一种高强度复合肤感装饰膜及其制备方法与流程

本发明属于装饰膜，尤其涉及一种高强度复合肤感装饰膜及其制备方法。

背景技术：

1、随着科技的进步及生活水平、审美情趣的提高，对装饰材料的要求也越来越高，装饰膜材料应运而生，主要起到装饰保护作用，除了美观作用外，还有一些其他性能，如：隔热、保暖、隔紫外线、安全防爆防盗防弹和私密性等；现有技术的室内装饰材料表面所用的肤感膜图案、文字、花色丰富，本身为了确保一定的肤感，其强度低，容易被损坏，降低保护效果。

技术实现思路

1、本发明提供一种高强度复合肤感装饰膜，旨在解决上述的问题。

2、本发明是这样实现的，一种高强度复合肤感装饰膜，包括基层、表面保护层以及设于两者之间的印刷层，所述表面保护层包括以下按照重量份的原料：apet和/或petg 75-95份、改性纳米火山石10-20份、无卤阻燃剂3-5份、抗静电剂1-3份、环氧大豆油2-6份、改性纳米硅灰石15-25份、抗氧化剂1-2份、改性气硅10-16份。

3、优选地，所述表面保护层包括以下按照重量份的原料：apet和/或petg 80-90份、改性纳米火山石12-18份、无卤阻燃剂3.5-4.5份、抗静电剂1.5-2.5份、环氧大豆油3-5份、改性纳米硅灰石18-22份、抗氧化剂1.3-1.8份、改性气硅12-14份。

4、优选地，所述表面保护层包括以下按照重量份的原料：apet和/或petg 85份、改性纳米火山石15份、无卤阻燃剂4份、抗静电剂2份、环氧大豆油4份、改性纳米硅灰石20份、抗氧化剂1.5份、改性气硅13份。

5、优选地，所述改性纳米火山石的制备方法如下：将火山石置于温度为90-100℃下干燥40-60min；然后将火山石在温度为500-600℃下焙烧2-3h，煅烧后，在200-300℃下通入水蒸气30-50min，再置于500-600℃焙烧0.5-1.5h，冷却，加入火山石0.1-0.2倍重量的十六烷基三甲基溴化铵和3-5倍重量的去离子水，在60-80℃下搅拌30-50min，过滤并在90-100℃下干燥1-2h，得到改性纳米火山石；通入水蒸气，能够对火山石进行扩孔，采用焙烧-扩孔-再焙烧的方式，能够将火山石结构破坏的更细，孔隙更多，提高吸附性，与其他组分结合形成稳定体系，通过加入十六烷基三甲基溴化铵进行表面改性，使其表面能发生变化，由亲水性转变为亲油性，使其在体系中呈纳米级别分散，从而提高装饰膜的力学性能。

6、优选地，所述无卤阻燃剂包括氢氧化镁、硫酸钙晶须、全氟丁基磺酸钾、双季戊四醇中的一种或多种组合。

7、优选地，所述抗静电剂包括十八烷基二甲基羟乙基季铵硝酸盐、甘油单硬脂酸酯、乙氧化胺中的一种或多种组合。

8、优选地，所述改性纳米硅灰石的制备方法如下：将纳米硅灰石粉放入质量分数为30-40％的乙酸水溶液中浸泡处理1-3h，纳米硅灰石粉与乙酸水溶液体积比为1:2-4，然后过滤，用去离子水清洗2-3次，在50-60℃烘干得到产物a，将产物a加入2-4倍重量的硬脂酸和1-2倍重量的聚乙二醇中，在60-80℃的条件下，滴加产物a0.1-0.3倍重量的钛酸正四丁酯搅拌混合后过滤，得到改性纳米硅灰石，通过乙酸浸泡纳米硅灰石腐蚀改性，形成更丰富的孔洞结构，然后加入硬脂酸和聚乙二醇，进一步提高纳米硅灰石的分散性、吸附性，能够与其他组分充分混合复配，改性纳米硅灰石具有大的比表面积和大的表面化学能，具有更好的分散性，能够提高装饰膜的力学性能。

9、优选地，所述抗氧化剂包括季戊四醇酯、抗氧剂1076、抗氧剂168中的一种或多种组合。

10、优选地，所述改性气相二氧化硅的制备方法如下：将气相二氧化硅在50-60℃条件下，放入8-12倍重量且质量百分数为10-20％的盐酸溶液进行浸泡处理1-2h，调节ph值至6-8，并以60-80℃进行烘干处理；将烘干处理后的气相二氧化硅置于四甲基四乙烯基环四硅氧烷蒸汽下，在流化床中接触并反应，得到改性气相二氧化硅。改性气相二氧化硅能够均匀分散于体系中，提高气相二氧化硅与体系的结合能力，改性气相二氧化硅形成网络结构，提高装饰膜的稳定性、力学性能、耐老化性能等，并增加装饰膜的致密性、光洁度。

11、本发明还提供上述高强度复合肤感装饰膜的制备方法，包括如下步骤：

12、按配比称取表面保护层的各原料；

13、将表面保护层的各原料混合，挤出造粒，干燥，经单螺杆挤出机进行熔融塑化，挤出流延，压延冷却，得到厚度为1-1.5mm的表面保护层；

14、在基层的一侧印刷图案，得到印刷层；

15、将表面保护层通过胶粘剂复合在印刷层远离基层的一侧，得到高强度复合肤感装饰膜，所述胶粘剂可以是环氧树脂胶粘剂。

16、与现有技术相比，本申请实施例主要有以下有益效果：

17、本发明所提供的高强度复合肤感装饰膜通过在表面保护层中加入环氧大豆油，对光和热具有良好的稳定作用，提高装饰膜耐候性，通过加入无卤阻燃剂，阻燃性能好，通过加入改性纳米火山石，通入水蒸气对火山石进行扩孔，采用焙烧-扩孔-再焙烧的方式，将火山石结构破坏的更细，孔隙更多，提高吸附性，与其他组分结合形成稳定体系，通过加入十六烷基三甲基溴化铵进行表面改性，使其表面能发生变化，由亲水性转变为亲油性，改性纳米火山石在体系中呈纳米级别分散，从而提高装饰膜的力学性能；通过加入改性纳米硅灰石，具有大的比表面积和大的表面化学能，具有更好的分散性，能够提高装饰膜的力学性能，通过加入改性气相二氧化硅，能够均匀分散于体系中，提高气相二氧化硅与体系的结合能力，改性气相二氧化硅形成网络结构，提高装饰膜的稳定性、力学性能、耐老化性能等，并增加装饰膜的致密性、光洁度，并且改性纳米火山石、改性纳米硅灰石和改性气相二氧化硅具有协同配合增效作用，能够进一步提高装饰膜的力学性能。

技术特征：

1.一种高强度复合肤感装饰膜，其特征在于，包括基层、表面保护层以及设于两者之间的印刷层，所述表面保护层包括以下按照重量份的原料：apet和/或petg 75-95份、改性纳米火山石10-20份、无卤阻燃剂3-5份、抗静电剂1-3份、环氧大豆油2-6份、改性纳米硅灰石15-25份、抗氧化剂1-2份、改性气硅10-16份。

2.如权利要求1所述的高强度复合肤感装饰膜，其特征在于，所述表面保护层包括以下按照重量份的原料：apet和/或petg 80-90份、改性纳米火山石12-18份、无卤阻燃剂3.5-4.5份、抗静电剂1.5-2.5份、环氧大豆油3-5份、改性纳米硅灰石18-22份、抗氧化剂1.3-1.8份、改性气硅12-14份。

3.如权利要求2所述的高强度复合肤感装饰膜，其特征在于，所述表面保护层包括以下按照重量份的原料：apet和/或petg 85份、改性纳米火山石15份、无卤阻燃剂4份、抗静电剂2份、环氧大豆油4份、改性纳米硅灰石20份、抗氧化剂1.5份、改性气硅13份。

4.如权利要求1所述的高强度复合肤感装饰膜，其特征在于，所述改性纳米火山石的制备方法如下：将火山石置于温度为90-100℃下干燥40-60min；然后将火山石在温度为500-600℃下焙烧2-3h，煅烧后，在200-300℃下通入水蒸气30-50min，再置于500-600℃焙烧0.5-1.5h，冷却，加入火山石0.1-0.2倍重量的十六烷基三甲基溴化铵和3-5倍重量的去离子水，在60-80℃下搅拌30-50min，过滤并在90-100℃下干燥1-2h，得到改性纳米火山石。

5.如权利要求1所述的高强度复合肤感装饰膜，其特征在于，所述无卤阻燃剂包括氢氧化镁、硫酸钙晶须、全氟丁基磺酸钾、双季戊四醇中的一种或多种组合。

6.如权利要求1所述的高强度复合肤感装饰膜，其特征在于，所述抗静电剂包括十八烷基二甲基羟乙基季铵硝酸盐、甘油单硬脂酸酯、乙氧化胺中的一种或多种组合。

7.如权利要求1所述的高强度复合肤感装饰膜，其特征在于，所述改性纳米硅灰石的制备方法如下：将纳米硅灰石粉放入质量分数为30-40％的乙酸水溶液中浸泡处理1-3h，纳米硅灰石粉与乙酸水溶液体积比为1:2-4，然后过滤，用去离子水清洗2-3次，在50-60℃烘干得到产物a，将产物a加入2-4倍重量的硬脂酸和1-2倍重量的聚乙二醇中，在60-80℃的条件下，滴加产物a0.1-0.3倍重量的钛酸正四丁酯搅拌混合后过滤，得到改性纳米硅灰石。

8.如权利要求1所述的高强度复合肤感装饰膜，其特征在于，所述抗氧化剂包括季戊四醇酯、抗氧剂1076、抗氧剂168中的一种或多种组合。

9.如权利要求1所述的高强度复合肤感装饰膜，其特征在于，所述改性气相二氧化硅的制备方法如下：将气相二氧化硅在50-60℃条件下，放入8-12倍重量且质量百分数为10-20％的盐酸溶液进行浸泡处理1-2h，调节ph值至6-8，并以60-80℃进行烘干处理；将烘干处理后的气相二氧化硅置于四甲基四乙烯基环四硅氧烷蒸汽下，在流化床中接触并反应，得到改性气相二氧化硅。

10.一种如权利要求1-9任一所述的高强度复合肤感装饰膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

技术总结本发明适用于装饰膜技术领域，提供了一种高强度复合肤感装饰膜及其制备方法，所述装饰膜包括基层、表面保护层以及设于两者之间的印刷层，所述表面保护层包括以下原料：APET和/或PETG、改性纳米火山石、无卤阻燃剂、抗静电剂、环氧大豆油、改性纳米硅灰石、抗氧化剂、改性气硅，本发明所提供的高强度复合肤感装饰膜通过在表面保护层中加入环氧大豆油，对光和热具有良好的稳定作用，提高装饰膜耐候性，通过加入无卤阻燃剂，阻燃性能好，通过加入改性纳米火山石、改性纳米硅灰石和改性气相二氧化硅，具有协同配合增效作用，能够进一步提高装饰膜的力学性能。技术研发人员：叶盛威,叶文进,孔祥西,周旭英,孔爱娟,吴艳受保护的技术使用者：浙江中盛新材料股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/1