包括掩埋单元阵列晶体管结构的半导体器件及其制造方法与流程

本发明构思的实施方式涉及一种半导体器件及其制造方法。更具体地，本发明构思的实施方式涉及一种包括掩埋单元阵列晶体管(bcat)结构的半导体器件及其制造方法。

背景技术：

1、随着电子工业的快速发展和用户的需求，电子装置逐渐被制得更小且重量更轻。结果，半导体器件已经变得越来越集成。因此，因为电子装置需要具有高集成度的半导体器件，所以半导体器件的组件的设计规则减少。因此，确保构成半导体器件的导电图案之间的连接可靠性的制造工艺的难度逐渐提高。

2、随着半导体器件的集成的逐渐提高，其中多条字线在具有bcat的半导体器件的衬底中的结构正在开发中。

技术实现思路

1、根据本发明构思的实施方式，一种半导体器件包括：形成在衬底上的有源区；位线，在第一方向上延伸并且通过穿过有源区而形成在衬底的内部，其中位线在基本上垂直于第一方向的第二方向上以第一间隔形成；字线，通过穿过有源区而形成在衬底的内部，并且在第二方向上在位线下方延伸，其中字线在第一方向上以第二间隔形成；接触结构，形成在有源区上并与位线相邻，其中接触结构包括金属层和粘合层；以及形成在接触结构上的电容器结构，其中有源区在相对于第一方向具有一定斜度的第三方向上倾斜。

2、根据本发明构思的实施方式，一种制造半导体器件的方法包括：通过在衬底上形成器件隔离层来限定有源区；形成字线，字线跨过有源区和器件隔离层在第二方向上延伸；形成覆盖字线的第一盖层；形成位线，位线跨过第一盖层、有源区和器件隔离层在第一方向上延伸，其中第一方向基本上垂直于第二方向；形成覆盖位线的第二盖层；在第二盖层上形成包括金属层和粘合层的接触结构；在接触结构上形成第三盖层；以及在第三盖层上形成电容器结构，其中限定有源区包括限定在相对于第一方向具有特定斜率的第三方向上倾斜的有源区，其中第三方向相对于第一方向倾斜约30°。

3、根据本发明构思的实施方式，一种半导体器件包括：形成在衬底上的有源区；位线，在第一方向上延伸并且通过穿过有源区而形成在衬底的内部，并且其中位线在基本上垂直于第一方向的第二方向上以第一间隔形成；字线，通过穿过有源区而形成在衬底的内部，并且在第二方向上在位线下方延伸，其中字线在第一方向上以第二间隔形成；设置在字线上的第一盖层；设置在位线上的第二盖层；接触结构，形成在有源区上并与位线相邻，其中接触结构包括金属层和粘合层；设置在接触结构上的第三盖层；以及以蜂窝结构形成在接触结构上的电容器结构，其中有源区通过以相对于第一方向的特定斜率布置而相对于第一方向倾斜约30°，该特定斜率是两个第一间隔与四个第二间隔的比率。

技术特征：

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三方向相对于所述第一方向倾斜约30°。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电容器结构以蜂窝结构布置。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括设置在所述位线中的位线与所述有源区之间的第一连接层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电容器结构经由所述接触结构连接到所述有源区。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触结构进一步包括与所述有源区接触的第二连接层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述位线设置在所述衬底的上表面下方。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括在所述第一方向上连接到所述接触结构的栅极结构，

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述栅极结构进一步包括：

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源区包括源极/漏极区，其中所述源极/漏极区的一部分与所述接触结构接触，并且所述源极/漏极区的另一部分与位线接触。

11.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述位线进一步包括在所述位线和所述有源区之间形成第一连接层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一连接层通过自对准硅化物方法形成。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述位线包括：

15.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述接触结构进一步包括在所述金属层和所述有源区之间形成第二连接层。

16.根据权利要求11所述的方法，进一步包括形成在所述第一方向上连接到所述接触结构的栅极结构，

17.一种半导体器件，包括：

18.根据权利要求17所述的半导体器件，进一步包括设置在所述位线中的位线与所述有源区之间的第一连接层。

19.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，所述电容器结构经由所述接触结构连接到所述有源区。

20.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，所述接触结构进一步包括与所述有源区接触的第二连接层。

技术总结本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：有源区，形成在衬底上；位线，在第一方向上延伸并且通过穿过有源区而形成在衬底的内部，其中位线在基本上垂直于第一方向的第二方向上以第一间隔形成；字线，通过穿过有源区而形成在衬底的内部，并且在第二方向上在位线下方延伸，其中字线在第一方向上以第二间隔形成；接触结构，形成在有源区上并与位线相邻，其中接触结构包括金属层和粘合层；以及电容器结构，形成在接触结构上，其中有源区在相对于第一方向具有特定斜率的第三方向上倾斜。技术研发人员：裵秉俊,宋正宇受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/25