、层叠在第一单元区域中的第一栅极线、被构造为从第一栅极线延伸并且被构造为沿支撑件的第一侧壁向上突出的第一焊盘、层叠在第二单元区域中的第二栅极线、被构造为从第二栅极线延伸并且被构造为沿支撑件的第二侧壁向上突出的第二焊盘、以及被构造为沿支撑件的第三侧壁在第一方向上延伸并且被构造为电连接第一焊盘和第二焊盘的第一连接焊盘。

2、在一个实施方式中，一种制造半导体装置的方法可以包括：形成设置于在第一方向上彼此相邻的第一单元区域与第二单元区域之间的支撑件；在支撑件上形成包括交替地层叠的第一材料层和第二材料层的层叠物；以及对层叠物进行图案化，使得每个第一材料层包括设置于第一单元区域中的第一线部、被构造为从第一线部延伸并且被构造为沿支撑件的第一侧壁向上突出的第一焊盘部、设置于第二单元区域中的第二线部、被构造为从第二线部延伸并且被构造为沿支撑件的第二侧壁向上突出的第二焊盘部、以及被构造为沿支撑件的第三侧壁在第一方向上延伸并被构造为连接第一焊盘部和第二焊盘部的第一连接部。

技术特征：

1.一种半导体装置，该半导体装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括第二连接焊盘，所述第二连接焊盘沿所述支撑件的第四侧壁在所述第一方向上延伸并且电连接所述第一焊盘和所述第二焊盘。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

6.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括第三接触件，所述第三接触件分别连接至所述第一连接焊盘。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

8.根据权利要求7所述的半导体装置，该半导体装置还包括狭缝结构，该狭缝结构在所述第一单元区域和所述第三单元区域之间以及所述第二单元区域和所述第四单元区域之间在所述第一方向上延伸。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第一连接焊盘设置于所述支撑件与所述狭缝结构之间。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述支撑件在所述第三单元区域与所述第四单元区域之间延伸。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

12.根据权利要求11所述的半导体装置，

13.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：

14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述层叠物的步骤包括以下步骤：沿所述支撑件的全部侧壁和上表面形成所述层叠物。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，对所述层叠物进行图案化的步骤包括以下步骤：

16.根据权利要求13所述的方法，该方法还包括以下步骤：通过用导电层替换所述第一材料层来形成栅极结构。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述栅极结构包括：

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述导电层分别包括所述第一栅极线、所述第一焊盘、所述第二栅极线、所述第二焊盘和所述第一连接焊盘。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述栅极结构还包括第二连接焊盘，所述第二连接焊盘沿所述支撑件的第四侧壁在所述第一方向上延伸并且电连接所述第一焊盘和所述第二焊盘。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述导电层分别包括所述第一栅极线、所述第一焊盘、所述第二栅极线、所述第二焊盘、所述第一连接焊盘和所述第二连接焊盘。

技术总结本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。根据本公开的实施方式的半导体装置包括在第一方向上彼此相邻的第一单元区域和第二单元区域、设置于第一单元区域和第二单元区域之间的支撑件、层叠在第一单元区域中的第一栅极线、被构造为从第一栅极线延伸并且被构造为沿支撑件的第一侧壁向上突出的第一焊盘、层叠在第二单元区域中的第二栅极线、被构造为从第二栅极线延伸并且被构造为沿支撑件的第二侧壁向上突出的第二焊盘、以及被构造为沿支撑件的第三侧壁在第一方向上延伸并且被构造为电连接第一焊盘和第二焊盘的第一连接焊盘。技术研发人员：郭鲁珪,朴寅洙,张晶植,崔正达,崔硕珉,崔元根受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29